| A,B,C | 101.下列有關二極體特性之描述，下列何者正確？(A)稽納二極體摻雜濃度高於一般二極體(B)稽納二極體工作於 逆向偏壓，具有穩壓作用(C)稽納二極體在順向偏壓時，具有整流作用(D)二極體內的過渡電容（Transitioncap acitance），電容量隨逆向偏壓增加而增加。 |
| A,B,D | 102.兩個共射極放大器構成 RC 耦合串級放大電路，下列敘述何者正確？(A)第一級直流工作點的變化不會影響到 第二級的直流工作點(B)高頻的電壓增益受到極際電容的影響而降低(C)第一級直流工作點的變化會影響到第 二級的交流電壓增益(D)低頻的電壓增益受到耦合電容的影響而降低。 |
| A,B,C |  (A)該電路為 RC 耦合電路，容易隔離兩級間直流電壓的相互干擾(B)
R1、R1為偏壓電阻，提供電晶體偏壓(C)CE2為旁路電容，可提高電壓增益(D)RE1及 RE2為正回授電阻，可穩定
直流偏壓，不受溫度變化影響。
|
| A,C,D | 104.下列哪些型振盪器之輸出電壓為正弦波？(A)RC 相移振盪器(B)電晶體組成不穩態多諧振盪器(C)Wienbridge 振 盪器(D)Colpitts 振盪器。 |
| A,B,D | 105.電阻器在下列哪些情況會過熱而燒毀？(A)0.5k-1W 電阻器流過 50mA(B)3W 電阻器流過 0.3A 與兩端電壓為 13 V(C)2k-1/2W 電阻器兩端電壓為 20V(D)1-3.5W 電阻器流過 2A。 |
| B,C |  (A)390(B)270(C)200(D)100。
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| A,C,D | 107.下列哪些元件具有正電阻的特性？(A)稽納二極體(B)隧道(透納)二極體(C)變容二極體(D)場效應電晶體。 |
| A,D | 108.理想的電壓運算放大器(OPA)的敘述，下列何者正確？(A)輸入阻抗=無限大；輸出阻抗=0(B)輸入阻抗=0；輸 出阻抗=無限大(C)輸入阻抗=無限大；輸出阻抗=無限大(D)頻帶寬度=無限大；輸出增益=無限大。 |
| A,B,C | 109.關於電子電路回授的敘述，下列何者正確？(A)正回授常用來產生震盪(B)負回授會降低電路之電壓增益(C)回 授是指將放大器的輸出訊號取出一部分或全部分，重新送回輸入電路(D)負回授可以穩定電路，但是容易使 輸出波形失真。 |
| B,D | 110.已知交流電壓 v(t)=5sin(60t+30°)V，下列敘述何者正確？(A)有效值為 5V(B)最大值為 5V(C)頻率為 60Hz(D)相角 為 30°。 |
| B,C,D |  (A)150Ω(B)220Ω(C)270Ω(D)300Ω。
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| B,C |  (A)最小 2.7V(B)最小 3.3.V(C)最大 18.3V(D)最大 21V。
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| A,B | 113.BJT 電晶體各種組態中，下列哪幾項屬於 CC 組態的特徵？(A)電流增益最高(B)輸入阻抗最高(C)電壓增益最高 (D)輸出阻抗最高。 |
| A,B |  (A)D1、D4 順向偏壓時，D2、D3 逆向偏壓(B)D2、D3 順向偏壓
時，D1、D4 逆向偏壓(C)D1、D2 順向偏壓時，D3、D4 逆向偏壓(D)D3、D4 順向偏壓時，D1、D2 逆向偏壓。
|
| A,B,D | 115.場效電晶體(FET)包含哪些應用？(A)壓變電阻(B)電阻負載(C)負電阻(D)記憶裝置。 |
| A,D |  (A)Vo(t)的頻率為 60Hz(B)Vo(t)的有
效值為 63.6V(C)Vo(t)的平均值為 100V(D)二極體的 PIV 值為 200V。
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| B,D | 117.理想運算放大器的特性，下列敘述何者正確？(A)輸出阻抗為無限大(B)差動輸入時，共模拒斥比(CMRR)無限 大(C)輸入阻抗為零，即輸入電流 Ii＝0(D)頻帶寬度無限大。 |
| B,C |  (A)IB=28.38μA(B)IC=1.86mA(C)VCE=11.26V(D)
VBC=10.56V。
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| D | 1.N 型半導體中，有較多的自由電子，因此其帶電性為(A)帶有正電(B)帶有負電(C)偶而帶電(D)電中性。 |
| C | 2.有一共集極電晶體放大電路之負載電阻 RL ＝1KΩ，且電流增益 hfe(或 β 值)為 100，假設電晶體的 hie 可忽 略不計，則此放大電路輸入阻抗為(A)10KΩ(B)11KΩ(C)101KΩ(D)1MΩ。 |
| B | 3.欲使 P 通道增強型 MOSFET 導通，其閘極偏壓Vgs 應加(A)正電壓(B)負電壓(C)正、負電壓均可(D)零電壓。 |
| A | 4.一般放大器之頻率響應曲線，在截止頻率處之電壓增益為最大電壓增益之(A)0.707(B)0.632(C)0.5(D)0.25 倍。 |
| B | 5.在三級 RC 相移振盪器中，其電路增益Ａ必須(A)小於 29(B)大於 29(C)等於 0(D)近似於無限大。 |
| D | 6.一個理想運算放大器共模訊號之拒斥能力以 CMRR 來表示，一般為(A)小於 1(B)等於 0(C)近似於 1(D)近似於無 限大。 |
| B |  (A)-2V(B)-1.5V(C)1.5V(D)2V。
|
| B | 8.全波整流電路中，輸出電壓的平均值為峰值的幾倍(A)1/π(B)2/π(C)3/π(D)4/π。 |
| D | 9.一個理想的互導放大器，其輸入阻抗 Ri 與輸出阻抗 Ro 應為(A)Ri＝∞，Ro＝0(B)Ri＝0，Ro＝∞(C)Ri＝0，Ro ＝0(D)Ri＝∞，Ro＝∞。 |
| C | 10.某電台所發射的電波頻率為 1500 仟赫，其電波的波長為(A)2 公尺(B)20 公尺(C)200 公尺(D)2 公里。 |
| B | 11.共射極電晶體電路中，射極電流為 5mA，基極電流為 0.1mA，則其電流增益為(A)39(B)49(C)59(D)69。 |
| B | 12.巴克豪生振盪準則(BarkhausenCriterion)是(A)βＡ＜1∠0°(B)βＡ＝1∠0°(C)βＡ＝1∠180°(D)βＡ＜1∠90°。 |
| A | 13.放大器中加入負回授之主要目的是(A)增加穩定度(B)提高增益(C)產生振盪(D)增加功率。 |
| D | 14.一個理想電壓放大器，其輸入電流 Ii 及輸入阻抗 Ri 分別為(A)Ii＝∞，Ri＝0(B)Ii＝0，Ri＝0(C)Ii＝∞，Ri＝∞ (D)Ii＝0，Ri＝∞。 |
| C |  (A)1KΩ(B)10KΩ(C)52KΩ
(D)104KΩ。
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| C | 16.在 CE 放大器上使用的射極旁路電容器，其作用是(A)阻止直流電壓通過射極電阻(B)濾波(C)使電壓增益不致因 射極電阻而大為降低(D)抑制振盪。 |
| D | 17.電晶體的 Ico 為 10nA，而其 Iceo 為 1μA 由此可估計此電晶體的 β 約為(A)1(B)10(C)50(D)100。 |
| A | 18.飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢，其主要原因為前者(A)儲存時間較長(B)上昇時間較長(C) 下降時間較長(D)延遲時間較長。 |
| A |  (A)1.5V≦Vo≦3V(B)3V≦Vo≦6V(C)-3V≦Vo≦-1.5V(D)-6V≦Vo≦-3V。
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| A |  (A)βRc(B)Rc(C)2βRc(D)Rc/β。
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| C | 21.就達靈頓對(Darlington-Pair)而言(A)輸出阻抗低，電流增益小於 1(B)輸出阻抗低，電流增益等於 1(C)輸出阻抗 低，電流增益甚高(D)輸出阻抗及電流增益皆甚高。 |
| C |  |
| D | 23.電晶體 CE 放大之混合參數(h 參數)等效之輸入電壓可等於：(A)V ＝hoeI ＋hoeV (B)V ＝hieI ＋hoeV (C)V ＝hoeI ＋hreV (D)V ＝hieI ＋hreV 。 |
| A |  ，則 Z 及 Z 分別為：   |
| A | 25.當共射極放大器之集極電流增大時，其集極功率損耗(A)視工作點的位置決定增加或減少(B)必然隨之增加(C) 必然隨之減少(D)必將導致熱跑脫。 |
| B | 26.有一電晶體 β＝100，測得基極電流 IB ＝0.4mA，集極電流 IC ＝4mA，則此電晶體工作於何區(A)工作區(B)飽 和區(C)截止區(D)電阻區。 |
| B | 27.靴帶式(Bootstrap)射極隨耦器的主要特點為(A)輸出阻抗極高(B)輸入阻抗極高(C)電壓增益極高(D)輸入阻抗極 低。 |
| C |    |
| A |  |
| A | 30.電晶體放大電路中，下列何者是影響放大器高頻響應的主因(A)電晶體的極際電容(B)耦合電容(C)射極傍路電 容(D)反耦合電容。 |
| D | 31.產生 B 類推挽放大器交叉失真的原因為(A)輸入信號過大(B)阻抗不匹配(C)功率放大倍數過大(D)電晶體 B-E 偏 壓過低。 |
| B | 32.在工作中之功率電晶體，若已知其接合面溫度 Tj=120℃，週圍溫度 Ta=20℃，接合面消耗功率 Pd=40W，則 其熱阻 θja 為(A)2℃/W(B)2.5℃/W(C)3.5℃/W(D)4℃/W。 |
| A | 33.輸入信號為 5Sin10t+6Sin20t，而輸出信號為 20Sin10t+18Sin20t，則此放大器具有下列何種失真﹖(A)頻率失真 (B)非線性失真(C)波幅失真(D)互調失真。 |
| C | 34.下列何者不會影響放大器的低頻響應？(A)輸入端的交連電容(B)輸出端的交連電容(C)電晶體電極間的極際電 容(D)射極旁路電容。 |
| D | 35.放大器在其高頻或低頻截止頻率時的功率增益，為其中頻段功率增益的若干倍？(A) (B)2(C)1/ (D)1/2。 |
| B | 36.FET 的 是在下列何種條件下所測得的VDS ﹖(A)IDS =0V(B) VGS=0V(C)VGG =0V(D) VDD=0V。 |
| D | 37.某一放大器其頻帶寬為 20KHz，若加上負回授使其雜訊衰減了 10 倍，則此放大器的頻寬變為多少？(A)40K Hz(B)100KHz(C)120KHz(D)200KHz。 |
| A | 38.電流串聯負回授，會使電路的輸入阻抗 Ri、及輸出阻抗 Ro 產生何種變化？(A)Ri 增加、Ro 增加(B)Ri 增加、 Ro 減低(C)Ri 減低、Ro 增加(D)Ri 減低、Ro 減低。 |
| B |  (A)電壓串聯負回授電路(B)電壓並聯負回授電路(C)電流串聯負回授電路
(D)電流並聯負回授電路。
|
| C | 40.下列何者較適合做互導放大器？(A)電壓串聯負回授電路(B)電壓並聯負回授電路(C)電流串聯負回授電路(D)電 流並聯負回授電路。 |
| C |  (A)1/(2πRC)(B)1/(2π(√3 )RC)(C)1/(2π(√6 )RC)(D)1/(2π(√10 )RC)。
|
| D | 42.有關維恩電橋振盪器之敘述，下列何者不正確﹖(A)正回授量 β=1/3(B)同時具有正、負回授(C)屬於 RC 振盪電 路的一種(D)其負回授是經由電抗臂完成。 |
| B | 43.石英晶體振盪器較 LC 振盪器之優點為何﹖(A)振盪頻率範圍較廣(B)振盪頻率較穩定(C)振盪頻率較於調整(D) 振盪器信號的振幅較大。 |
| A | 44.採用電容分壓方式來做正回授的是下列何種振盪器﹖(A)考畢子振盪器(B)哈特萊振盪器(C)阿姆斯壯振盪器(D) 負電阻振盪器。 |
| C |  (A)0.5V
(B)2.5V(C)4.5V(D)6.5V。
|
| D |  (A)Rc＜βRb(B)Rc＞Rb(C)βRc＜
Rb(D)βRc＞Rb。
|
| D |  (A)為一無穩態多諧振盪器(B)振盪週期 T=0.7(Ra+2Rb)C(C)Vo 為高電位的時間 th=0.7(Ra+Rb)C(D)Vo 為低電位的時間 tl=0.7RaC。
|
| C |  (A)5KΩ(B)10KΩ(C)15KΩ(D)20KΩ。
|
| B |  (A)β=hie，βre'=hfe(B)β=hfe，βre'=hie(C)β=hie，re'=hfe(D)β=hfe，re'=hie。
|
| D |  (A)0(B)1(C)Rc/Rb(D)1+β。
|
| A | 51.一個二極體的直流工作電流為 Id，則在常溫下，此二極體對交流小信號而言所呈現的交流動態電阻 r 約為 (A)25mv/Id(B)25mv×Id(C)Id/25mv(D)25mv(Id+1)。 |
| A | 52.在光電效應中，欲增加所放射出光電子的動能，則需增大下列何種因素？(A)入射光的頻率(B)入射光的強度 (C)光電作用的表面積(D)光電材料的功函數。 |
| B |  (A)±1V(B)±4V(C)±9V(D)±12
V。
|
| D |  (A)-8V(B)-4V(C)4V(D)8V。
|
| B |   (R3+R4)(C1+C2)。
|
| C |  (A)Vout=Vin+Vz-Vbe(B)Vout=Vbe(1+R1/R2)(C)Vout=Vz(1+R1/R2)(D)Vout=(Vz+Vbe)(1+R1/R2)。
|
| A |  (A)fout=fin．
N(B)fout=fin/N(C)fout=fin(D)fout=2(fin)N。
|
| D |  (A)5mA(B)10mA(C)15mA(D)20mA。
|
| D | 59.超外差接收機的頻率選擇性，主要是由接收機中的哪一個電路來決定？(A)射頻放大器(B)本地振盪器(C)變頻 電路(D)中頻放大器。 |
| B |  (A)其低頻截止頻率 fL=1/(2πRC)(B)其高頻截止
頻率 fH=1/(2πRC)(C)其高頻截止頻率 fH=1/(2π  )(D)其低頻截止頻率 fL=1/(2π  )。
|
| B |  ，二極體(D)之 V-i 特性曲線為  時，如下圖所示之電路
的 V-i 特性曲線為   |
| B |  (A)補償 Ico 的變化(B)補償 Vbe 的變化(C)保護電晶體(D)整流用。
|
| D |  (A)RE 開路時電晶體截止(B)RE 開路時 VC=VCC(C)R2 短路時，VE =0V(D)
R1 開路時，VC=0V。
|
| C | 64.電晶體放大電路中會影響低頻響應的電容器，下列何者為正確？(A)交連電容(B)傍路電容(C)交連與傍路電容 (D)雜散電容。 |
| A |  (A)對數放大器(B)指數放大器(C)均值檢出器(D)峰值檢出器。
|
| B |  (A)Rin→∞，Rout→∞(B)Rin→∞，Rout→０(C)Rin
→０，Rout→∞(D)Rin→０，Rout→０。
|
| C |  (A)500KHz(B)400KHz(C)125K
Hz(D)100KHz。
|
| C | 68.下列何項不是振盪所必要的條件(A)必須是正回授(B)回授因數 βA 必須為≧1(C)必須有電感器(D)必須有維持 振盪的足夠能量。 |
| D | 69.下列何者不是負回授的優點？(A)降低諧波失真(B)增進放大器穩定度(C)減少相位失真(D)較佳的低輸入阻抗。 |
| A |  (A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)峰值檢出器(D)對數電路。
|
| C | 71.輸送線之入射波振幅為 25V，反射波振幅為 5V，其駐波比(VSWR)為(A)5(B)1/5(C)3/2(D)2/3。 |
| C | 72.有一放大電路，其輸入阻抗為 100KΩ，輸出阻抗為 1KΩ，當輸入 2mV 信號而輸出為 2V 的狀況下，則此放 大電路的功率增益為(A)30dB(B)58dB(C)80dB(D)100dB。 |
| B | 73.半導體在-273℃(即絕對溫度 0°K)時，其特性為(A)純導體(B)絕緣體(C)負電阻性(D)正電阻性。 |
| D | 74.目前台灣的有線電視，其鎖碼台的解碼器實係一種(A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)解調制器(D)陷波器。 |
| B | 75.若積分電路中，T 為信號周期，TS 為電路中之時間常數，若欲得到較佳之積分特性則(A)TS ＞＞T(B)TS ＜＜T (C)TS =T(D)兩者無關。 |
| B | 76.已知一電晶體 β=10，則 α 為(A)0.95(B)0.909(C)0.99(D)1.1。 |
| C | 77.FET 在低的VDS 時，可視為(A)定電流器(B)定電壓器(C)電阻(D)電感器。 |
| A | 78.一個 80W 的電晶體（在 25℃下的額定），其衰減因素為 0.5W/℃，則在 125℃溫度下，其最大功率消耗值為 (A)30W(B)40W(C)50W(D)60W。 |
| C |  (A)截止(B)飽和(C)工作(D)不動作。
|
| D |  (A)2V(B)4V(C)8V(D)12V。
|
| A | 81.電壓增益+6dB，相當於電壓放大(A)2 倍(B)3 倍(C)4 倍(D)6 倍。 |
| B | 82.某放大器增益為 40，若加上負回授電路，回授量是輸入信號的 10%，則其總增益為(A)4(B)8(C)12(D)24。 |
| D |  (A)落後 90°(B)領先 90°(C)落後 45°(D)領先 45°。
|
| A | 84.在史密特觸發電路中，若加入一規則的三角波之觸發信號（如正弦波），則其輸出波形為(A)方波(B)正弦波 (C)不規則矩形波(D)鋸齒波。 |
| B |  (A)1A(B)2A(C)3A(D)4A。
|
| D | 86.若 5KΩ、5W 與 5KΩ、2W 之兩個電阻器相串聯，則其等值電阻與瓦特數各為(A)5KΩ、7W(B)10KΩ、7W(C)10KΩ、6W(D)10KΩ、4W。 |
| D |  （圖中電阻的單位均為 Ω）(A)1V(B)1.2V(C)1.5V(D)2V。
|
| A |  (A)+6V(B)-6V(C)+12V(D)-12V。
|
| D |  (A)100
Ω(B)250Ω(C)500Ω(D)1000Ω。
|
| B |  (A)0V(B)+5V(C)-5V(D)+10V。
|
| B | 91.若某電路的頻率轉移函數 H(f)呈-20dB/decade 衰減，是表示其轉換增益隨頻率每增加 10 倍，其增益下降為原 來的(A)0.01(B)0.1(C)10(D)100。 |
| C | 92.具有線性相位響應的主動濾波器電路為(A)巴特沃斯(Butterworth)濾波器(B)契比謝夫(Chebyshev)濾波器(C)貝索 (Bessel)濾波器(D)匹配(Matching)濾波器。 |
| D |  (A)0.5mA(B)1mA(C)0.5A(D)1A。
|
| B | 94.某電壓調節電路，當空載(I =0)時，輸出 V 為 10V，當滿載(I =100mA)時，輸出 V 為 9.5V，則其負載調 整率為多少？(A)+5%(B)+5.26%(C)-5%(D)-5.26%。 |
| D |  (A)0.1pF(B)1pF(C)10pF(D)100pF。
|
| B |  (A)2.1mA(B)3.1mA(C)4.1mA(D)5.1mA。
|
| C | 97.關於熱阻(thermalresistance)愈大的電晶體，下列敘述何者正確？(A)接合面的溫度愈低(B)容許外殼溫度愈高(C) 接合面與外殼溫差愈大(D)集極容許消耗功率愈大。 |
| D | 98.設差動放大器的共模增益 AC 為 0.01，差模增益 AD 為 100，則此差動放大器的共模拒斥比 CMRR 應為若干？ (A)+10dB(B)+20dB(C)+40dB(D)+80dB。 |
| C |  (A)異型 PNP 靈頓對(B)同型 PNP 靈頓對(C)異型 NPN 靈頓對
(D)同型 NPN 靈頓對。
|
| A | 100.某甲類功率放大器，以變壓器耦合輸出到負載時，若 VCC=20V，NP :NS =5，喇叭阻抗為 8Ω，則最大理想輸 出功率為？(A)0.25W(B)0.5W(C)0.75W(D)1W。 |
| C | 1. 對於 Bit-slicedMicroprocessor（以位元配置微處理機）所組成之 CPU，下列敘述何者為誤？(A)此 CPU 的字元長 度(Wordlength)可以調整改變(B)其指令集可用微指令來定義(C)一般皆以 8 個位元形成模組形式(D)可用來模擬 某 CPU。 |
| D | 2. 下列關於記憶體的敘述何者為誤？(A)PROM 為唯讀記憶體的一種(B)通常 SRAM（靜態隨機存取記憶體）比 D RAM 快(C)磁帶、磁碟與磁鼓等都屬於輔助記憶體，其成本較低，但存取速度較慢(D)快取記憶體(CacheMemor y)為一成本較高，速度較快之記憶體，因此必須使用 DRAM（動態隨機存取記憶體）。 |
| D | 3. 若以 256K×1 之 DRAM 組成 512K×16 之記憶容量區，則需幾個同型 IC？(A)8(B)16(C)24(D)32。 |
| C | 4. 以下何種 CPU 使用管線式(Pipeline)的設計(A)Z-80(B)8039(C)8088(D)8085。 |
| D | 5. 多人使用的電腦系統(Multi-userComputersystem)不可或缺的條件是(A)高速記憶體(B)記憶體保護(C)多重微處理 機(D)同時多工(Multitasking)。 |
| A | 6. 作業系統軟體中，核心(Kernel)部分最好以哪種語言來寫最具效率？(A)組合語言(B)PASCAL 語言(C)BASIC 語言 (D)FORTRAN 語言。 |
| D | 7. 在微處理機執行完加法(ADD)指令後，不會影響哪一旗標(A)Zero(B)Carry(C)Overflow(D)Interrupt。 |
| B | 8. 微電腦之堆疊器都放在(A)ROM(B)RAM(C)CPU(D)CACHE 中。 30 |
| C | 9. 下列哪一種不屬於微電腦系統內部匯流排(A)地址匯流排(B)資料匯流排(C)S-100 匯流排(D)控制匯流排。 |
| A | 10. 程式執行中以哪一類指令最多(A)資料搬移(B)控制轉移(C)移位(D)算術演算。 |
| D | 11. 指令暫存器(IR)是在哪一單元內(A)算術運算單元(B)邏輯單元(C)記憶單元(D)控制單元。 |
| A | 12. 下列何者為“可程式週邊介面控制”用晶片(A)8255(B)8048(C)8085(D)8087。 |
| A | 13. 將監督程式放在 ROM 內稱之為(A)韌體(B)軟體(C)硬體(D)半導體。 |
| D | 14. 下列哪一種記憶體的單位成本最高(A)DRAM(B)EPROM(C)PROM(D)Cache 記憶體。 |
| B | 15. 微電腦內的比較指令是以(A)加(B)減(C)及(D)互斥 完成比較動作。 |
| C | 16. 十六進制度 AE0(16)之 2 的補數為何？(A)B1F(16)(B)21F(16)(C)520(16)(D)220(16)。 |
| D | 17. 對 NOR 閘特性的描述，下列哪一種正確？(A)必須全部輸入為 0 時，輸出為 0(B)必須全部輸入為 1 時，輸出則 為 0(C)只要輸入有 0 時，輸出為 1(D)只要輸入有 1 時，輸出則為 0。 |
| A | 18. 下列的程式，哪一個不包含在 BIOS 內(A)編譯程式(B)開機自我測試程式(C)啟動載入程式(D)輸入／輸出支援程 式。 |
| B | 19. 欲驅動共陰極的十六進碼對七段數字顯示器之解碼器，當其輸入端 DCBA= 時，其輸出端 abcdefg 應為 何(A)1110111(B)1111011(C)0000100(D)0001000。 |
| C | 20. 下列何者為 CPU 中負責解譯、監督程式指令的部門(A)累積器(B)暫存器(C)控制單元(D)記憶體。 |
| B | 21. 暫存器定址模式是指被傳送的資料存放在何處(A)暫存器所指的記憶體位址中(B)暫存器中(C)ALU 中(D)暫存器 所指的堆疊器中。 |
| A | 22. 下面的敘述，哪一個不是巨集(MACROs)的優點(A)CPU 暫存器以及旗標的值可以確保不致造成混亂(B)原始程 式可以縮短(C)避免重複撰寫相同步驟指令(D)程式易於改變與除錯。 |
| D | 23. 下面的步驟，哪一個不是 CPU 接受中斷要求後的反應？(A)將控制權轉移給適當的中斷服務程式(B)保存程式 計數器的現值(C)跳到一個中斷副程式去執行(D)結束目前程式執行把控制權交還給系統監督程式。 |
| D | 24. 開發一個軟體程式是由下列五項步驟所組成，A.程式設計、B.維修、C.編碼(coding)與除錯、D.測試系統、(E) 問題定義，其步驟的執行順序應為何(A)ABCDE(B)EABCD(C)ECABD(D)EACDB。 |
| B | 25. 由主程呼叫副程式時，有時須將參數值轉移給副程式使用，下面哪一個不可做為參數傳遞的方法？(A)將參數 存在暫存器中(B)將參數存在指令暫存器中(C)將參數存在堆疊器中(D)將參數存在特定的記憶體中。 |
| D | 26. 下面哪一個是機械語言程式的優點？(A)易懂而簡潔(B)易於偵錯(C)容易維修(D)執行快而有效率。 |
| C | 27. 利用二進位 0 與 1 來表示十進位數 0 到 9 的一種碼，例如 25 為 00100101，這種碼稱為什麼碼(A)EBCDIC 碼(B) ASII 碼(C)BCD 碼(D)OP 碼。 . |
| C | 28. 在 1971 年 11 月第一個 4 位元的微處理機 4004 問世，這是哪一家公司的產品(A)Motorola 公司(B)IBM 公司(C)Int el 公司(D)TexasInstrument 公司。 |
| D | 29. 某一計算機執行一個指令的速度為 100 奈秒(nanosecond)，相當於多少秒(A)1×10 -9秒(B)1×10 -7秒(C)1×10 -6秒(D) 1×10-5 秒。 |
| D | 30. 下面哪一個指令與呼叫副程式沒有直接的關係(A)RETURN(B)PUSH(C)POP(D)MOV。 |
| C | 31. SN74LS90IC 是下列何種元件(A)算術與邏輯運算單元(B)中央處理單元(C)計數器(D)移位暫存器。 |
| A | 32. 下面哪一種裝置不屬於輔助記憶體？(A)EPROM(B)磁帶(C)硬碟(D)軟碟。 |
| C | 33. 某一 EPROM 記憶體 IC，其位址接腳為 5Bits，而每一位址的容量為 1Byte，則此 IC 的記憶總容量為(A)32Bits (B)128Bits(C)256Bits(D)512Bits。 |
| D | 34. 欲將組合語言的原始程式譯成目的程式模組時，須用(A)載入器(Loader)(B)翻譯器(Compiler)(C)編輯器(Editor)(D) 組譯器(Assembler)。 |
| C | 35. 微處理器所能執行的語言為(A)BASIC(B)Ｃ語言(C)機器語言(D)組合語言。 |
| B | 36. 2764 為一 8K×8 的記憶體 IC，其位址線共有(A)12 條(B)13 條(C)14 條(D)15 條。 |
| A | 37. 商用筆記型電腦的顯示器通常為(A)LCD(B)LED(C)CRT 顯示器(D)電漿顯示器。 |
| C | 38. 欲規劃 56K×16bits 的記憶區時，需使用幾顆 8K×8 的 2764(A)7(B)8(C)14(D)16。 |
| B | 39. 下列敘述何者為錯誤？(A)CPU 由 ALU、ACC 與控制單元等組成(B)堆疊是採用先進先出方式(C)資料匯流排為 31 雙向性(D)旗標暫存器是指示 ALU 運算的情況。 |
| D | 40. 對於 DRAM 特性的描述，何者是不正確的？(A)單一晶片容量較大(B)需要有復新(Refresh)動作(C)包裝上較少的 外部接腳(D)有較佳的存取速度。 |
| A | 41. 副程式或中斷服務執行完畢要返回原程式的位址是由何處取得？(A)堆疊器(Stack)(B)指標暫存器(Indexregister) (C)程式計數器(Programcounter)(D)位址解碼器(Addressdecoder)。 |
| D | 42. 假設累積器(ACC)=00000001(B)，暫存器(R0)=00000011(B)，當二者執行加法指令後，下列哪一個旗標(Flag)會 被設定（set）？(A)進位旗標(CY)(B)半進位旗標(AC)(C)溢位旗標(OV)(D)奇位旗標(P)。 |
| D | 43. 一般微處理器(CPU)的中斷返回指令（RETR，或 RETI）和副程式返回指令(RET)是不同的，其主要差別在於 (A)返回位址長度不同(B)返回位址存放的記憶體不同(C)副程式返回尚需多取回原旗標狀態值(D)中斷返回尚需 多取回原旗標狀態值。 |
| B | 44. 若某十六位元的 CPU，其所撰寫的程式長度為 800H，若以 2K×8 的 EPROM 作為記憶體區的設計元件，請問 最少需要幾顆(A)2(B)4(C)6(D)8。 |
| C | 45. 下列哪一項不是使用單晶片微電腦元件的優點(A)硬體製作較簡單(B)料件採購及管理較單純(C)系統有較大的 擴充性(D)軟體程式可以有較高的防讀保護。 |
| D | 46. IBMPC/AT 所使用的程式中斷控制器，其編號為(A)8237(B)8253(C)8255(D)8259。 |
| A | 47. 微電腦糸統以 RS-232C 串列方式傳輸資料到週邊裝置，其串列傳輸格式為一位元啟始位元，8 位元資料，一 位元同位元，2 位元結束位元，若以 2400 鮑率(Baud-rate)連續傳送 100 個位元組(Byte)之資料，所需的時間約 為(A)0.5 秒(B)2.4 秒(C)100 秒(D)2400 秒。 |
| B | 48. 在中斷式 I/O 中，當 I/O 裝置需要作 I/O 服務處理時，會以何種信號來通知 CPU，以進行 I/O 傳輸服務？(A)讀 寫線(R/W)(B)中斷要求線(IRQ)(C)中斷認知線(IACK)(D)晶片選擇線(CS)。 |
| D | 49. 8088CPU 欲讀取獨立式 I/O 資料時，所使用的控制信號，下列何者正確？(A) |
| D | 50. 十六位元的位址線匯流排，最大可支援到多少個記憶體位址？(A)16 個(B)1024 個(C)4096 個(D)65536 個。 |
| C | 51. 有一個典型的記憶體 IC 其容量為 1Meg×8 位元(bits)，則其位址線(addressbus)有幾條？(A)10 條(B)16 條(C)20 條 (D)24 條。 |
| B | 52. DMA(DirectMemoryAccess)處理速度快，適合大量資料傳送，主要原因為(A)不必使用位址線(B)不必經由 CPU 傳送(C)使用較多的控制線(D)使用較多的資料線。 |
| B | 53. 某電腦螢光幕的解析度為 1240×1024 點，且為 256 色，則該電腦須大約使用多少記憶體來控制螢光幕(A)1.3Mb its(B)1.3MBytes(C)320Mbits(D)320MBytes。 |
| C | 54. CMOSIC 比 TTLIC 較具有較低的功率消耗，但其最大缺點是響應時間較長，此段時間通稱為(A)上升時間(B)下 降時間(C)傳遞延遲(D)作業時間。 |
| B | 55. IntelpentiumⅢ微處理器所運作的內部工作頻率產生，下列敘述何者正確(A)等於外頻(B)外頻乘於倍數(C)內頻乘 於倍數(D)外頻除於倍數。 |
| B | 56. 當磁片執行格式化指令時，會建立幾份檔案配置表(fileallocationtable)(A)1(B)2(C)3(D)4。 |
| A | 57. RISC 擁有一簡化的控制單元，請問典型的單一指令執行需多少機械週期(machinecycle)(A)1(B)2(C)3(D)4。 |
| D | 58. 下列何種類型的 PROM 可以不需要從腳座上移開，即可進行清除或更新其內部儲存資料？(A)UV-EPROM(B)E PROM(C)OTPROM(D)E2 PROM。 |
| C | 59. 下列何者為熱插拔(hot-pluggable)裝置介面(A)PCI(B)COM(C)USB(D)LPT。 |
| D | 60. 系統中的韌體(firmware)一般不適合儲存於下列哪種記憶體中？(A)EEPROM(B)EPROM(C)PROM(D)RAM。 複選題： |
| A,B,C | 61. 有關 CPU 的敘述，下列何者正確？(A)ALU 用來做算術及邏輯運算(B)暫存器用來幫助 CPU 做運算或暫存資料 之用(C)指令暫存器用來暫存讀入 CPU 內的指令碼(D)某 N 位元的 CPU，此 N 位元是指位址匯流排之數目。 |
| B,C | 62. 有關中央處理單元(CPU)的敘述，下列何者正確？(A)CPU 目前執行的指令儲存於程式計數器(Programcounter) 中(B)CPU 內部的位址匯流排有 34 條，表示主記憶體的最大可定址空間有 16GB(C)若 CPU 的速度為 200MIPS， 代表 CPU 平均執行一個指令所需的時間為 5ns(D)單核心微處理器可用於多工環境的作業系統下，指揮各單元 32 進行平行處理。 |
| B,C,D | 63. 下列哪些項目與微處理機的處理速度有關？(A)Addressbus的位元數(B)管線式的指令作業(C)時脈的頻率(D)Datab us 的位元數。 |
| B,C,D | 64. 十六進制資料依序運算 b9HAND3fHXORaeH，下列哪些不同進制資料值為其等效結果？(A)101001112(B)2278(C)1 5110(D)97H。 |
| B,C,D | 65. 關於簡單型可程式規劃邏輯元件(SPLD)的敘述，下列何者正確？(A)最常被使用到的 SPLD 型態是用 T 型正反 器和 PAL 組合在一起(B)Macrocell 包含一個積之和(SOP)的組合邏輯函數和一個可自由選擇的正反器(C)SPLD 在積體電路元件內除了有 AND-OR 陣列外，還包括了正反器(D)SPLD 的每個部分被稱做 Macrocell，一個 Mac rocell 就是一個電路。 |
| A,B,D | 66. 一個典型的 SPLDIC，它的包裝裡包含 8-10 個 Macrocell，Macrocell 的規劃是可以選擇的，其規劃特色包含下 列何者？(A)暫存器的清除與設定的選擇(B)選擇時脈邊緣觸發的極性(C)所有的正反器都有獨立的時脈輸入(D) 使用或不使用正反器的能力。 |
| A,B | 67. 電腦系統中，下列何者屬於非加權碼？(A)BIG-5(B)ASCII(C)BCD(D)二進制碼。 |
| A,C,D | 68. 有關保護智慧財產權的各項法律中，下列何者其取得保護的方法須經過申請登記或審查核准方能產生效力？ (A)積體電路電路布局保護法(B)著作權法(C)專利法(D)商標法。 |
| A,B,D | 69. 有關微電腦系統的起動，下列敘述何者正確？(A)啟動程式(Booting)可透過硬體按鈕或軟體指令啟動一組程 序，用來初始化電腦系統或裝置(B)Bootloader 是指一組程式當電腦系統完成自我診斷後，協助載入作業系統 或一組程式(C)Bootloader 會先被存在 SRAM 中，再被載入主記憶體執行(D)可透過 JTAG 界面直接燒錄 Bootloa der。 |
| A,B,C | 70. 有關微處理器之外部中斷信號被偵測到時，下列敘述何者正確？(A)程式計數暫存器會被堆疊保存(B)跳至中斷 向量所指示的位址(C)執行中斷向量為起始位址的中斷副程式(D)不再接受任何中斷。 |
| B,C | 71. 當 89S51/52CPU 的 RESET 腳接高準位超過 2 個機械週期時，會產生重置動作，下列敘述何者正確？(A)內部 R AM 都清除為 0(B)埠 1(Port1)為 11111111B(C)暫存器 SP 的內容為 00000111B(D)暫存器 DPTR 的內容為 FFF0H。 |
| A,C | 72. C 語言程式中，a=13，b=6，num=0，下列敘述何者正確？(A)執行 num=(++a)+(++b)後，num=21、a=14、b=7(B) 執行 num=(a++)+(b++)後，num=21、a=14、b=7(C)執行 a+=a+(b++)後，num=0、a=32、b=7(D)執行 a*=b--後，nu m=0、a=65、b=5。 |
| C | 1.示波器 CRT 之偏向靈敏度(DeflectionSensitivity)為 0.2mm/V。若欲產生 2 英吋之偏向(Deflection)時，需多少之 電壓？(A)25.4V(B)40V(C)254V(D)400V。 |
| A | 2.十二位元之二進制輸入，若滿額輸出電壓為 10V，哪麼最小轉換值約為(A)2.5mV(B)4.8mV(C)10mV(D)12mV。 |
| D | 3.四位半之 DMM，至少需使用多少位元之 A/D 轉換器？(A)10 位元(B)12 位元(C)14 位元(D)15 位元。 |
| A | 4.三用電表內部使用 1mA，5Ω 之永磁動圈式(PMMC)表頭，在使用 50V 電壓檔時，其輸入阻抗為(A)50KΩ(B)100KΩ(C)500KΩ(D)1MΩ。 |
| D | 5.下列哪一種振盪器的穩定度(Stability)最高？(A)一般石英晶體(B)韋恩電橋式(C)LC 諧振電路(D)溫度補償石英晶 體。 |
| D | 6.數位儲存示波器不需使用下列哪種元件？(A)A/D(B)D/A(C)記憶體(D)鋸齒波產生器。 |
| B | 7.示波器上之正弦波之峰對峰值為 6.4cm，若此時之垂直靈敏度選擇在 2V/cm，則待測波形之電壓 Vrms 等於(A) 5 .3V(B)4.5V(C)6.4V(D)7.5V。 . |
| B | 8.一方波之週期在 CRT 之顯示為 6cm，若示波器水平時基旋鈕選擇為 30μs/cm，則此一方波之頻率為(A)556Hz (B)5.56KHz(C)55.6KHz(D)556KHz。 |
| C | 9.量測 1GHz 之信號波形時，使用哪種儀器較適宜？(A)記錄器(B)計頻器(C)取樣示波器(D)XY 示波器。 |
| A | 10.平均值式(Average-type)之 DMM，可以量取下列哪一種 AC 波形之電壓？(A)正弦波(B)三角波(C)方波(D)失真之正 弦波。 |
| A | 11.以數位 LCR 表測量 Z=R+jX 之阻抗時，其 Q 值為(A)X/R(B)R/X(C)X/Z(D)R/Z。 |
| A | 12.GPIB 界面之函數波產生器至少需具備下列哪一種功能？(A)收聽者(Listener)(B)發言者(Talker)(C)控制者(controlle r)(D)傳送者(source)。 |
| A | 13.示波器之 CRT 中用來當作聚焦(Focus)控制的部份為(A)第一陽極(B)第二陽極(C)柵極(D)陰極。 |
| C | 14.測量 600Ω 負載之兩端為 0dbm 時，其端電壓為(A)0.636V(B)0.707V(C)0.775V(D)1.414V。 |
| A | 15.邏輯分析儀之同步模式通常使用在(A)狀態分析(B)時序分析(C)暫態信號分析(D)頻率計數。 |
| A | 16.示波器使用 INT(Internal)觸發模式時，其觸發信號之來源為(A)垂直放大器(B)水平放大器(C)AC 電源信號(D)外部 (EXT)信號。 |
| D | 17.一般數位電表(DMM)在量測下列哪種參數時最為準確？(A)R(B)ACV(C)DCA(D)DCV。 |
| B | 18.八位數(8digit)計頻器之解析度為(A)0.001ppm(B)0.01ppm(C)1ppm(D)10ppm。 |
| B | 19.三位半電表之解析度為(A)0.1%(B)0.05%(C)0.01%(D)0.005%。 |
| B | 20.IEEE-488 標準界面規定之匯流排總長度限制最多為(A)10(B)20(C)30(D)40 公尺。 |
| D | 21.三用表之誤差若為±2%FS(Fullscale)，若使用 50V 電壓檔所量測之讀數為 20V 時，其實際誤差為(A)±1%(B)±2% (C)±3%(D)±5%。 |
| B | 22.數位儲存示波器內部一定需要使用下列哪種電路(A)RC 振盪電路(B)A/D 轉換電路(C)觸發掃描電路(D)Z 軸調變 電路。 |
| B | 23.示波器在量測高頻信號時，一般需使用哪種模式(A)CHOP(B)ALT(C)A+B(D)A-B。 |
| D | 24.以數位 LCR 表量測電感時，其顯示之電感值(A)與量測頻率無關(B)與電壓偏壓成正比(C)與通過之電流成反比 (D)隨量測頻率不同而有差異。 |
| C | 25.示波器之 CRT 用來當作亮度控制之部份為(A)第一陽極(B)第二陽極(C)柵極(D)陰極。 |
| B | 26.示波器之水平掃描信號通常使用(A)三角波(B)鋸齒波(C)正弦波(D)方波。 |
| C | 27.計頻器之時基為 10ms，而量測之總計數為 1500count 時，表示外加信號之頻率為(A)150MHz(B)15MHz(C)150KH z(D)15KHz。 |
| A | 28.RS-232 之資料接收線有幾條？(A)1(B)4(C)8(D)16。 |
| C | 29.負載阻抗為 50Ω 之函數波信號產生器之輸出準位為 10dbm 時，其電壓為(A)7.07V(B)1V(C)0.707V(D)70.7mV。 |
| B | 30.典型函數波產生器之正弦波整形器(SineShaper)之功用為(A)將正弦波變為三角波(B)將三角波變為正弦波(C)將 方波變為正弦波(D)將鋸齒波變為正弦波。 |
| B | 31.邏輯分析儀同步模式(Syncmode)之資料取樣係使用(A)內部時脈(B)外加時脈(C)觸發信號(D)時脈限定子(clockgual ifier)。 |
| C | 32.示波器之 Z 軸調變係控制 CRT 電子束之(A)垂直位置(B)水平位置(C)亮度(D)靈敏度。 |
| C | 33.一般數位電壓表之輸入阻抗為(A)600Ω(B)1MΩ(C)10MΩ(D)100MΩ。 |
| D | 34.射極隨耦電路在電子儀表中主要是擔任下列何種作用？(A)電壓放大(B)振盪(C)整流(D)阻抗匹配。 |
| D | 35.下列何者為測試系統中之轉換器(transducer)的用途？(A)將數位信號轉換為類比信號(B)將類比信號轉換為數位 信號(C)將電氣的信號轉換為非電氣的信號(D)將非電氣的信號轉換為電氣的信號。 |
| C | 36.當示波器的水平與垂直偏向板皆無信號時，螢光幕所顯示的圖形應為下列何者？(A)無光域(B)一圓形(C)一點(D) 一水平線。 |
| A | 37.下列何者為照度計之單位？(A)勒克斯(lux)(B)安培A(C)流明(lm)(D)燭光/平方公尺(cd/m )。 . |
| D | 38.下列何者不是數位電表(DMM)的優點？(A)消除讀取誤差(B)易於讀取測量值(C)高精確度(D)可判別各種閘流體。 |
| D | 39.如下圖所示之調幅波，若 A=10Vp-pB=2Vp-p 時，其調變百分比為何？ |
| A | 40.電晶體基極輸入下列何種波形時，可在示波器上顯示多條電晶體共射極輸出曲線？(A)階梯波(B)三角波(C)正弦 波(D)方波。 |
| C | 41.線性 IC 測試器最常用來測量下列何種 IC？(A)A/D 轉換 IC(B)D/A 轉換 IC(C)運算放大器(D)穩壓 IC。 |
| B | 42.一般函數波信號產生器，採用下列何者作為基本的振盪電路？(A)相移振盪器(B)三角波振盪器(C)考畢子振盪器 (D)韋恩振盪器。 |
| A | 43.有一正弦波信號 v(t)=2sin628t，不經衰減直接加到示波器垂直輸入端，在不使用水平放大增益，且微調旋鈕 也置於校正位置時，若示波器所顯示的波形如下圖所示，則示波器水平與垂直旋鈕應分別是撥在下列何種位 置？(A)2.5ms/DIV、1V/DIV(B)2.5ms/DIV、2V/DIV(C)5ms/DIV、2V/DIV(D)2ms/DIV、1V/DIV。 |
| D | 44.若以單一頻率信號輸入到放大器中，以測其大致的頻率響應情形時，宜用下列何種波形測量？(A)正弦波(B)三 角波(C)鋸齒波(D)方波。 |
| A | 45.電容器是否漏電，可用三用電表的何檔測試較為簡便？(A)Ω 檔(B)DCV 檔(C)ACV 檔(D)DCA 檔。 |
| B | 46.高阻計(MeggerMeter)是用來量測(A)接地電阻(B)絕緣電阻(C)電解液電阻(D)導線電阻。 |
| B | 47.2.5 級的指針式電表，表示該儀器的精確度為(A)滿刻度的±2.5 個單位(B)滿刻度的±2.5%單位(C)任一點的±2.5 個 單位(D)任一點的±2.5%單位。 |
| A | 48.二線式(A'，B')測溫感知器若使用在三線式(A-B-b)儀器時，應該(A)A'接 A，B'接 B 與 b(B)B 與 b 短路(C)B 端不 接(D)A'接 A 與 b，B'接 B。 |
| D | 49.波形分析儀(WaveAnalyzer)的濾波器為(A)低通濾波器(LowPassFilter)(B)高通濾波器(HighPassFilter)(C)帶阻濾波器 (BandStopFilter)(D)帶通濾波器(BandPassFilter)。 |
| A | 50.以標準方波信號輸入放大器的輸入端，由示波器觀測放大器輸出端的信號如下圖所示時，顯示放大器的特性
為 |
| A | 51.以三用電表的直流電壓檔(DCV)測量 1KHz，6 伏特交流電壓時，指針指示在(A)0(B)6(C)8.5(D)10 伏特位置。 |
| B | 52.測量某小段銅線的電阻值時應用(A)惠斯登電橋(B)愷爾文電橋(C)RLC 電表(D)數位式三用電表 最為適宜。 |
| C | 53.若示波器的時基(TimeBase)設定在 1μS/cm 時，現觀測某波形水平每週期為 4cm，垂直峰到峰值振幅佔 2cm 時，則此觀測波形的頻率為(A)25(B)100(C)250(D)500 KHz。 |
| C | 54.示波器顯示方波的上升時間(risetime)是 0.5μs，若示波器本身的上升時間是 0.3μs，則該方波實際的上升時間 為(A)0.2μs(B)0.3μs(C)0.4μs(D)0.5μs。 |
| D | 55.邏輯分析儀的顯示方式有狀態顯示，請問下列顯示待測信號方式何者為誤？(A)以二進位表示(B)以十六進位表 示(C)以 ASCII 表示(D)以 BIG-5 表示。 |
| A |  (B)  (C)  (D)  。
|
| C | 57.下列何者不是數位式電表應具備的特性？(A)輸入阻抗高(B)輸入雜散電容小(C)需要有高靈敏度的表頭(D)可測 量任意的波形的峰對峰值。 |
| D | 58.頻率計數器的閘控時間(gatetime)愈長，下列何者為誤(A)會得到愈準確的頻率計數值(B)需要較多的計數位數(C) 需要較長的測量時間(D)較易閱讀。 |
| B | 59.數位式計數器，其儀器本身所產生的誤差，下列何者為誤？(A)計數誤差(B)人為誤差(C)時基誤差(D)觸發誤差。 |
| D | 60.下列何者非 IEEE-488 的介面電路架構(A)資料匯流排(datalines)(B)交握式控制線(handshakelines)(C)通用介面管理 線(interfacemanagementlines)(D)位址匯流排(addresslines)。 |
| A | 61.電子裝置均為雜訊電波的主要來源，下列改善雜訊的方法何者為誤(A)雜訊存在但功能正常則不予理會(B)修改 電路(C)電路加上屏障(D)改善電路配置。 |
| B,D | 62.IEEE-488 標準介面的相關規定中，下列敘述何者正確？(A)屬於儀器中的串列通信介面(B)可連接的儀器裝置最 多不能超過 15 台(C)各裝置間的通信距離不能超過 20 公尺(D)傳輸的信號為標準 TTL 位準，且採用負邏輯方式。 |
| A,C | 63.一般電路模擬軟體工具為避免量測電壓時而產生負載效應，其電壓表的內阻合理設定值可為(A)10G(B)1M(C)1 G(D)100K。 |
| A,C | 64.一般指針式電表內部不裝電池時，可用來量測(A)電壓值(B)電阻值(C)電流值(D)電感值。 |
| A,B,C | 65.三用電表主要功能是用來量測下列哪幾種物理量？(A)電壓(Volt)(B)電阻(Ohm)(C)電流(Ampere)(D)電容(Fara)。 |
| A,B,D | 66.下列敘述何者正確？(A)電壓表之靈敏度通常以歐姆伏特比(Ω/V)表示(B)電壓表之內阻值愈大，則靈敏度愈佳 (C)電流表內阻值愈大，則負載效應愈小(D)瓦特表係同時測量待測物的電壓與電流值而獲得待測物之消耗功 率。 |
| A,C | 67.使用日系指針式三用電表時，下列敘述何者是正確？(A)量測電壓時，電表與待測者並聯(B)量測電流時，電表 與待測者並聯(C)量測電阻時，電表需先作歸零(D)設定於歐姆檔時，紅、黑色測試棒分別代表內部電池的正端 與負端。 |
| D | 1.二進制 10110 相當於八進制的(A)16(B)20(C)22(D)26。 |
| C | 2.X=A'B'C'+A'B'C+AB'C'+AB'C 可化簡為(A)X=A+C(B)AB=AC(C)B'(D)A。 |
| B | 3.在邊緣觸發型正反器中，資料輸入必須比時脈(clock)觸發邊緣先到之最小時間，稱為(A)保持時間(holdtime)(B) 設置時間(set-uptime)(C)延遲時間(delaytime)(D)傳輸時間(Propagationtime)。 |
| A | 4.下列何種邏輯閘可接成線接或閘(Wired-OR)(A)開集極閘(B)三狀態閘(C)傳輸閘(transmissiongate)(D)圖騰柱輸出 閘。 |
| C | 5.00111001(2)相當於十進制的(A)31(B)39(C)57(D)105。 |
| A | 6.對 J-K 正反器而言，下列何者為誤？(A)當 J=0，K=0 則 Qn+1=0(B)當 J=1，K=1 則 Qn+1=Q'n(C)當 J=1，K=0 則 Q n+1=1(D)當 J=0，K=1 則 Qn+1=0。 |
| B | 7.利用 4 位元二進制加法器做 BCD 碼加法運算時，若結果超過 9，應加(A)5(B)6(C)10(D)16 來調整。 |
| A | 8.38.25(10)轉換為 BCD 碼應為(A)00111000.00100101(B)100110.11001(C)100110.1100(D)1110111.1001。 |
| D | 9.在下列 TTL 編號中何者具有最快的交換速度(A)74H××(B)74LS××(C)74××(D)74S××。 |
| C | 10.具有 4Kbyte 記憶容量之記憶體其至少需具有多少位址線(A)10(B)11(C)12(D)13。 |
| B | 11.下列記憶體中何者需以紫外線來消除其原有資料？(A)PROM(B)EPROM(C)EEPROM(D)DRAM。 |
| C |  |
| B |  |
| C |  |
| C | 15.3.625 轉換為二進制應等於(A)101.101(B)11.0101(C)11.101(D)11.10011001。 |
| B | 16.在 TTL 電路中下列何者正確(A)V ≧2.4V，V ≦0.4V(B)V ≧2.0V，V ≦0.8V(C)V ≧2.4V，V ≦0.8V (D)V ≧2.0V，V ≦0.4V。 |
| D | 17.泛用型暫存器(Universalregister)不具下列哪項功能？(A)串入─串出，並入─並出(B)並入─串出，並入─並出(C) 左﹑右移位(D)加法器。 |
| B |  (A)(S'+A)(S+B)(B)S'A+SB(C)S'A'+SB(D)(S'A)(S+B)。
|
| A |  (A)00,01,10,11(B)00,11,01,10(C)00,11,10,01(D)11,10,00,01。
|
| A |  |
| A |  |
| B |  |
| C | 23.低功率蕭特基 TTL(74LS)的傳播延遲(propagationdelay)約為(A)1μs(B)100ns(C)10ns(D)1ns。 |
| C |  (B)  (C)  (D)  。
|
| D | 25.IC74LS90J 中的字母 J 代表下列何種意義？(A)IC 的誤差等級(B)IC 的工作溫度(C)工作電流的範(D)包裝的類別。 |
| A | 26.下列何者為布林代數式 XY+X'Z+YZ 之化簡後的結果？(A)XY+X'Z(B)XY+YZ(C)X'Z+YZ(D)X+Y+Z。 |
| A |  |
| A |  |
| B |  (B)  (C)  (D)  。  |
| D | 30.根據狄莫根定理，可將(AB+BC+CA)'改寫成下列何者？(A)(AB)'+(BC)'+(CA)'(B)(A+B)'((B+C)(C+A))'(C)(A+B)'(B+ C)'(C+A)'(D)(AB)'(BC)'(CA)'。 |
| B | 31.A≨A 可以等於下列何者？(A)1(B)0(C)A(D)A'。 |
| D | 32.CMOS 邏輯電路的特點為(A)供給電源電壓範圍小(B)交換速度比 TTLIC 快(C)雜訊免疫性最差(D)消耗功率極小。 |
| C |  |
| B | 34.下列何者為順序邏輯電路？(A)PLA(B)移位暫存器(C)加法器(D)解碼器。 |
| B | 35.布林函數 F(A，B，C)=A'B'C'+A'B'C+AB'C'+AB'C+ABC'化簡為 F=(A)B+AC'(B)B'+AC'(C)B'+A'C(D)B+A'C。 |
| C |  (A)A=XOR，B=AND(B)A=XNOR，B=AND(C)A=AND，B=XOR
(D)A=AND，B=XNOR。
|
| D | 37.已知某單擊器的工作週期為 80%，且輸出脈衝寬度為 100μS，則輸入到此單擊器之兩觸發信號間的最短時間 為(A)25μS(B)50μS(C)75μS(D)125μS。 |
| A |  (D)A≨B。  |
| B | 39.傳輸速度最快的邏輯閘為(A)TTL(B)ECL(C)MOS(D)CMOS。 |
| B | 40.將格雷碼 1011 轉換成二進碼為(A)1011(B)1101(C)1110(D)1001。 |
| C | 41.下列各積體電路邏輯族中，扇出數最多者為(A)TTL(B)ECL(C)CMOS(D)DTL。 |
| A | 42.(101100) 2之 1 的補數(1'sComplement)為(A)(010011) 2(B)(010100) 2(C)(100001) 2(D)(010111)2 。 |
| C | 43.下列哪一項同步計數器的特點是描述錯誤的？(A)可工作在較高的計數頻率(B)較少的傳輸延遲時間(C)N 個正 反器時，其最大計數器值是 2N(D)高頻計數較為精準。 |
| D |  |
| D |  |
| B |  |
| A | 47.有一同步計頻電路，係由 4 個不同型式的正反器所組成，其傳輸延遲(Propagationdelay)時間分別為 20ns﹑40ns﹑50ns﹑100ns，請問此電路最高可量度的頻率為(A)10MHz(B)20MHz(C)25MHz(D)50MHz。 |
| C |  |
| A | 49.若以 SN74HC00 來實現互斥或閘(F=A≨B)，則共需幾個 SN74HC00 的 IC 元件？(A)2 個(B)3 個(C)4 個(D)5 個。 |
| D | 50.在二進制的數字系統中，格雷碼(Gray)為一種重要的數碼系統，下列有關格雷碼的敘述何者為非？(A)又稱反 射碼或循環碼(B)相鄰兩數只有一個位元改變，適用於卡諾圖(C)是一種非加權碼(D)適用於算術運算。 |
| A |  |
| D |  |
| A |  |
| B |  |
| C |  |
| C |  (A)NOT(B)SCR(C)三態型 NOT(D)三態型 BUFFER。
|
| C | 57.設工作電壓均為 5V 條件下，以 TTL 電路去驅動 CMOS 電路時，必須在 TTL 輸出端加裝一個(A)提昇電容器 (B)箝位二極體(C)提昇電阻器(D)接地電阻器。 |
| C | 58.漣波計數器之特性，下列何者為不正確？(A)屬於非同步型計數器(B)可作上數計數器(C)屬於同步型計數器(D)可 作下數計數器。 |
| C |  |
| D |  (C)  (D)  。  |
| C |  |
| B | 62.四位元的強生(Johnson)計數器的除頻計數為若干？(A)4(B)8(C)16(D)32。 |
| C |  |
| C | 64.對一個 n-inputXOR 閘，下列敘述何者正確？(A)輸入為偶數個 0，則輸出就為 0(B)輸入為偶數個 0，則輸出就 為 1(C)輸入為奇數個 1，則輸出就為 1(D)輸入為奇數個 1，則輸出就為 0。 |
| A | 65.已知一積體電路使用半導體製程 90 奈米技術，其 90 奈米指 MOSFET 元件的(A)長度 L(B)寬度 W(C)高度 H(D)厚 度 T。 |
| C,D | 66.十進位數 57 等效於下列哪些進制值？(A)111011(B)(2)3B(16)(C)0101011(BCD)(D)71(8)。 |
| B,D |  (A)(A,B,F)=(0,0,1)(B)(A,B,F)=(0,1,0)(C)(A,B,F)=(1,0,1)(D)(A,B,
F)=(1,1,0)。
|
| B,D | 68.若 CMOSIC 之 VDD為 10V，VSS為 0V，下列敘述何者正確？(A)若輸入電壓為 6V，可視為邏輯 1(B)若輸入電壓 為 8V，可視為邏輯 1(C)若輸入電壓為 4V，可視為邏輯 0(D)若輸入電壓為 2V，可視為邏輯 0。 |
| A,B,D |  (A)屬於非同步計數電路(B)為÷6 電路(C)Q1 的工作週期約 33.3%(D)Q3 的工作週
期約 33.3%。
|
| B,D |  (A) IO=C
(B)I1 =1(C)I2 =1(D) I3=1。
|
| B,D | 71.對一個 8-inputXOR 閘，哪些輸入情況可使輸出為 1？(A)10111011(B)00110111(C)11101110(D)01011110。 |
| A,D | 72.一顆優先編碼器具有低電位輸入驅動(/0~/9)與低電位編碼輸出(/D~/A)，欲使輸出/D~/A=1001 時，則輸入/0~/9 =(A)0001100111(B)1100011000(C)0101010101(D)1100000111。 |
| A,C,D |  (A)C1 充放電壓振幅為 4V~8V(B)OUT 電壓輸出之頻率為 500Hz(C)第 5 腳 CO
N 電壓為 8V(D)OUT 電壓輸出之工作週期約 50%。
|
| B,D | 74.一顆八位元左移暫存器，如八位元輸出初始值為 00000000，左移輸入 Din 為來自於最左邊位元的反相輸出， 當經過 50 個以上 CK 後，則(A)八位元輸出保持為 11111111(B)每個位元輸出工作週期均為 50%(C)每個位元輸出 頻率均為 CK 頻率除以 8(D)每個位元輸出頻率均為 CK 頻率除以 16。 |
| B,C |  (D)  。
|
| A,C | 76.使用 JK 正反器，要讓輸出端 Qn→Qn+1 維持 1→1 的狀態，則輸入端的 J 與 K 須設定為(A)J=0，K=0(B)J=0，K =1(C)J=1，K=0(D)J=1，K=1。 |
| A,B | 77.使用 JK 正反器，要讓輸出端 Qn→Qn+1 維持 0→0 的狀態，則輸入端的 J 與 K 須設定為(A)J=0，K=0(B)J=0，K =1(C)J=1，K=0(D)J=1，K=1。 |
| A,B | 78.使用 SR 正反器，要讓輸出端 Qn→Qn+1 維持 0→0 的狀態，則輸入端的 S 與 R 須設定為(A)S=0，R=0(B)S=0， R=1(C)S=1，R=0(D)S=1，R=1。 |
| C,D | 79.使用 JK 正反器，要讓輸出端 Qn→Qn+1 維持 0→1 的狀態，則輸入端的 J 與 K 須設定為(A)J=0，K=0(B)J=0，K =1(C)J=1，K=0(D)J=1，K=1。 |
| B,D | 80.使用 JK 正反器，要讓輸出端 Qn→Qn+1 維持 1→0 的狀態，則輸入端的 J 與 K 須設定為(A)J=0，K=0(B)J=0，K =1(C)J=1，K=0(D)J=1，K=1。 |
| B,C |  (A)其功能為 NAND 閘(B)其功能為 NOR 閘(C)屬於 CMOS 邏輯族(D)屬於 TTL
邏輯族。
|
| A,D |  (A)其功能為 NAND 閘(B)其功能為 NOR 閘(C)屬於 CMOS 邏輯族(D)屬於 TTL
邏輯族。
|
| A,C | 83.根據布林代數定理，下列敘述何者正確？(A)X+1=1(B)X‧1=1(C)X‧0=0(D)X+0=0。 |
| C,D |  (A)為環型計數器(Ringcounter)(B)為除 5 電路(C)為強森計數器(Johnson
counter)(D)為除 8 電路。
|
| A,B,C | 85.有一卡諾圖，下列何者為化簡後的輸出函數？ |
| B,C |  (A)Y1(A,B,C)=Σ(0,3,5)(B)Y2(A,B,C)=Σ(5,7)(C)Y1(A,B,C)=Σ(0,2,3,5)(D)Y2(A,B,C)=Σ(5,6)。
|
| A,B,C |  B(B)Co=AB+Ci(A  B)(C)S=A  B  Ci(D)若 A=B=Ci=1
則 S=0，Co=1。  |
| A,D |  (B)  (C)  (D)Y3=S1S2D。  |
| A,C,D | 89.有關暫存器的應用，下列敘述何者正確？(A)串列輸入/串列輸出適用於時間延遲裝置(B)串列輸入/並列輸出適 用於滑鼠內部輸出資料的傳送作業(C)並列輸入/串列輸出適用於紅外線遙控發射器(D)並列輸入/並列輸出適用 於記憶體或 CPU 內部暫存器單元。 |
| B,C |  (A)  (B)  (C)  (D)  。
|
| B,C |  (B)D 型正反器激勵表  (C)JK 正反器激勵表  (D)T 型正反器激勵表  。
|
| B,C,D | 92.在 Verilog 電路描述中，識別字的命名規則為(A)第一個字元必須是英文字母或數字(B)識別字的長度沒有限制 (C)第二個之後的字元可以是英文字母、數字、底線(_)或錢字號($)(D)識別字有區分英文大小寫。 |
| B,C,D |  B  C(B)Y1=A  B  C(C)Y0=AB+AC+BC(D)  。  |
| A,B,C | 94.十進位值為69可轉換為(A)BCD碼01101001(B)格雷碼(Graycode)01100111(C)超三碼(Excess-3code)10011100(D)二進 位碼 00100101。 |
(B) 
1(C) 
(D) 
。
(A)2%(B)10%(C)50%(D)67%。
.
(A)低頻響應不足(B)低頻響應過大(C)高頻響應不足(D)高頻響應過大。
.
(A)A 
C (B) 
(C) 
(D) 
。
.