| D | 1. 相位控制整流器的輸入功率因數與下列何者無關﹖(A)直流負載型態(B)觸發延遲角(C)有無飛輪二極體(D)閘流 體特性。 |
| C |  |
| B |  sin3ωt+40  sin5ωtA，則 i(t)有效值為多少？(A)100A(B)150A(C)200A(D)250A。
|
| A | 4. 以單相全波相控整流器驅動直流電動機，交流輸入電壓有效值為 157V，若電流連續且觸發延遲角為 45°，則 整流器輸出直流電壓平均值為多少？(A)100V(B)110V(C)123V(D)145V。 |
| D |  |
| B | 6. TRIAC 相當於兩個什麼元件反向並聯在一起？(A)DIAC(B)SCR(C)UJT(D)Zener Diode。 |
| D |  倍
(C)2 倍(D)2  倍。
|
| C | 8. 有一電壓源在無載時，輸出電壓為 50V，當滿載時電壓降至 40V，則電壓調整率為(A)15％(B)20％(C)25％(D)30 ％。 |
| B | 9. 60Hz 交流電經半波整流後，直流漣波頻率為(A)30Hz(B)60Hz(C)90Hz(D)120Hz。 |
| D | 10. 10kΩ、4W 的電阻器所能加的最大電壓是(A)50V(B)100V(C)150V(D)200V。 |
| C | 11. 有一中間抽頭式全波整流電路，若欲得到 50V 之直流電壓平均值時，則所選用二極體的逆向峰值電壓(PIV) 最少應為多少？(A)50V(B)78.6V(C)157.2V(D)235.8V。 |
| D | 12. SPWM 變頻控制，其觸發脈波可由下列哪兩種波比較而產生？(A)方波與鋸齒波(B)方波與三角波(C)正弦波與方 波(D)正弦波與三角波。 |
| C |  V(D)220  V。
29
|
| D |  A(C)2.2A(D)2.2  A。
|
| D | 15. 滿載轉差率為 4%的 60Hz 感應電動機，其滿載時轉差率為 36rpm，則此電動機之極數為多少的轉速？(A)2 極 (B)4 極(C)6 極(D)8 極。 |
| C | 16. 繞線式三相感應電動機啟動時，若在轉部外加電阻，則(A)啟動電流減小，且啟轉轉矩亦減小(B)啟動電流減小， 但啟動轉矩不變(C)啟動電流減小，但啟動轉矩增大(D)啟動電流與啟動轉矩均增大。 |
| B | 17. 四極感應電動機之頻率為 60Hz，其同步旋轉磁場之旋轉速度為多少？(A)1200rpm(B)1800rpm(C)2400rpm(D)3600r pm。 |
| A | 18. 若將串激式直流電動機的電源極性對換時，對於電動機將有什麼變化？(A)電動機轉向不變(B)電動機會反轉(C) 電動機會停止(D)電動機轉速增加。 |
| A | 19. 50Hz 之交流三相感應電動機，若接於 60Hz 電源時，其無載轉速(A)較快(B)較慢(C)相等(D)不一定。 |
| A | 20. 直流電動機的轉速增加，則其反電動勢(A)增加(B)減小(C)不變(D)先增加後減小。 |
| B | 21. (本題刪題)某一機械裝置在啟動時，若需較高的轉矩，則應使用直流(A)分激式電動機(B)串激式電動機(C)積複 激式電動機(D)差複激式電動機。 |
| A | 22. (本題刪題)變頻器使用於三相感應電動機控制時，在額定頻率下，其輸出頻率與電壓的關係為(A)正比(B)反比 (C)不一定(D)無關。 |
| B | 23. 控制系統中，當比例控制器之增益(Gain)增大時，其穩態誤差將(A)增大(B)減小(C)不變(D)不一定。 |
| B | 24. PID 控制器中，D 所指的控制器為(A)比例控制器(B)微分控制器(C)積分控制器(D)比例積分控制器。 |
| B | 25. 實用上光編碼器(Encoder)之 A、B 兩相脈波輸出，其相位相差(A)0°(B)90°(C)180°(D)270°。 |
| D | 26. 感應馬達在低轉速控制時，產生之轉矩較容易受下列那一參數之影響？(A)溫度(B)定子電抗 X1(C)轉子電抗 X2 (D)定子電阻 R1。 |
| D | 27. 三相變流器之直流供應電壓為 300V，若以六步方波方式操作，則變流器輸出線電壓最大值為多少？(A)100V (B)150V(C)200V(D)300V。 |
| C | 28. 三相變流器之直流供應電壓為 300V，若負載為三相平衡且變流器以六步方波方式操作，則變流器輸出相電 壓最大值為多少？(A)100V(B)150V(C)200V(D)300V。 |
| C | 29. 下列何種功率開關元件為電流驅動型控制方式？(A)MCT(B)IGBT(C)BJT(D)MOSFET。 |
| B | 30. 某 1kVA 之電感性負載其功率因數為 0.8，欲改善至功率因數 1.0 須加入多少 VA 之電容器？(A)300(B)600(C)75 0(D)900。 |
| C | 31. 功率電晶體除在開關切換期間外，不可工作於(A)截止區(B)飽和區(C)作用區(D)逆向區。 |
| A | 32. 功率電晶體 MOSFET 之閘極輸入可視為一極微量之(A)電容(B)電感(C)電阻(D)電流源。 |
| B | 33. 感應電動機 V/F 為定值之控制方式主要目的是將使下列何者保持定值？(A)輸出功率(B)氣隙主磁通(C)轉速(D) 輸入電流。 |
| B | 34. IGBT 之交換時間(Switching Time)約為(A)10ns(B)2.0μs(C)30μs(D)1ms。 |
| C |  |
| B |  |
| C |  |
| A |  |
| D | 39. 電力電子轉換器一般由下列那三種主要元件所組成？(A)電阻、電容、電感(B)功率開關、電容、電阻(C)電阻、 電感、功率開關(D)功率開關、電感、電容。 |
| B | 40. 下列哪一種功率轉換器不可用以驅動交流感應電動機(A)變流器(Inverter)(B)截波器(Chopper)(C)換頻器(Cyclocon verter)(D)交流電壓調整器(AC Voltage Regulator)。 |
| C | 41. 某直流伺服馬達作為定位系統控制時，宜採用下列何種驅動器(A)單象限截波器(B)雙象限截波器(C)四象限截波 器(D)相位控制整流器。 |
| A | 42. 驅動某電感量較小的馬達，若要降低諧波含量可以將切換頻率作何調整？(A)調大(B)調小(C)維持不變(D)諧波含 量與切換頻率無關。 |
| C | 43. 下列何種功率開關功件之閘（基）極較易受人體靜電破壞？(A)BJT(B)SCR(C)MOSFET(D)TRIAC。 |
| D | 44. 牽引(Traction)馬達加速之快慢與下列何者無關？(A)馬達轉子之慣性(B)機械負載之慣性(C)齒輪比(Gear Ratio)(D) 環境溫度。 |
| B | 45. 某電動機滿載時轉速為 2000rpm，無載時轉速為 2150rpm，則其速度調整率為多少？(A)5%(B)7.5%(C)10%(D)12. 5%。 |
| C | 46. 某電動機之輸入電流有效值為 25A，若其電流基本波有效值為 20A，則此電流含有之總諧波電流有效值為多 少？(A)5A(B)10A(C)15A(D)20A。 |
| C | 47. 某電動機之輸入電流有效為值 20A，總諧波電流有效值為 12A，則此電流之總諧波失真因數為多少？(A)25% (B)50%(C)75%(D)100%。 |
| D | 48. 下列何者非電力系統之諧波來源？(A)電力電子轉換器(B)變壓器之激磁電流(C)馬達及發電機(D)電燈泡。 |
| B | 49. 切換式電源供應器之切換頻率提高主要目的為(A)減少切換損失(B)降低成本及縮小體積(C)避免 EMI 問題(D)提 高輸出電壓值。 |
| A |  sinωtV，輸入電流 i(t)=16  sin(ωt-60°)+12  sin3ωtA，則其輸入功率
因數為(A)0.4(B)0.5(C)0.6(D)0.8。
|
| C | 51. 關於熱敏電阻(Thermistor)之特性，以下敘述何者錯誤？(A)負溫度電阻係數(B)可用以感測溫度(C)電阻值與溫度 31 無關(D)可限制電路啟動時之湧入電流(Inrush Current)。 |
| B | 52. 作電源供應器之輸出暫態響應測試時，下列何者為必備之設備？(A)直流電源供應器(B)儲存示波器(C)數字式精 密電表(D)電力分析儀。 |
| B | 53. 當交流電動機電壓、電流相差 60 度時，其位移因數(Displacement Factor)約為多少？(A)1(B)0.5(C)0.85(D)2。 |
| B | 54. 設計切換式電源供應器(Switching Power Supply)時，一般不會使功率元件操作於下列何種模式中？(A)截止區(C ut-off Region)(B)主動區(Active Region)(C)飽和區(Saturation Region)(D)逆偏壓區(Reverse-bias Region)。 |
| B | 55. 下列何者不是電流控制型功率開關？(A)矽控閘流體(SCR)(B)金氧半場效電晶體(MOSFET)(C)雙載子接面電晶 體(BJT)(D)閘關閘流體(GTO)。 |
| D | 56. 設計切換式電源轉換器時，下列何者不是用來量測電流的方法？(A)串接電阻(Current Shunt)(B)比流器(Current Transformer)(C)霍爾元件(Hall Element)(D)限流電感(Current Limit Inductor)。 |
| A |  左圖所示電路中，若 vs=Vmsinωt，則 iD1的波形為何？(A)  (B)  (C)  (D)  。
|
| C |  左圖所示電路中，若 vs=Vmsinωt，則 iD2的波形為何？(A)  (B)  (C)  (D)  。
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| D |  左圖所示電路中，若 vs=Vmsinωt，則 VD2的波形為何？(A)  (B)  (C)  (D)  。
|
| C |  左圖所示電路中，i0電流為連續，若正負半波對稱觸發且(T1、T4)及(T2、T3)成對導通，
則 v0波形可能為何？(A)  (B)  (C)  (D)  。
|
| B | 61. 電力電子轉換器之敘述，下列何者為正確？(A)交流電壓控制器使用功率開關在ㄧ固定區間內連接與斷開負載 與交流電源，此種電路為 DC-DC 轉換器(B)三相交流電壓控制器之負載可 Y 接或 Δ 接(C)切換式 DC-DC 轉換 器比線性轉換器效率為低(D)切換式 DC-DC 轉換器使用的濾波電容器之串聯等效電阻愈大，輸出電壓的漣波 愈小。 32 |
| C | 62. 功率因數(PF)的定義，下列何者正確？(A)視在功率/平均功率(B)視在功率/虛功率(C)平均功率/視在功率(D)虛功 率/平均功率。 |
| C |  (A)68.3%(B)50%(C)41.7%(D)33.4%。
|
| C |  (A)4.9W(B)49W(C)490W(D)4900W。
|
| B |  (B)  (C)  (D)  。
|
| B |  (A)順向式(forward)轉換器(B)返馳式(flyback)轉換器(C)推挽式(push-pull)
轉換器(D)全橋式(full bridge)轉換器。
|
| C |  |
| B |  |
| B | 69. 電力電子電路中，使用緩衝電路的優點，下列何者有誤？(A)減少開關元件的功率損失(B)增快開關切換速度(C) 保護功率元件(D)增加開關使用壽命。 |
| C | 70. 下列何種功率元件容許之運作頻率最高？(A)SCR(B)IGBT(C)MOSFET(D)BJT。 |
| D | 71. PWM 型直流-直流轉換器，開關元件於一週期內導通時間比例稱為(A)轉換週期(B)元件週期(C)應用週期(D)責任 週期。 |
| A | 72. PWM 型直流-直流轉換器，開關元件之導通損失與下列何者最無關連？(A)控制迴路參數(B)負載電流(C)負載阻 抗(D)開關元件內阻。 |
| B | 73. 下列何種功率元件容許之運作功率最高？(A)MOSFET(B)GTO(C)IGBT(D)BJT。 33 |
| C |  (A)2V(B)4V(C)6V(D)8V。
|
| D | 75. 輸出與輸入隔離之電力轉換器，兩接地間往往放置何種元件？(A)電阻器(B)電感器(C)二極體(D)電容器。 |
| B |  (A)0.2Vp(B)0.318Vp(C)0.426Vp(D)0.538Vp。
|
| D | 77. SCR 可以藉由什麼方式使其關閉？(A)在閘極加上大的正電壓(B)在閘極加上大的負電壓(C)在閘極加上大的負 脈波電壓(D)陽極電流中斷。 |
| B | 78. 閘流體中可以由閘極激發，也可以由閘極截止的是(A)SCR(B)GTO(C)TRIAC(D)DIAC。 |
| B | 79. 改變 DC 分激馬達的速度，下列敘述何者正確？(A)當場電壓增加時馬達速度增加(B)當電樞電壓增加時馬達速 度增加(C)當電樞電壓增加時馬達速度減少(D)馬達速度與場電壓無關。 |
| B | 80. 在 SCR 控制電路中，若觸發角 α 愈大，表示負載功率消耗(A)不變(B)愈小(C)不一定(D)愈大。 |
| A | 81. SCR 為避免電壓變化過快而誤觸發，應對 SCR 採用下列何種方式？(A)並聯電容(B)串聯電容(C)串聯電阻(D)串 聯電感。 |
| A | 82. 當所用二極體欲與高速閘流體配合時，應使用(A)蕭特基二極體(B)稽納二極體(C)整流二極體(D)變容二極體。 |
| B |  |
| B | 84. 單相橋式全波全控整流器(Full converter)共用幾個 SCR？(A)2 個(B)4 個(C)6 個(D)8 個。 |
| C |  (B)  (C)Vm(D)
2Vm。
|
| D | 86. 功率級電晶體作開關之功率轉換器用，有關切換頻率之敘述下列何者正確？(A)切換頻率高時，則開關的切換 損失低(B)切換頻率高時，若性能一樣，則可增加濾波之電感值或電容(C)切換頻率低時，若性能一樣，則可減 少濾波之電感值或電容(D)切換頻率高時，則開關的切換損失高。 |
| A | 87. 功率級電晶體作開關之切換頻率為 20kHz，則其切換週期為(A)50μs(B)100μs(C)50ms(D)100ms。 |
| B | 88. 一般可將直流電轉換為可變電壓、可變頻率之交流電，此功率轉換器為(A)整流器(rectifier)(B)變頻器(inverter) (C)直流截波器(dc chopper)(D)可控整流器(controlled rectifier)。 |
| B | 89. 有關雙接面電晶體(BJT)作開關元件，下列敘述何者正確？(A)作開關使用，其工作於作用區(B)可用基極電流 控制此電晶體之導通與截止狀態(C)當此電晶體為飽和區操作時，其集-射極之電壓非常高(D)電晶體之半導通 接面不會儲存電荷。 |
| A |  (A)濾除輸出電壓漣波(B)提高輸出電壓(C)提高輸出電
34
流(D)減少輸出電壓。
|
| A |  (A)推挽式(push-pull)功率轉換器(B)全橋式(full-bridge)功率轉換器(C)半
橋式(half-bridge)功率轉換器(D)馳返式(fly-back)功率轉換器。
|
| A | 92. 功率轉換器使用脈波寬度調變的英文名詞縮寫為(A)PWM(B)PAM(C)PMW(D)PMA。 |
| C |  (A)只能降壓用(B)整流用(C)具有昇壓及降壓功能(D)具有交流電壓輸出。
|
| A | 94. 有關變頻器(inverter)之弦式脈波寬度調變(sinusoidal pulse-width modulation)，下列敘述何者正確？(A)減少輸出 電壓之低次諧波含量(B)增加輸出電壓之低次諧波含量(C)基本波為弦波命令與載波之方波作比較(D)基本波為 方波命令與載波之三角波作比較。 |
| D | 95. 降壓型直流截波器(buck dc chopper)的功率級電晶體開關導通的責任週期為 0.4；若此開關的切換頻率為 10kH z，則此功率級電晶體的每週期之導通時間為(A)100μs(B)60μs(C)50μs(D)40μs。 |
| D | 96. 昇壓型直流截波器(boost dc chopper)之功率級 MOSFET 的導通責任週期為 0.5，若輸入電壓 νi的平均值為 10 V，則輸出電壓 νo的平均值約為(A)5V(B)10V(C)15V(D)20V。 |
| B |  (A)全橋型(full-bridge)直流-直流功率轉換器(B)半橋型(half-bridge)直流-
直流功率轉換器(C)推挽型(push-pull)直流-直流功率轉換器(D)馳返型(fly-back)直流-直流功率轉換器。
|
| D | 98. 某三相全橋式二極體整流器其三相電源頻率為 60Hz，則二極體整流器的直流輸出電壓漣波頻率為(A)60Hz(B)1 20Hz(C)300Hz(D)360Hz。 |
| C | 99. 有關單相全橋式二極體整流器之直流鏈電容的敘述，下列何者正確？(A)直流鏈電容愈大，濾波效果差(B)直流 鏈電容愈大，單相輸入功因愈高(C)直流鏈電容愈大，濾波效果愈佳(D)直流鏈電容愈大，瞬時充電電流小。 |
| A |  |
| C |  |
| C |  |
| D |  |
| C |  |
| B |  (B)  (C)  (D)  。  |
| D |  |
| C |  (B)  (C)  (D)  。  |
| D |  |
| B | 9. 電晶體交換電路之開(Turn On)時間等於(A)延遲時間＋儲存時間(B)延遲時間＋上昇時間(C)延遲時間＋下降時間 (D)上昇時間＋儲存時間。 |
| C | 10. 偏壓電路在射極加上電阻時，下列何者為正確？(A)電壓增益 Av 加大，穩定性加大(B)電壓增益 Av 加大，穩定 性減少(C)電壓增益 Av 減少，穩定性增加(D)電壓增益 Av 減少，穩定性少。 |
| B | 11. 一放大器之電流增益為 4，電壓增益為 25，則總功率增益為多少？(A)10dB(B)20dB(C)30dB(D)40dB。 |
| D | 12. 關於達靈頓(Darlington)電路之敘述，下列何者正確？(A)輸出阻抗與電流增益皆甚高(B)輸出阻抗高，電壓增益 小於 1(C)輸出阻抗低，電流增益等於 1(D)輸入阻抗高，電流增益甚高。 |
| B |  (B)  (C)  (D)  。  |
| C |  |
| C |  |
| D |  |
| A | 17. 將輸入波形截去一部份而輸出其餘部份者是為(A)截波器(B)微分器(C)積分器(D)箝位器。 |
| B | 18. RLC 並聯電路中，當外加頻率大於其諧振頻率時，則該電路呈(A)電感性(B)電容性(C)電阻性(D)不一定。 |
| A |  |
| A | 20. 二極體不能作下列那一項用途？(A)放大(B)整流(C)檢波(D)截流。 |
| B | 21. JFET 正常工作時，加於閘源極之偏壓通常為(A)順向偏壓(B)逆向偏壓(C)零偏壓(D)視電路型態而定。 |
| B | 22. 某一共射極放大器之電壓增益為 20dB，其後串接一級射極隨耦器，則總電壓增益約為多少？(A)10dB(B)20dB (C)30dB(D)40dB。 |
| A | 23. 電壓增益＋6dB 相當於電壓放大為多少倍？(A)2 倍(B)3 倍(C)4 倍(D)6 倍。 |
| C |  (A)-4V(B)4V(C)-8V(D)8V。
|
| B |  |
| A | 26. 場效電晶體 FET 作放大器動作時，其工作點範圍應在(A)動作區(B)歐姆區(C)截止區(D)定電壓區。 |
| A |  |
| C |  (D)Im/  。 |
| A | 29. RCL 串聯電路中，VR=20V，VL及 VC皆為 40V 時，此串聯電路之總電壓為多少？(A)20V(B)40V(C)60V(D)100V。 |
| D | 30. 當無信號輸入時，下列那一功率放大器功率損失最小？(A)甲類(B)乙類(C)甲乙類(D)丙類。 |
| B | 31. 放大器中加入負回授電路可用來(A)提高增益(B)改善失真與頻率特性(C)增加效益(D)產生振盪。 |
| A |  |
| D |  (B)  (C)  (D)  。  |
| B | 34. (本題刪題)變壓器交連放大器中，當變壓器之鐵芯採用矽鋼片材質，其目的是為了減少(A)磁滯損(B)渦流損(C) 銅損(D)雜散損。 |
| C | 35. 功率放大器工作於非線性區會產生下列何種失真？(A)相位失真(B)頻率失真(C)振幅失真(D)交叉失真。 |
| C |  |
| B | 37. 單相橋式整流電路中，同一時間內有多少個二極體導通？(A)一個(B)二個(C)三個(D)四個。 |
| D | 38. 二個電晶體，β 值各為 β1、β2，接成達靈頓(Darlington)電路時總 β 值應為(A)β1-β2(B)β1+β2(C)β1/β2 (D)β1β2。 |
| B | 39. 當工作溫度升高時，6V 以下之齊納二極體之崩潰電壓將(A)升高(B)降低(C)不變(D)不一定。 |
| C | 40. 在單相橋式整流電路中，若整流二極體之逆向峰值電壓（PIV）為 283V 時，則其電源輸入最大電壓有效值為 (A)110V(B)141V(C)200V(D)283V。 |
| A |  |
| C |  |
| C |  |
| B | 44. 在各種交連電路中，下列何種之頻率響應最差？(A)RC 交連(B)變壓器交連(C)阻抗交連(D)直接交連。 |
| A | 45. 交換式電源供應器中，使用蕭特基二極體作為輸出端整流，主要原因是因其(A)快速(B)便宜(C)功率大(D)電流大。 |
| C | 46. 有關雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)兩種電晶體的比較，下列何者有誤？(A)BJT 是雙載子元件，而 F ET 是單載子元件(B)在積體電路製作上，BJT 較 FET 佔較大的空間(C)BJT 和 FET 都是電壓控制的電流源(D)FET 作為放大器產生的雜訊較 BJT 為低。 |
| D | 47. N 型半導體應該摻雜的元素，下列哪一個不是？(A)砷(As)(B)磷(P)(C)銻(Sb)(D)硼(B)。 |
| B | 48. 電壓調整器中，限流的主要目的為何？(A)避免調整器通過過多電流(B)避免負載通過過多電流(C)防止電源供應 器的變壓器燒毀(D)維持固定的輸出電壓。 |
| D | 49. 當二極體施加順向偏壓時下列何者是正確？(A)唯一產生的電流是電子流(B)唯一產生的電流是電洞流(C)唯一產 生的電流是由多數載子產生(D)電流是由電洞和電子共同產生。 |
| A | 50. 電晶體一旦進入飽和區，基極電流再增加會(A)使集極電流不再增加(B)使集極電流再增加(C)使集極電流減少(D) 關閉電晶體。 |
| C | 51. 一個達靈頓對的每個電晶體 βac都是 125，如果 RE是 560Ω，則輸入阻抗為(A)560Ω(B)70kΩ(C)8.75MΩ(D)140k Ω。 |
| C |  ，試求下圖中，當元件工作於定電流區的 VDD最小值為多少?(A)負 4V(B)4V(C)10.7V(D)1
3.7V。  |
| A |  時的集極電流為(A)2.25mA(B)4.5mA(C)9mA(D)13.5mA。
|
| B | 54. 一個具有下截止頻率為 1kHz 和上截止頻率 10kHz 的交流放大器，其頻寬為(A)1kHz(B)9kHz(C)10kHz(D)11kHz。 |
| D |  |
| A | 56. 電晶體作開關使用時應偏壓在(A)截止區和飽和區(B)截止區和作用區(C)飽和區(D)作用區和逆向區工作。 |
| B | 57. 以下對射極隨耦器的描述，何者為非？(A)輸入電阻很大(B)輸出電阻很大(C)電壓增益≒1(D)可作阻抗匹配。 |
| A | 58. 某放大器的輸入電阻為 10kΩ，負載電阻為 1kΩ，且電流增益為 50，則此放大器的電壓增益為(A)5(B)20(C)50 (D)500。 |
| B | 59. 某放大器的電壓增益為 100，電流增益為 1000，則此放大器之功率增益為(A)10dB(B)50dB(C)60dB(D)100dB。 |
| C | 60. 以下對電晶體達靈頓電路的描述，何者為非？(A)輸入電阻極大(B)輸出電阻極小(C)電壓增益很大(D)電流增益很 大。 |
| A | 61. 樞密特觸發電路，可將(A)三角波轉換為方波(B)方波轉換成弦波(C)弦波轉換成鋸齒波(D)方波轉換為三角波。 |
| B |  V。  |
| D |  (C)24V(D)24  。  |
| A | 64. 有關二極體的特性，下列敘述何者正確？(A)順向偏壓時，其順向電阻接近零(B)順向偏壓時，其順向電阻接近 無限大(C)逆向偏壓時，其逆向電阻接近零(D)二極體具有雙向電流導通的特性。 |
| D | 65. 某電晶體放大電路，輸入信號置於基極，其集極為輸出，而射極為輸入與輸出信號共用，此放大器電路為(A) 共基極放大電路(B)共閘極放大電路(C)共集極放大電路(D)共射極放大電路。 |
| A |  (B)  (C)  (D)  。  |
| D | 67. 某電阻為 10kΩ 及電容為 4μF 之串聯電路，其時間常數 TC為(A)25ms(B)10ms(C)20ms(D)40ms。 |
| C |  |
| A | 69. 若有兩級電壓放大器，其增益 AV皆為-10，若輸入信號 Vi=sin ωt mV，則輸出信號為(A)0.1sin ωtV(B)0.01sin ωt V(C)-0.1sin ωtV(D)-0.01sin ωtV。 |
| D |  (A)方波產生器(B)弦波產生器(C)三角波產生器(D)電壓最大值偵測器。
|
| A,B |  |
| B,C |  (A)二極體功能為整流(B)二極體可消除線圈上之反電勢(C)電晶體用途為
21
開關(D)電晶體用途為放大器。
|
| A,C,D | 73. 下列何者是金氧半場效應電晶體(MOSFET)的接腳名稱？(A)源極(source)(B)基極(base)(C)汲極(drain)(D)閘極(gate)。 |
| B,C,D | 74. 下列何者是雙極性接面電晶體(BJT)的接腳名稱？(A)閘極(gate)(B)基極(base)(C)射極(emitter)(D)集極(collector)。 |
| A,B,D | 75. 有關場效應電晶體(FET)，下列敘述何者正確？(A)傳導電流由多數載子負責(B)傳導電流大小由靜電場控制(C)載 子為電子者是為 P 通道(D)輸入阻抗一般較雙極性接面電晶體(BJT)高。 |
| A,B,D | 76. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)特性敘述，下列何者正確？(A)N 通道增強型之閘源極電壓(VGS)需大於臨界 電壓(VT)才能導通電流(B)閘源極電壓(VGS)為零時，增強型比起空乏型結構上少了通道(C)P 通道增強型之臨界電 壓(VT)正值(D)N 通道空乏型之夾止電壓(VP)為負值。 |
| A,B,C | 77. 有關理想運算放大器的敘述，下列何者正確？(A)電壓增益無窮大(B)輸入阻抗無窮大(C)輸出阻抗為零(D)頻帶寬 度很小。 |
| C,D | 78. 下列何者是理想運算放大器的特性？(A)共模拒斥比(CMRR)極小(B)輸入電流不等於零(C)特性不受溫度影響(D) 電壓增益無窮大。 |
| A,C |  (A)該電路為反相放大器(B)電路輸入阻抗 Zi 為 50kΩ(C)Vo/Vi=-5(D)Vo/Vi=5。
|
| A,B |  |
| B,C,D |  |
| A,C,D |  |
| A,B,C | 83. 下列有關肖特基二極體（Schotty diode）之敘述何者正確？(A)沒有空乏區(B)單載子元件(C)導通電壓低，約 0.3 V(D)切換速度慢，不適用 50kHz 以上。 |
| A,D | 84. (本題刪題)單相全波二極體橋式整流濾波電路，下列敘述何者正確？(A)每半週期有兩個二極體同時導通(B)濾 波電容愈大二極體導通時間愈長(C)其輸入端功率因數將比未濾波時高(D)在純電阻負載下，每個二極體導通時 間不可能超過 1/4 週期。 |
| B,D | 85. 有關二極體應用，下列敘述何者正確？(A)串聯使用可增加最大電流(B)並聯使用可增加最大電流(C)並聯使用可 增加最大逆向電壓(D)串聯使用可增加最大逆向電壓。 |
| A,B,C | 86. 有關接面二極體特性敘述，下列敘述何者正確？(A)PN 接面處形成空乏區(B)具有單向導通特性(C)逆向電壓下僅 有微量漏電流(D)順向導通電壓遠大於逆向崩潰電壓。 |
| C,D | 87. BJT 電晶體當開關使用時，下列敘述何者正確？(A)導通時在截止區(B)導通時在工作區(C)導通時在飽和區(D)截 止時在截止區。 |
| C | 1. 在須要作動態或快速測距之量測時，宜採用(A)紅外線測距儀(B)超音波測距儀(C)雷射測距儀(D)經緯測距儀。 |
| D | 2. 變流頻(Inverter)若藉輸出變壓器與負載隔離，則(A)變壓器之輸出功率將會增加(B)變壓器輸出功率將會降低(C) 變壓器之損失將會減少(D)變壓器之損失將會增加。 |
| A | 3. 並聯於閘流體之金屬氧化物變阻器(MOV)其作用為(A)暫態過電壓保護(B)暫態過電流保護(C)di/dt 抑制(D)dv/dt 抑 制。 |
| D | 4. 閘流體元件之過載保護應採用(A)電感器(B)電容器(C)積熱型電驛(D)快速熔絲。 |
| A | 5. 二極體單相橋式全波整流器之電源為 Vm Sin377t 伏，則平均輸出電壓 Vdc 為：(A)2Vm/π(B)Vm/π(C) √2Vm/π (D)Vm/ √2π。 |
| D | 6. 利用正弦波寬調變之三相變流器，若每半週輸出電壓之脈波數為 P，則輸出電壓之最低階諧波為(A)P 階(B)2P 階(C)(2P+1)階(D)(2P-1)階。 |
| C | 7. 調變指數(MI)大於 1 之波寬調變稱為(A)線性調變(B)雙曲線調變(C)過調變(D)指數調變。 |
| B | 8. 電解電容器在串聯使用時，通常並聯一個電阻，此電阻作用是(A)降低阻抗(B)平衡電容器之分壓(C)直流分路(D) 42 平衡相角。 |
| B | 9. 在電路中，若負載電阻等於其戴維寧等效電阻時，則在負載上所承受的功率為(A)最小(B)最大(C)零(D)不變。 |
| D | 10. 電磁相容性測試，基本上驗證產品量產上市前是否符合電磁相容規範，下列測試何者非為電磁相容性測試項 目？(A)傳導發射(conducted emission，CE)測試(B)輻射發射(radiated emission，RE)測試(C)傳導耐受性 (conducted s usceptibility，CS)測試(D)產品可靠度(products reliability)測試。 |
| D | 11. (本題刪題)在熔接作業、大電力開關及馬達轉動等場合，安裝微電子電路時，下列何種方法無法避免強電場 或強電磁場之干擾？(A)遠離該電磁環境後安裝(B)將全部的微電子電路隔離(C)將安裝電路的外框良好接地(D)在 微電子電路中的電源利用電感接地。 |
| B | 12. 偵測電路上發燙元件，使用下列何種方式最適當？(A)手指頭觸摸(B)紅外線攝影機拍攝(C)以鼻子聞(D)用眼睛看。 |
| B | 13. 電力電子電路佈線設計時，下列何者不是考量要點？(A)熱處理(B)美觀設計(C)雜訊(D)安全規格。 |
| C |  (A)波的週期時間為 4ms;電壓的峰對峰值為 4V(B)波的週期時間為 8ms;電壓的峰對
峰值為 8V(C)波的週期時間為 4ms;電壓的峰對峰值為 8V(D)波的週期時間為 8ms;電壓的峰對峰值為 4V。
|
| D | 15. 電路板上電容故障，其規格為 50V、470uF，若無完全相同電容可更換，替代電容以何者為宜？(A)50V、240u F(B)25V、1000uF(C)25V、660uF(D)100V、470uF。 |
| A | 16. 作業時為避免靜電損壞電子零件，最適當的方法是(A)戴靜電環(接地手環)(B)戴手套(C)穿無塵衣(D)噴灑電解液。 |
| B | 17. 檢查插座是否有電，應用(A)電表之歐姆檔測阻抗(B)電表之 ACV 檔測電壓(C)DCA 檔測電流(D)用瓦特表測是否 有功率。 |
| C | 18. 有關使用電氣延長線應注意事項，下列敘述何者正確？(A)延長線的插座不足時，得串聯或分接以增加使用方 便性(B)延長線附近可放置化學物品(C)延長線不得任意放置在通道上，以免絆倒人員(D)延長線附近可放置易燃 物質。 |
| A | 19. 有關電器插頭的使用，下列敘述何者正確？(A)電器插頭使用完畢，應先確定插頭已拔下(B)拔下電器插頭時， 可直接拉電線方式拔出(C)電器插頭不必插牢(D)電器插頭使用完畢，且暫不使用，不需將電器插頭拔下。 |
| D | 20. 有關電氣手工具之使用其安全考量，下列敘述何者正確？(A)電氣手工具不應接地(B)電氣手工具不需作絕緣(C) 電氣手工具越重越佳(D)電氣手工具應接地及保持絕緣。 |
| B | 21. 有關電氣設備之工作安全守則，下列敘述何者正確？(A)電氣機械運轉中，如發現有異味及運轉不順等現象時， 可繼續工作(B)拆除或安裝電氣開關之保險絲前，應先切斷電源(C)電氣保險絲熔斷後，可用鐵絲代替(D)在修理 電氣設備時，不需切斷電源。 |
| A,B,D | 22. 將指針型三用電表撥於歐姆(R)檔之 1k 或 10k 位置，測試發光二極體(LED)時，下列哪種現象其品質不良？(A) 順向電阻無限大、逆向電阻為零(B)順向與逆向電阻大致相等(C)順向電阻為低電阻、逆向電阻為高電阻(D)順向 電阻與逆向電阻皆無限大。 |
| A,B,C | 23. 電磁相容性(EMC )測試涵蓋下列哪項試驗方法？(A)傳導發射(CE)(B)輻射發射(RE)(C)傳導耐受性(CS)(D)產品安 規。 |
| A,C | 24. 電解電容器的兩條引出線，下列敘述何者正確？(A)較長的一端為正極(B)較長的一端為負極(C)較短的一端為負 極(D)與廠商之製作有關。 |
| A,B,D | 25. 電力電子轉換電路中，磁性元件是指利用磁能來達到下列哪項功能之電子元件？(A)隔離(B)儲能(C)散熱(D)濾波。 |
| B,C,D | 26. 關於國家標準，下列敘述何者正確？(A)JIS 係指英國國家標準(B)CNS 係指中華民國國家標準(C)DIN 係指德國國 家標準(D)ANSI 係指美國國家標準。 |
| A | 1. 下列何者較易受靜電破壞，取、拿時均須加裝接地手環(A)MOS(B)TTL(C)ECL(D)DTL。 |
| B | 2. 一電阻器色碼標示為藍灰金金其電阻為(A)68±5%Ω(B)6.8±5%Ω(C)6.8±2.5%Ω(D)0.68±5%Ω。 |
| B | 3. 下列電容器何者之高頻特性最佳？(A)電解電容器(B)陶瓷電容器(C)低質電容器(D)鉭質電容器。 |
| C |  (A)SCS(B)SCR(C)PUT(D)TRIAC。
|
| B | 5. 折斷線依 CNS 規定是(A)中線(B)不規則細線(C)粗線(D)虛線。 |
| C |  |
| D | 7. 電阻器其色碼依次為黃、紫、橙、銀四色，該電阻值應為(A)470Ω±5%(B)4.7kΩ±10%(C)4.7kΩ±5%(D)47kΩ±10%。 |
| A | 8. 依 CNS 規定，尺度線應使用下列何種線條繪製？(A)細實線(B)虛線(C)粗實線(D)中心線。 |
| B | 9. 視圖中斜面之真實狀表現在(A)仰視圖(B)俯視圖(C)剖面圖(D)展開圖。 |
| C |  (A)整流用(B)鉗位用(C)電感性負載時，回生電流之回路(D)dv/dt 之保護。
|
| C |  (A)Zener(B)SSS(C)Varistor(D)DIAC。
|
| D |  (A)SCR(B)GTO(C)UJT(D)TRIAC。
|
| B |  (A)SCR(B)GTO(C)DIAC(D)TRIAC。
|
| A | 14. (本題刪題)中華民國國家標準的縮寫符號為何？(A)CNS(B)DIN(C)ISO(D)JIS。 2 |
| B |  (A)SCR(B)UJT(C)MOSFET(D)PUT。
|
| D |  |
| A | 17. 依據中華民國國家標準(CNS)規定，下列何者不以實線來繪圖？(A)隱藏輪廓線(B)尺度線(C)指線(D)剖面線。 |
| A |  (A)N-MOSFET(B)P-MOSFET(C)N-IGBT(D)P-IGBT。
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| C | 19. 對於隔離式轉換器，各國安規於電路板佈線時均會要求初級及次級的距離，此乃基於何種考量？(A)散熱(B)效 率(C)絕緣(D)美觀。 |
| D |  (A)電容(B)電晶體(C)積體電路(D)排阻。
|
| D | 21. 日本工業標準的代號為(A)CNS(B)DIN(C)ANSI(D)JIS。 |
| B |  (A)可變電壓源(B)可變電阻器(C)可變電容器(D)可變電感器。
|
| B |  (A)SCR(B)IGBT(C)GTO(D)BJT。
|
| D |  (A)MOSFET(B)IGBT(C)GTO(D)BJT。
|
| A,B |  (D)  |
| B,C,D |   |
| C,D |   |
| A,B,C |  |
| C,D | 29. 元件佈線圖中佈線線路之折角應為幾度？(A)45(B)60(C)90(D)135。 |
| A,B | 30. 下列哪些敘述符合元件佈置繪圖規則？(A)元件佈線圖中之相鄰元件間距應大於 1mm(B)元件佈線圖中之元件 接腳長度應大於 2mm(C)繪圖可使用尺、規或徒手畫(D)元件佈置圖所繪元件應為實際外形尺寸，誤差 5mm。 |
| C | 1. 下列電晶體何者輸入阻抗最大？(A)BJT(B)JFET(C)MOSFET(D)UJT。 |
| A | 2. 電晶體當作線性放大時，需要工作在(A)作用區(B)飽和區(C)截止區(D)崩潰區。 |
| D | 3. 樞密特觸發電路(Schmitt Trigger Circuit)有下列何種功能﹖(A)可將方波轉變成鋸齒波(B)可將方波轉變成正弦波 (C)可將方波轉變成三角波(D)可將正弦波轉變成方波。 |
| B | 4. 常與高速閘流體配合的為下列何種二極體﹖(A)齊納二極體(B)快速二極體(C)DIAC(D)整流二極體。 |
| A | 5. TTL IC 的高輸入準位臨界值為(A)2.0V(B)2.4V(C)3.0V(D)1.6V。 |
| C | 6. 利用金氧半場效電晶體控制導通與否的閘流體稱為(A)SITH(B)RCT(C)MCT(D)GTO。 |
| C | 7. 下列何種元件導通可由信號控制而截止不可控制？(A)GTO(B)IGBT(C)SCR(D)SIT。 |
| A | 8. 具有電流雙向導通功能的元件是(A)TRIAC(B)GTO(C)MOSFET(D)MCT。 |
| C | 9. 兩只電容器的電容量與耐壓分別為 3μF/100V 與 6μF/100V，若將此二電容器串聯，則其所能耐受之最大電壓 為多少伏特？(A)100V(B)125V(C)150V(D)200V。 |
| B | 10. 面積為 A，板間距離為 d 之平板電容器，若將極板面積加倍，板間距離亦加倍，則其電容量為(A)原值之 1/2 倍(B)與原值相同(C)原值之 2 倍(D)原值之 4 倍。 |
| D | 11. 當電路 dv/dt 過大時，易使閘流體(A)提早截止(B)延遲導通(C)不受影響(D)打穿。 |
| C | 12. 下列功率元件，何者須加連續驅動信號才能持續導通？(A)GTO(B)TRIAC(C)IGBT(D)SCR。 |
| A | 13. 變阻器(Varistor)之電阻值係與(A)所加電壓呈反比(B)周圍溫度呈反比(C)所加電壓呈正比(D)周圍溫度呈正比。 |
| C | 14. (0.1μF+120Ω，250V)係下列何種元件的規格：(A)EMI 過濾器(B)突波吸收器(C)緩震器(Snubber)(D)變阻器。 |
| B | 15. 下列電容器中，何者之介電係數為最大？(A)電解電容(B)鉭質電容(C)膠質電容(D)金屬膜電容。 |
| D | 16. 下列何者不是轉速偵測用之感測器？(A)近接開關(B)霍耳元件(C)編碼器(D)應變計。 |
| D | 17. 在頻率超過 100MHz 以上之電路中，下列何者較不適合作為高頻電容器使用？(A)陶質電容器(B)雲母電容器(C) 聚苯乙烯電容器(D)鉭質電容器。 |
| A | 18. MOSFET 由於輸入阻抗高，受靜電打穿其絕緣層(SiO2)之可能性比 JFET 來得(A)大(B)小(C)相等(D)不一定。 |
| B | 19. 在交換式定電壓電源電路中，通常以下列何者來抑制湧入電流較理想？(A)電容器(B)電感器(C)功率熱阻器(D)固 態繼電器。 |
| D | 20. 高於 10pF 以上之電容器通常以英文字母代表容許誤差，英文字母 K 的容許誤差為多少？(A)±1％(B)±2％(C)±5 ％(D)±10％。 |
| A | 21. 下列何種電容器較適合用於溫度補償？(A)低介電係數陶瓷電容(B)鉭質電容器(C)電解電容器(D)紙質電容器。 |
| D | 22. 下列何種突波吸收零件是隨外加電壓而電阻值會變化之具有電壓依存性的電阻器，且當電壓超過其額定值 時，電阻值會急速下降？(A)以 C"(電容)"、R"(電阻)"作成的吸收器(B)以 C"(電容)"、R"(電阻)"、D"(二極體)"作 成的箝位電路(C)以矽 PN 接合之零件(D)變阻器。 4 |
| A | 23. (本題刪題)下列何種繼電器在繼電器之線圈通電接點動作後，切斷電流卻仍能保持接點狀態？(A)閂鎖繼電器 (B)SSR(C)磁簧繼電器(Reed Relay)(D)小型功率繼電器。 |
| C | 24. 下列何種材質之鐵心較適用於高頻的交換式電源中？(A)方向性矽鋼片(B)無方向矽鋼片(C)鐵氧體(Ferrite)(D)高 導磁合金(Permalloy)。 |
| B | 25. 下列何種觸發元件雙向皆可導通，亦即不論外加電壓的極性，只要外加電壓大於觸發電壓 就導通，一旦導 通後，除了外加電壓降為零，才能回復不導通狀況，且常與 TRIAC 組成相位控制電路？(A)Schottky Diode(B)DI AC(C)Tunnel Diode(D)UJT。 |
| C | 26. 下列何種元件其內電阻會隨光照強度不同而改變，且通常內阻與光照強度呈反比？(A)LED(B)LCD(C)光敏電阻 器(CdS)(D)光電晶體。 |
| A | 27. 下列何種元件較不適合作為閘流體觸發振盪電路？(A)Zener Diode(B)PUT(C)UJT(D)SCS。 |
| D | 28. 由三價金屬導體與 N 型半導體構成之二極體具有交換時間快與低雜訊的優點，除應用於高頻電路外，也被應 用在低電壓／大電流的電源供給器及交流／直流轉換器電路中之二極體為(A)透納二極體(Tunnel Diode)(B)變容 二極體(Varactor)(C)齊納二極體(Zener Diode)(D)肖特基二極體(Schottky Diode)。 |
| B | 29. 因閃電、電源故障或電感性負載切換時會在電源電壓上造成瞬間急降波、突波或其他暫態現象所造成裝置無 法正常工作，通常以動作如二個背對背的齊納二極體(Zener Diode)來作過電壓保護之二極體元件為(A)變容二極 體(Varactor)(B)變阻二極體(Varistor)(C)透納二極體(Tunnel Diode)(D)PIN 二極體。 |
| C | 30. EMI 對策通常是由 L 和 C 組成的(A)高通濾波器(B)帶通濾波器(C)低通濾波器(D)箝位器。 |
| B | 31. 加於 SCR 閘極之觸發脈波信號愈寬，則閘、陰極接合面所生之熱量將(A)不變(B)增加(C)減少(D)無關於觸發信號 時間。 |
| D | 32. 下列何者可直接作為交流電壓控制器元件，以控制交流功率？(A)FET(B)UJT(C)PUT(D)TRIAC。 |
| C | 33. 用 UJT 作為脈波產生器元件時，必須令其工作在那一區？(A)飽和區(B)截止區(C)負電阻區(D)正電阻區。 |
| B | 34. 下列何種元件不具有負電阻區特性？(A)DIAC(B)FET(C)PUT(D)UJT。 |
| D | 35. 有關 GTO 之敘述，下列何者錯誤？(A)可由閘極信號控制其導通或截止(B)觸發電流較 SCR 大(C)閘極加一負電 壓可令 GTO 截止(D)閘極加一負電壓可令 GTO 導通。 |
| A | 36. 關於金屬皮膜電阻之敘述，下列何者錯誤？(A)精密度較差(B)體積較小(C)雜音較小(D)穩定性較高。 |
| C | 37. 變壓器之渦流損失與矽鋼片之厚度成(A)正比(B)反比(C)平方正比(D)平方反比。 |
| D | 38. 下列各功率元件截止時，何者不具雙向耐壓特性？(A)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)(B)閘極截止閘流體(GTO)(C)矽 控整流器(SCR)(D)金氧半場效電晶體(MOSFET)。 |
| A | 39. 有關電力電子所使用變壓器的敘述，下列何者有誤？(A)變壓器是輸入交流電壓，輸出直流電壓(B)輸入交流電 壓，經變壓器升降壓後，經由整流器，輸出直流電壓(C)變壓器主要由兩個繞組和這兩個繞組的共同磁路構成 (D)將交流電壓變換為同頻率不同電壓之非旋轉式電機。 |
| A | 40. 有關二極體的敘述，下列何者有誤？(A)透納二極體具有正電阻的特性(B)蕭特基(Schottky)二極體主要應用於高 頻和高速電路中(C)變容二極體之電容大小係由外加電壓大小控制(D)發光二極體，當它流過電流足夠大時，對 外發出可見光或不可見光。 |
| C | 41. 下列有關蕭特基二極體(Schottky diode)之敘述，何者不正確？(A)單載子元件(B)切換速度快，適用 50kHz 以上(C) 耐反向偏壓，可高達 1kV(D)導通電壓低，約 0.3V。 |
| D | 42. 測量電感值可使用下列何種儀器？(A)電壓表(B)示波器(C)電源供應器(D)LCR 表。 |
| C | 43. 16 腳 DIP 封裝之 IC 每邊有幾隻腳？(A)2(B)4(C)8(D)16。 |
| A | 44. 下列何者不是 MOSFET 的腳位名稱？(A)射極(emitter)(B)閘極(gate)(C)汲極(drain)(D)源極(source)。 |
| A | 45. 若有一個五色電阻器的色碼排列是紅棕棕紅棕，則其電阻值為多少？(A)21.1kΩ 誤差 1%(B)21.1kΩ 誤差 5%(C)2 1120Ω 誤差 1%(D)21120Ω 誤差 0.1%。 |
| B | 46. 電阻的功率在 2W 以上時(含 2W)，在作零件安裝時，下列何者敘述正確？(A)可貼平在 PCB 板上(B)須與 PCB 板有約 5mm 的高度(C)依 PCB 板的材質決定(D)依電阻材質決定。 |
| C |  (B)  (C)  (D)  。
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| D | 48. 下列元件何者不適用於高頻？(A)透納二極體(Tunnel diode)(B)蕭特基二極體(Schottky diode)(C)變容二極體(Varact 5 or diode)(D)齊納二極體(Zener diode)。 |
| B | 49. 以下哪一種電容的高頻特性最好?(A)電解電容(B)陶瓷電容(C)鉭質電容(D)紙質電容。 |
| B | 50. 如欲同時使用多個等值之電阻時，應採用以下何者較佳?(A)色碼電阻器(B)排阻(C)金屬膜電阻器(D)碳膜電阻。 |
| A | 51. 以下何種電阻器可耐高溫並能通過大電流？(A)水泥電阻(B)碳膜電阻(C)金屬膜電阻(D)排阻。 |
| D | 52. 電容 103K 代表其電容值為(A)10μF(B)1μF(C)0.1μF(D)0.01μF。 |
| B | 53. 若某電阻器標示為 2.5Ω，10W，則其耐電流為多少？(A)1A(B)2A(C)3A(D)4A。 |
| C | 54. 某電容器的間接標示法為 104M，此電容的誤差為多少？(A)±5%(B)±10%(C)±20%(D)±30%。 |
| A | 55. 編號 1N4001 表示何種電路元件?(A)二極體(B)電阻器(C)電容器(D)電晶體。 |
| A | 56. kW-H(千瓦-小時)表示何種單位?(A)電度(電能)(B)功率(C)電壓(D)電流。 |
| B | 57. 示波器中 TIME/DIV 之旋鈕，可作為調整波形之(A)亮度(B)寬度(C)高度(D)線條粗細。 |
| A | 58. TTL 之積體電路一般使用電壓為(A)5V(B)10V(C)12V(D)15V。 |
| B | 59. 有關發光二極體(LED)的使用，下列敘述何者正確?(A)順向偏壓時 LED 不會發光(B)順向偏壓時 LED 會發光(C)逆 向偏壓時 LED 會發光(D)LED 在使用時可用並聯電阻作限流用。 |
| A | 60. 有關有極性之電解質電容器的使用，下列敘述何者正確?(A)正負極不得反接(B)正負極可以反接(C)使用時與耐壓 無關(D)電容器標示 WV 表示工作電流之意。 |
| B,C | 61. 下列哪些材質的電容較適合應用於高頻(1MHz 以上)濾波電路？(A)電解電容(B)陶瓷電容(C)雲母電容(D)鉭質電 容。 |
| A,B,C | 62. 下列哪些物質為國際(Restriction of Hazardous Substances, RoHS)環保標準所禁用的有害物質？(A)鉛與鎘(B)汞與 六價鉻(C)多溴二苯醚與多溴聯苯(D)磷與銻。 |
| A,B | 63. 下列哪些功率開關為電壓控制元件？(A)MOSFET(B)IGBT(C)IGCT(D)GTO。 |
| A,B,C | 64. 下列哪些因素會影響 MOSFET 的切換損失？(A)切換頻率(B)汲源極電壓(C)導通電流(D)導通責任週期。 |
| A,B,C | 65. 下列哪些因素會影響電容器的漣波電壓？(A)電容量(B)電流交流成分(C)等效串聯電阻(D)電容器耐壓。 |
| A,B | 66. 一般電壓控制型閘極驅動器的功能為？(A)提高驅動電壓(B)提高瞬時驅動電流(C)提高切換頻率(D)功率開關過溫 保護。 |
| A,B | 67. 下列哪些選項為高頻鐵氧體磁芯(ferrite core)的優點？(A)低鐵芯損失(B)高導磁率(C)低飽和磁通值(D)材質易碎。 |