| E | 1.材質相同之二導線A、B，A長度為B的2倍，B線徑為A的2倍，則A的電阻為B的： (A)2 倍 (B) 1/2 倍 (C) l 倍 (D) 4 倍 (E)8 倍。 |
| D |  (A)1.25A (B)0.83 A (C) 0.42 A (D) 0 A (E) 0.75 A。
|
| A | 3. 一電磁鐵，其磁極間的磁場B=0. 5韋伯/公尺2，若一長度為40公分，而以10公尺/秒速度， 且保持與磁場垂直而運動的導體，其感應電動勢為： (A) 2 V (B) 20 V (C) 0.2 V (D) 0.02 V (E) 200 V。 |
| B | 4. 一般商用發電廠的主發電機為： (A)感應發電機 (B)同步發電機 (C)直流發電機 (D)變頻發電機 (E)進相發電機。 |
| D | 5.有一單擺週期為T，若欲使週期變成2T，則須將擺長改為原來的： (A) 0. 25 倍 (B) 0. 5 倍 (C) 2 倍 (D) 4 倍 (E) 1. 5 倍。 |
| C | 6. —物體作等加速度運動，其初速度為5公尺/秒，經5秒後速度為35公尺/秒，則在此5秒， 物體共行多少距離？ (A) 25公尺 (B) 50公尺 (C) 100公尺 (D) 125公尺 (E) 175公尺。 |
| C | 7.由靜止開始作等加速度運動之物體，在第2秒與第4秒之位移長度比為： (A) 1:3 (B) 2:5 (C) 3:7 (D) 1:4 (E) 2:3 。 |
| B | 8. 一質量為10仟克的物體於斜角30°的光滑斜面上下滑時，其加速度為： (A)9.8 米/秒2 (B) 4.9 米/秒2 (C) 9.8厂3米/秒2(D)5米/秒2(E))4.9厂3米/秒2。 |
| C | 9. 一質量為m的物體，以速度V作等速率圓周運動，半徑為r，則其向心力F為： (A) mr/V2 (B) mV/r (C) mV2/r (D) rV2/m (E) mVr。 |
| A | 10.有一水壓機，其大小兩活塞之半徑分別為30公分與6公分，今欲將1000公斤重的重物由 大活塞舉起，則在小活塞應施力若干？ (A) 40公斤重 (B) 50公斤重 (C) 100公斤重 (D) 200公斤重 (E) 250公斤重。 |
| A | 11.為使飛機獲得浮力，機翼上方的空氣速度必須比機翼下方的空氣速度： (A)快 (B)慢 (C)時快時慢 (D)不一定 (E)沒關係。 |
| E | 12.加熱1公升的水，使溫度由20°C上升至60°C，需要供應多少熱量？ (A) 40 卡 (B) 60 卡 (C) 80 卡 (D) 20000 卡 (E) 40000 卡。 |
| C | 13.對一定體積的氣體加熱，使其溫度升至原來的4倍，則氣體壓力變為原來的： (A) 1 倍 (B) 2 倍 (C) 4 倍 (D) 16 倍 (E) 12 倍。 |
| E | 14.波在產生折射時，有那一特性不變？ (A)波速 (B)波長 (C)振幅 (D)方向 (E)頻率。 |
| A | 15.在一大氣壓的空氣中，溫度每上升1°C，則聲速增加0.6米/秒，若20°C時，聲速為343 米/秒，則0°C時之聲速為若干? (A) 331 米/秒(B) 337 米/秒(C) 349 米/秒(D) 355 米/秒(E) 357 米/秒。 |
| B | 16.有一凸透鏡焦距為10公分，欲得放大5倍之虛像，則物距須為多少？ (A) 6公分 (B) 8公分 (C) 12公分 (D) 15公分 (E) 20公分。 |
| A | 17. 二極體並聯可增加 (A)最大電流 (B)最大逆向電壓(C)交換時間 (D)最大順向電壓(E)崩潰電壓。 |
| D | 18.於共射極電晶體電路中，IE為5 mA，IB為0. 1 mA，試求其電流增益為何？ (A) 39 (B) 59 (C) 69 (D) 49 (E) 29。 |
| C | 19.電晶體之IB由10 μA增至110 ，而IC由1 mA增至6 mA，此電晶體之β值為何？ (A)20 (B) 24 (C) 50 (D) 60 (E) 35 。 |
| D | 20.電晶體共集極（CC)電路 (A)輸入阻抗很小(B)輸出阻抗很大(C)電壓增益很高(D)電壓增益近於1(E)電流增益很低。 |
| B | 21.若BJT之a值為0.96，則β值為多少？ (A) 12 (B) 24 (C) 36 (D) 48 (E) 96。 |
| C | 22.射極隨耦器於電子儀表之電路内，其主要用途為何？ (A)放大作用 (B)振盪作用 (C)阻抗匹配 (D)整流 (E)濾波。 |
| C | 23.FET的導電載子為： (A)只有電洞(B)只有電子(C) P通道電洞，N通道電子(D) P通道電子，N通道電洞(E)不一定。 |
| C | 24.下列何種電子裝置有熱跑脫(Thermal Runaway)現象？ (A) N通道FET (B) P通道FET (C)雙極性電晶體(D)單極性電晶體(E)不一定。 |
| D | 25. CMRR值愈大，則表示： (A)容易放大信號(B)差動放大器愈差(C)不容易放大信號(D)愈易消除雜音(E)無意義。 |
| C |  (A) IV (B) 2 V (C) 3 V (D) 4 V (E) 5 V 。
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| D |  ?  (A) -25 (B) -50 (C) +25 (D) +50 (E) -10。
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| E |  (A) +2 V (B) +3 V (C) -3 V (D) +5 V (E) -5 V。
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| B |  ?  (A) 3 (B) -3 (C) 5 (D) -5 (E) 6 。
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| E | 30.於電晶體型號2N2186 (PNP)損壞時，除電晶體2N2I86外，其可替代電晶體型號為： (A) 2N918 (B) 2N2219 (C) 2N2220 (D) 2N2193 (E) 2N2946 。 |
| E | 31.電晶體2N2222A之貝他（冷）範圍為： (A) 20〜60 (B) 40〜120 (C) 20〜200 (D) 25 (E) 100〜300 。 |
| B | 32.X0R邏輯閘，當兩組輸入分別是1，0和1，1，其輸出結果是： (A) 1,1 (B) 1,0 (C)0，0 (D) 0,1 (E)不一定。 |
| C | 33.將二進位數值（11.101>轉換為十六進位數值，下列何者正確？ (A) (3.5)16 (B) (3.625)16 (C) (3.A)16 (D) (3.B)16 (E) (3.C)16。 |
| B | 34.用來監督管理電腦所有資源的軟體為： (A)管理資訊系統(B)作業系統 (C)檔案系統 (D) I/O系統 (E)週邊系統。 |
| B | 35.計算機中那一部門負責指令的解釋？ (A)輸入部門 (B)控制部門 (C)記憶部門 (D) ALU (E)輸出部門。 |
| A | 36.下列那一個數值與（62.3)8-(36.5) 8的運算結果相等？ (A)(23,6)8 (B) (25.8)8 (C)(25.8)10。 (D) (26.0)8 (E) (25.0)8。 |
| C | 37.人工智慧研究領域中之「專家系統(Expert Systems)」又稱為： (A)資料庫系統 (B)管理資訊系統(C)知識庫系統 (D)決策支援系統(E)神經網路系統 |
| A | 38.CPU在執行程式時，其讀取資料①主記憶體、②快取記憶體及③輔助記憶體時，順序為： (A)②①③ (B)①②③ (C)①③② (D)②③① (E)③①②。 |
| A | 39.101012 之 l’s 補數為： (A) 010102 (B) 101102 (C) 010112 (D) 111112 (E) 000002 。 |
| A | 40.下列何者屬於系統軟體： (A) Windows 98 (B) Excel (C) AutoCAD (D) PowerPoint (E) WinZip 。 【複選題：共10題，請就各題選項中選出所有符合題意者為答案，每題答案為二個（含） 以上，全部答對者始給分，答錯者，該題不予計分，亦不扣分。】 |
| A,D,E | 41.電力線的性質有： (A)正電荷沿受力方向連續移動所形成的執跡 (B)電力線起終於同一導線 (C)永遠平行於導體表面 (D)永遠不相交 (E)愈密集代表電場強度愈大。 |
| A,B,C | 42.下列那些是電場強度單位，或可化成電場強度單位？ (A)牛頓/庫倫(B)牛頓/基本電荷 (C)伏特/米 (D)電子伏特 (E)焦耳/基本電荷。 |
| A,D | 43.磁針N極在磁場中指的方向為： (A)該點磁力線方向 (B)該點磁力線之相反方向 (C)該點磁力線垂直方向 (D) N極所受磁力之方向 (E) S極所受磁力之方向。 |
| A,D,E | 44.下列物理量，何者是力學的基本物理量？ (A)長度 (B)溫度 (C)速度 (D)時間 (E)質量。 |
| A,B,C |   |
| A,C,E | 46.電晶體電路測試儀器，包括： (A)電晶體測試儀(B)壓力計 (C)示波器 (D)差壓計 (E)三用電表。 |
| B,C,D | 47.電晶體應用時，如果發生過熱，其解決方法有： (A)使用防塵罩 (B)加強冷氣空調 (C)使用瓦特數較高之電晶體 (D)電晶體加裝散熱座 (E)不必理會。 |
| A,B,C,D | 48.以下何者為計算機的硬體設備? (A)輸入單元 (B)輪出單元 (C)CPU (D)記憶單元 (E)作業系統單元。 |
| A,C,D | 49.下列何者屬於網際網路（Internet)的應用？ (A)電子佈告欄(B)電子書 (C)遠距教學 (D)視傳會議 (E)檔案管理系統。 |
| A,B,D,E | 50.下列有關作業系統的敘述，何者正確？ (A) MS-DOS為單人單工作業系統 (B) Windows 98為單人多工作業系統 (C) UNIX為多人單工作業系統 (D) Linux為多人多工作業系統 (E) Windows NT為多人多工作業系統。 |
| B | 1.矽半導體的材料能隙（Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化？ (A)能隙變大，阻抗值變小 (B)能隙與阻抗值均變小 (C)能隙與阻抗值均變大 (D)能隙變小，阻抗值變大 |
| A | 2.將硼元素摻雜進純矽晶體中，則成為何種型式的半導體？ (A) P 型 (B) N 型 (C) I 型 (D) J 型 |
| C | 3.整個P型半導體是呈現？ (A)負電性 (B)正電性 (C)電中性 (D)視雜質原子序而定 |
| C | 4.半導體因溫度的關係造成共價鍵破壞，此時半導體會產生？ (A)僅有自由電子 (B)僅有電洞 (C)自由電子及電洞 (D)正負離子 |
| B |  (A)3V (B)6 V
(C)9 V (D) 12 V
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| D | 6.—個全波整流器其輸入弦波頻率為fs，整流後輸出信號的週期為： (A)4/fs (B)2/fs (C)l/fs (D)l/(2fs) |
| C | 7.—個直流電壓源，電壓為24V，内阻為2Ω ，滿載提供的電流為2A，此電源的電壓調整率為： (A) 10 % (B) 15 % (C) 20 % (D) 25 % |
| A | 8. BJT電晶體的結構中，其「摻雜濃度最高」及「寬度最薄」的部份分別為： (A)射極；基極 (B)集極；射極 (C)集極；基極(D)射極；集極 |
| C | 9.下列有關BJT電晶體的敘述，何者錯誤？ (A) PNP電晶體的少數載子為電子 (B)NPN電晶體的少數載子為電洞 (C) PNP電晶體的頻率響應特性優於NPN電晶體 (D)兩個接面偏壓（BE, BC )不可隨意調換 |
| A | 10.欲使BIT電晶體能具線性放大的功用，則B-E接面及B-C接面應分別作何種偏壓？ (A)B-E接面順向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (B)B-E接面逆向偏壓’ B-C接面逆向偏壓 (C)B-E接面逆向偏壓，B-C接面順向偏壓 (D)B-E接面順向偏壓，B-C接面順向偏壓 |
| D | 11•下列有關BJT電晶體三種組態：共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)的特性，何者錯誤？ (A) CB的電壓增益最大 (B) CE的功率增益最大 (C) CC的輸入阻抗最高 (D) CB的輸出阻抗最低 |
| A |  (B)  (C)VCE = 0 (D) Ic=0
|
| D | 13•當BJT電晶體進入飽和區時，此時集極與射極間的電壓 | VCE |約為多少V? (A) 1,2 (B)3 (C)4 (D) 0.2 |
| B | 14, BJT電晶體元件中主要載子的流動方向為： (A)由基極流向集極 (B)由射極流向集極 (C)由基極流向射極 (D)由集極流向射極 |
| A |  【題組】15,，假設原來的工作點為Q點，當Re電阻值變小 時，其新的工作點應近似於【圖2-2】中的那一點？ (A) A 點 (B) B 點 (C) C 點 (D) D 點 |
| C | 【題組】16,承上題’當 Vcc = 15.7 V ’ RB = 150 kΩ，
Rc = 1 kΩ, VBE = d7 V ’ β=100，求 Vc = ? (A) 2.7 V (B) 0.3 V
(C)5.7V (D) 15.7 V
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| A | 【題組】17•承15題【圖24】，若在射極與地之間串接一電阻Re，其作用為： (A)增加直流偏壓工作點的穩定度 (B)提高小信號的電流增益 (C)降低輸出電阻 (D)提高小信號放大的電壓增益 |
| B |  【題組】18’若Ve=—0.7 ’β = 92，求Ic= ? (A) 0.23 mA (B) 0.46 mA (C) 0.92 mA (D) 1.00 mA |
| B | 【題組】19.承上題，求VCE= ? (A) 5.4 V (B)6.1 V (C) 7.0 V (D)8.2V |
| D | 
(A) -0.6 V (B) -0.7 V (C) -2.0 V (D) -2.2 V
|
| B | 
(A) 1.5 mA (B) 2.5 mA (C) 3.5 mA (D) 4.5 mA
|
| A |  (A) 2.5 (B)3.5 (C) 4.5 (D) 5.5
|
| D | 23.— 個三級的串級放大電路，已知 Av1 = —50，AV2 = —20，Av3 = 一 10，且 Ail —=10，Ai2 = —10 ，Ai3 = 10，則此串級電路的總功率增益為： (A) 104 (B) 105 (C) 106 (D) 107 |
| A | 24. A類、AB類、B類及C類等四種功率放大器，依失真度「由大到小」的排列為： (A) C、B、AB、A (B) A、B、AB、C (C) C、AB、B、A (D) A、AB、B、C . |
| D | 25.某電路的輸入為4sin(20t) + 9sin(45t)，而輸出為8cos(20t) + 18cos(45t)，則此電路有何失真？ (A)振幅失真 (B)頻率失真 (C)諧波失真 (D)相位失真 |
| C | 26.下列有關串級放大器的耦合方式敛述，何者錯誤？ (A)電阻7電容耦合結構較簡單，但功率損失較大(B)變壓器耦合之阻抗匹配容易，但成本較高 (C)直接耦合之低頻響應最佳且穩定性最好 (D)直接耦合可減少交連電路的損失 |
| B | 27.在RC耦合電路中，C值必須選擇非常大，其原因是： (A)產生穩定偏壓 (B)防止低頻衰減 （C)防止高頻衰減 (D)使直流順利通過 |
| D | 28.若以下列元件來設計隨耦器電路，試問何者的輸入阻抗最高？ (A)JFET (B)BJT (C)達靈頓電晶體 (D)MOSFET |
| B | 29.下列有關電晶體的敘述，何者錯誤？ (A) FET為單極性，BJT為雙極性 (B) FET為電流控制，BJT為電壓控制 (C) FET的交換速度較BJT慢 (D) FET為負溫度係數的元件 |
| B |  (A) 1 mA (B) 2 mA
(C) 3 mA (D) 10 mA
|
| D | 31. N通道增強型MOSFET的閘極與源極間之電壓VGS在下列 何種情況下才能使汲極電流Id導通? (VT為臨界電壓） (A) VGS> 0，VGS< VtT (B)VGS< 0，VGS> VtT (C)VGS< 0，VGS< VtT (D)VGS> 0，VGS >VtT |
| C | 32.下列對互補式金氧半電晶體（CMOS)的敘述，何者錯誤？ (A)工作電壓約為3〜15 V (B)扇出（Fan-out)數可超過50 (C)傳輸延遲時間比TTL的短 (D)靜態消耗功率比TTL的小 |
| D | 33.下列電路，何者為運算放大器主要的輸入結構？ (A)光耦合電路 (B)RC耦合電路 (C)達靈頓電路 (D)差動電路 |
| C | 34.下列有關理想運算放大器的敘述，何者錯誤？ (A)輸入阻抗無窮大 (B)輸出阻抗為零 （C)開路增益為零 (D)可做加減法器 |
| D | 35. —運算放大器的迴轉率（SlewRate) SR = 3.14 V/μ s，若欲獲得輸出電壓峰對峰值為10VPP， 試問在不允許失真下，輸入正弦波的最高允許頻率為多少kHz? (A) 400 (B) 200 (C) 50 (D) 100 |
| A | 36.用運算放大器組成的非反相放大器，是屬於下列何種負回授？ (A)電壓串聯 (B)電壓並聯 (C)電流串聯 (D)電流並聯 |
| C | 37•欲提高差動放大器的共模拒斥比CMRR，射極的直流阻抗（RE)及交流阻抗（re)應如何選擇？ (A)兩者皆採用低阻抗 (B)兩者皆採用高阻抗 (C) RE採用高阻抗， re採用低阻抗 (D) RE採用低阻抗，re採用高阻抗 |
| C | 38.—個差動放大器的差模增益Ad= 100，共模增益Ac = 0.01，則其共模拒斥比CMRR= ? (A) — 80 dB (B) 一 40 dB (C) 80 dB (D) 40 dB |
| D | 39.—般頻率計數器將待測信號輸入後，可由下列何種電路轉換為脈波後，來控制計數器的計數？ (A)積分電路 (B)微分電路 (C)箝位電路 (D)樞密特觸發電路 |
| C | 40.欲使輸出電壓穩壓在一5 V (負5V)，應選擇下列何者1C? (A) 7402 (B) 7805 (C) 7905 (D) LM 340-05 |
| A |  (A)方波 (B)三角波 (C)脈衝波 (D)弦波
|
| A |  【題組】42,若Vi> 0，則Vo = ? (A) — (VZ2 + VD) (B) VZI+ VD (C)VZ2 + VD (D) —( VZI + VD) |
| B | 【題組】43•承上題，若Vi < 0，則V0 = ?
(A) -(VZ2 + VD) (B) VZI + VD (C) VZ2 + VD (D) — (VZ1 + VD)
|
| D | 
(A)全波整流器 (B)半波整流器 (C)微分器 (D)峰值檢波器
|
| B | 
(A) 2 (B)3 (C)4 (D)6
|
| C |  (A) -15 V (B) -10 V (C) -5 Y (D)4V
|
| B |  【題組】47.若VZ = 6 V，VCC = 10 V， R1 = Rf = 1 kΩ ，R2 = 3 kΩ，求 If= ? (A) 1 mA (B) 2 mA (C) 3 mA (D) 4 mA |
| D | 【題組】48.承上題，欲使該電路成為一個與Rf無關的定電流源，則須滿足下列何種條件？ (A) VCCx R1 / (R1+ R2) > VZ (B) VCC x R2 / (R1 + R2)〈 VZ (C) VCC x R1/ (R1 + R2) < VZ (D) VCC x R2 / (R1 + R2)〉VZ
|
| A | 49.一個理想電壓調整器的輸出阻抗應為： (A)零 (B)無限大 (C)等於負載電阻 (D)中等大小即可 |
| C | 50.傳統式穩壓電路與交換式穩壓電路，此兩電路中的電晶體分別作何種用途？ (A)皆為開關使用 (B)前者為開關，後者為放大 (C)前者為放大，後者為開關 (D)皆為放大使用 |
| B | 1下列何者不是變壓器耦合放大器之優點？ (A)提高功率轉移效率 (B)改善頻率響應 ， (C)提供前後兩級之阻抗匹配 (D)提供直流隔離作用 |
| C | 2PN二極體在接面附近所形成接觸電勢的極性是： (A)視偏壓大小而定 (B)P端為正，N端為負 (C)P端為負，N端為正 (D)無正負極之分 |
| C | 3。對一 60 Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60 Hz的漣波時，則其電路可能為： (A)變壓器二次侧短路(B)濾波電容器漏電 (C)有一個二極體開路(D)無異常 |
| B | 4在不考慮漏電流之關係下，下列有關電晶體的描述何者有誤？ (A) Ic=βxIb (B) β = a/(l + a) (C) IE=IC+IB (D) Ic=α xIE . |
| B | 使用指針式三用電錶，轉到低電阻檔(如xlOO)，用紅棒接觸電晶體任一腳，再以黑棒接觸其 他兩腳，此時電錶指針都會產生大偏移 【題組】5，則此紅棒接觸之腳為： (A)集極端 (B)基極端 (C)射極端 (D)條件不足無法判斷 |
| B | 【題組】6。同上題，此電晶體為何種型態？ (A) NPN (B) PNP (C) FET (D)無法判別 |
| C |  (B)oo  (C)數百  至數仟  (D)與極性有關，無法測量
|
| A | 8。N通道加強型MOSFET的閘-源電壓VGS應如何才能使汲極電流ID導通(註：VT是臨界電壓)？(A) VGS> 0，VGS< VT (B) VGS> 0，VGS> VT (C) VGS < 0，VGS< VT (D) VGS < 0，VGS> VT |
| C | 9使用CMOS元件，應避免下列何種錯誤行為？ (A) CMOS存放不用時，可以用錫箔包裹 (B)避免用手觸CMOS的引線 (C)電路上不用之輸入端保持空接 (D)使用之電源電壓通常可由3 V至15 V |
| C | 10。共射極組合的電路中，其電晶體的β值相當於那一參數？ (A) hie (B) hre (C) hfe (D) hoe . |
| A | 11。對直流耦合放大器而言，下列敘述何者為真？ (A)低頻響應佳，工作點較不穩定 (B)低頻響應差，工作點較穩定 (C)低頻響應佳，工作點較穩定 (D)高低頻響應皆佳，工作點亦穩定 |
| B | 12. 一放大器的胃3 dB頻率為20 Hz及15 KHz，設其工作於標準測試頻率(1 kHz)時的輸出為20 W ，求其工作於20 Hz和15 kHz時的輸出功率為： (A)5W (B) 10 W (C) 15 W (D) 20 W |
| B | 13.某一電路對於不同頻率的信號，其延遲時間不同，則此放大器有下列何種失真？ (A)非線性失真 (B)相位失真 (C)頻率失真 (D)諧波失真 |
| D | 14,功率電晶體多用矽質的主要原因為？ (A)製造簡單 (B)漏電流小 (C)成本較低 (D)矽耐溫較高 |
| B | 15•使用一交直流電壓錶測得一濾波電路的輸出電壓，獲得25 V直流電壓及峰值4V之交流電壓 ，則其漣波百分比為： (A)16% (B) 11.3% (C) 5% (D) 9.5% |
| C | 16.四級串接放大器中，各級的電壓增益為10，則總電壓增益為： (A) 120 dB (B) 100 dB (C) 80 dB (D) 140 dB |
| D | 17。下列何種輸入信號通過微分器後，其輸出訊號波形與輸入波形是相同？ (A)方波 (B)三角波 (C)鋸齒波 (D)正弦波 |
| C | 18•交換式電源穩壓電路，一般是以何種技術來控制功率半導體的導通時間？ (A)半波整流 (B)截波箝位 (C)脈寬調變 (D)電容濾波效應 |
| C | 19.下列元件中那一種不適合當作感測器？ (A)應變計（strain guage ) (B)熱電偶 (C)發光二極體 (D)光電晶體 |
| A | 20場效電晶體做為線性放大器時，下列何種區域為其操作區？ (A)定電流區 (B)定電壓區 (C)截止區 (D)崩潰區 |
| D | 21下列何種二極體，其正常使用非在逆向偏壓的情形下？ (A)光電二極體 (B)稽納二極體 (C)變容二極體 (D)發光二極體 |
| B | 22射極隨耦器之阻抗特性是： (A)高輸出阻抗5低輸入阻抗 (B)高輸入阻抗’低輸出阻抗 (C)兩者均大 (D)兩者均小 |
| C | 23。下列何者不是光|禺合器（opto-coupler)或稱光隔離器（opto-isolator)的主要特徵？ (A)輸入與輸出之間完全絕緣 (B)無接點，故使用壽命長 (C)信號可於此元件的輸出與輸入間雙向往來(D)響應速度快 |
| D | 24下列何種放大器不適合用在聲頻放大器作為放大音樂、語言等？ (A)A 類(B)B 類(C)AB 類(D)C 類 |
| C |  【題組】25。下列有關此電路之描述何者為誤？ (A)此電路為共射極放大電路 (B)CE為旁路電容，可提高交流增益 (C)採固定偏壓法，溫度穩定性不佳 (D)C1為阻隔電容，可用來阻隔Vin之直流偏壓  |
| D |  ，RB2=5 k  ’ RC=10 k  及 RE=15 k  ，且假 設電晶體之電流增益β很大，且電晶體BE接面的切入電壓為0.7V，計算電路中的直流偏壓，下列何者錯誤？
(A) VE=15 V (B) VCE=19.8 V (C) VB=22 V (D) VRC=10 V
|
| C | 27。積體電路元件：編號7912的穩壓積體電路，其固定輸出電壓為？ (A) -5 V (B) 12 V (C)-12V (D) 5 V |
| D | 28. 二極體中逆向漏電流對溫度極為敏感，通常在PN接面之溫度每遞增10°C，可使逆向漏電流增加： (A) 20% (B) 50% (C) 80% (D) 100% |
| D | 29針對大電流負荷之濾波應採用何者較佳？ (A)電阻輸入濾波器 (B)電阻電容濾波器 (C)電容輸入濾波器 (D)電感濾波器 |
| B | 30•與雙極性接面電晶體相比，下列何者不是場效應電晶體(FET)的主要優點？ (A)不易受輻射的影響(B)操作速度比較快 (C)輸入阻抗高 (D)熱穩定度較佳 |
| B | 31下列何種FET在不加閘極電壓時，沒有通道產生？ (A) N 通道 MOSFET (B)增強型 MOSFET (C)空乏型 MOSFET (D) JFET |
| B |   (B) -0.5 k  (C) 0.5 k  (D) 1 k   |
| C |  (A) 20 dB (B)_3dB (C)0dB (D) 17 dB .
|
| C |  ，4 k  時，Vout分別為： (A)8V，10V (B) 12V，10 V (C) 10V，12 V (D)10V，8V |
| B |  (A)- 4 V (B) -8 V (C) -8/3 V (D) -2/3 V
|
| C |  (A) 6 V (B) 5.23 V (C) 7.44 V (D) 8.06 V |
| B | 37功率電晶體之集極與外殼接在一起，其最主要的目的為？ (A)易於辨認 (B)散熱較佳 (C)製造方便 (D)美觀大方 |
| D |  (A) 43 mA (B) 2«5 mA (C) 52 mA (D) 4.8 mA
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| A |  (A) VCE = 2.5 V(B) VC = -4V(C) IE = 4 mA (D) VB =-5 V
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| C | 
(A) Cl，C2 (B) C3，C4 (C) C2，C3 (D) C2，C4
|
| A |  (A)溫度補償 (B)防止雜訊 (C)保護電晶體 (D)半波整流 |
| C |  (A)8V (B)11V (C) 10 V (D)9V
|
| B |  (A)lVm (B) 2 Vm (C) 3 Vm (D) 4 Vm
|
| D |  ，C3=20|  ，汲_源極飽和電流 IDSS = 4mA，汲-源極夾止電壓VGS(off) = Vp= -4 V，求VGS偏壓為多少伏特?  (A) -9 + 4√3 (B)3√3-8 (C) 3√3-7 (D) -8 + 4√3
|
| D | 
(A) 3.5 k  (B) 2.5 k  (C) 2 k  (D) 3 k  |
| A |  (A) 250  (B) 400  (C) 500  (D) 1  |
| B |  ，求電壓增益為何？  (A)-10 (B)-20 (C) 10 (D) 20
|
| D |  5 hoe = hre=0，電容阻抗不計， 試利用近似等效模型求Io/Ii約為？  (A) 150 (B)-150 (C) 75 (D) -75
|
| C | 
(A)提高小信號放大之電壓增益 (B)降低輸出電阻
(C)增加直流偏壓工作點的穩定度 (D)提高電路的抗震性
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| A | 50.晶體共射極放大器若加入射極電阻，但不加射極旁路電容，則下列途述何者正確？ (A)電壓增益降低 (B)輸出阻抗降低 (C)輸入阻抗降低 (D)非線性失真增加 |
| B | 1.將兩個相同頻率響應的單級放大器串接為二級放大器，則頻帶寬度比單級放大器的頻帶寬度： (A)增加 (B)減少 (C)不變 (D)無法判斷 |
| B | 2.某矽質二極體，在溫度25 °C時的逆向飽和電流為5 nA，若溫度上升至55 °C時，則逆向飽和電流變為多少？ (A)30 nA (B) 40 nA (C) 60 nA (D) 80 nA |
| C | 3.晶體振盪器的石英晶體之用途為： (A)回授 (B)放大 (C)儲能 (D)穩壓 |
| D |  (A)16V (B)15.3 V (C)8V (D) 7.65 V
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| C |  (A)21.21Vdc (B)10.6Vdc (C) 9.54 Vdc (D) 7.5 Vdc
|
| B | 6.下列何種二極體較適合高頻整流用？ (A)—般二極體 (B)蕭特基二極體 (C)變容二極體(D)稽納二極體 |
| C | 7.以三用電表測量一 NPN電晶體之好壞，將電表置於R檔，則下列敘述哪項為正常現象? (A)黑棒接C極且紅棒接B極時導通，反接為導通 (B)黑棒接C極且紅棒接E極時導通，反接為導通 (C)黑棒接C極且紅棒接B極時不導通，反接為導通 (D)黑棒接E極且紅棒接B極時不導通，反接為不導通 |
| D |  (A) 500 Ω (B) 750 Ω (C) 800 Ω (D) 1000 Ω |
| A | 9.下列何者是主動元件？ (A)電晶體 (B)電容器 (C)繼電器 (D)電阻器 |
| C | 10. 60 Hz之電源經橋式整流後所得之漣波頻率為： (A) 30 Hz (B) 60 Hz (C) 120 Hz (D) 240 Hz |
| C | 11 •何種負回授可增加輸出阻抗且降低輸入阻抗？ (A)電壓並聯負回授(B)電流串聯負回授 (C)電流並聯負回授 (D)電壓串聯負回授 |
| D |  =50，VBe=0.7 V ’ VCE(sat)=0.2 V，則下列VB值何者可確保電晶體 工作於飽和區？  (A) 0.5 V (B) 1V (C)1.5V (D)2V
|
| A | 
(A)繼電器動作時，電晶體必須工作於線性區(B)二極體D為吸收反電動勢，以保護Tt用 (C)繼電器未動作時，NC與COM相通 (D)繼電器動作時，NO將與COM相通
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| D |  (A)115 (B) 144 (C) 200 (D) 230
|
| D |  (A)可當作微分器使用 (B)為一高通濾波網路
(C)在頻率無限大時相位移為0度 (D)為一輸出電壓相位落後網路
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| B |  (A) 7.5 mA (B) 7.15 mA (C) 6.8 mA (D) 3.58 mA
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| A | 17. 二級之積體電路運算放大器，其頻率補償電路跨接何級？ (A)輸出級 (B)輸入級 (C)短路保護電路 (D)偏壓級 . |
| D | 
(A)可變電阻VR的作用為直流平衡調整 (B) Vi2接地，則形成單端輸入雙端輸出差動放大器
(C)VR太大將會使差動增益降低 (D)調整VR對電路之直流平衡點沒有影響 |
| B | 
(A)0.12 μF (B) 0.08 μF (C) 0.04 μF (D) 0.026μ F
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| C | 
(A)C之電容太大 (B)電容器耐壓太小 (C)R之阻抗值太小 (D)輸入訊號Vi頻率太高
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| B |  (A) 12 V (B) 17 V (C)21 V (D)25V
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| C |  【題組】22.則直流電壓增益Vo/Vi 為(A) -0.01 (B) -100 (C) -200 (D) 200 |
| C |   |
| D |  【題組】24.則Vo為： (A)8V (B) -8V (C)+15 V (D) -15 V |
| C |  t)V時，則示波器測量到的V2波形，下列哪項正確？
(A)直流 (B)方波 (C)正弦波 (D)脈波
|
| B |  【題組】26.流過D1的電流大小約為多少？ (A) 12.5 mA (B) 25 mA (C) 50 mA ' (D) 75 mA |
| C | 【題組】27.續上題（第26題），流過RL的電流大小約為多少？ (A) 12.5 mA (B) 25 mA (C) 50 mA (D)75mA |
| D | 28.場效電晶體(FET)與電晶體(BJT)比較，場效電晶體(FET)之優點為何？ (A)電壓增益較大 (B)電流增益較大 (C)頻帶寬度較大 (D)輸入阻抗較大 |
| A | 29.—放大器輸出阻抗為5 kΩ，欲使8 Ω的揚聲器能與放大器匹配，則須加變壓器匝數比為： (A)25 (B) 50 (C)75 (D) 100 |
| D | 30.B類放大器的特性為： (A)失真小，效率低(B)失真小，效率高 (C)失真大，效率低 (D)失真大，效率高 |
| A | 31.使用分貝(decibel)係因為： (A)使用方便 (B)增加準確度 (C)低功率 (D)增加靈敏度 |
| D | 32.R-2R梯形網路D/A轉換器的優點是： (A)電路簡單 (B)所需電阻數較少 (C)所需開關數目較少(D)只用兩種電阻 |
| C | 33.電晶體開關OFF時，電晶體相當於進入： (A)飽和區 (B)工作區 (C)截止區 (D)崩潰區 |
| B |  (A) 11.2 V (B) 12.3 V (C) 13 V (D) 13.2 V
|
| A | 35.變容二極體之電容，常用下列何者來調變？ (A)反向電壓 (B)順向電壓 (C)順向電流 (D)溫度 |
| A |   |
| D | 37.某一 N通道增強型MOSFET的VDS=4 V，元件參數K=0.5 mA/V2，臨界電壓VT=2 V，若元 件工作於夾止區且ID=2 mA，則VGS為多少？
(A) -2 V (B) +2 V (C) -4V (D) +4 V
|
| C | 38.對於電晶體的三種基本組態而言，下列哪項敘述不正確？ (A)共射極組態功率增益最大 (B)共集極組態常作為阻抗匹配之用 (C)共基極組態中輸出與輸入信號相位差180° (D)共集極組態電壓增益約為1 |
| A | 39.排除控制電路故障，最簡便之檢查儀表為何？ (A)三用電表 (B)電流表 (C)電壓表 (D)高阻計 |
| B | 40.下列措施，何者不能防止靜電對電子元件之破壞？ (A)人員帶接地手環(B)穿平底膠鞋 (C)使用離子吹風機 (D)桌面舖導電性桌墊 |
| D |  (A)—50 (B) -100 (C) -150 (D) -200 |
| A | 42.三用電表的+20 dBm點，係在電壓刻度上的： (A) 7.75 V (B) 1 V (C) 0.775 V (D) 0.707 V |
| C | 
(A) 3.125 V (B) 4.75 V (C) 6.25 V (D) 7.5 V
|
| B |  (A)更換OPA (B)將R2電阻值調大 (C)將R2電阻值調小 (D)加大電源電壓 |
| A | 45. μA741運算放大器哪兩隻接腳用於消除抵補電壓的誤差值？ (A)l 與 5 (B)2 與 6 (C)l 與 6 (D)3 與 7 |
| A | 46.由DC電源變換成AC電源，最常用的裝置為： (A)變流器 (B)整流器 (C)倍壓器 (D)濾波器 |
| B | 47•若NPN電晶體工作於工作區，其三端的電壓關係為： (A)Ve>Vb>Vc (B)Vc>Vb>Ve (C)Vb>Vc>Ve (D)Vc>Ve>Vb |
| B | 48.有一差動放大器，其Vi1=150 μV、Vi2=100 μV、Ad=1000、CMRR=100 >輸出電壓為何？ (A) 50 mV (B) 51.25 mV (C) 70.25 mV (D) 150 mV
|
| B |  (A) -2 (B) -4 (C) -6 (D) -12
|
| D | 50.CMOS邏輯1C的正常工作電壓範圍約為多少伏特？ (A) +5 V (B) +12 V (C)±15V (D) 3-15 V |
| A | 1.有一正弦波電流信號i(t)=110sin(377t-150°) A ,則當t=l/120秒時之瞬時電流值為何？ (A) 55 A (B) 95 A (C) 110 A (D) 141 A |
| B | 2_下列何種二極體具有負電阻特性？ (A)光電二極體 (B)透納二極體 (C)稽納二極體 (D)變容二極體 |
| C | 3.直流電源供應器係用來將交流電源轉換為直流電源，在經變壓器後，其轉換過程通常依序為何？ (A)濾波→穩壓→整流(B)穩壓→整流→濾波(C)整流→濾波→穩壓(D)整流→穩壓→濾波 . |
| C | 4. 100 V有效值之交流正弦波電壓，經半波整流與濾波後，其輸出電壓值為何？ (A)45 V(B) 90 V (C) 141 V (D) 282 V |
| D | 5.某BJT電晶體操作在基-射極接面為順偏壓，基-集極接面為逆偏壓情況下，已知IE=60 mA及 IC=59.5 mA ,求IB及β值為何？ (A) 119.5 mA、39 (B) 119.5 mA、119 (C) 0.5 mA、39 (D) 0.5 mA、119 |
| B |  (A) 20 V (B) 40 V (C) 60 V (D) 80 V
|
| A |  (A)2.1 kΩ (B)1.2 kΩ (C)0.8 kΩ (D)0.5 kΩ |
| B |  (A) 1V (B)3 V (C)5V (D)6V
|
| A |  之電阻兩端，則電阻消耗之功率為何？
(A)5W (B)10 W (C) 15 W (D) 20 W |
| C |  【題組】10.求 電路之小訊號電壓增益Av=V0/Vi約為何？ (A) -50 (B) +50 (C) -100 (D) +100 |
| B | 【題組】11.承第10題，試求VCE2為何？ (A) 5 V (B) 6.1 V (C)8V (D) 9.3 V |
| C | 12.在音響擴大機應用電路中，常用來驅動負載喇叭的電晶體組態電路為何？ (A)共射極 (B)共閘極 (C)共集極 (D)共基極 |
| A | 13.下列有關雙極性電晶體三種基本放大器間比較之敘述，何者有誤？ (A)共基極之輸出阻抗最低 (B)共射極之功率增益最高 (C)共射極為反相放大 (D)共集極之輸入阻抗最大 |
| B | 14.在一 RC耦合電路中，C須取大值，其原因為何？ (A)消散高功率 (B)防止低頻衰減 (C)產生較佳之偏壓穩定 (D)級與級間之直流可順利通過 |
| B |  、Rc2=0.5 k、 Rc1= RE1= RE2=1 k，假設Q1、Q2之共射極電流增益分別為99、48， 【題組】15.請問IB1為多少? (A) 0.05 mA (B) 0.1mA (C) 0.25 mA (D) 0.5 mA |
| C | 【題組】16.承第15題，試求IB2為何？ (A) 0.101 mA (B) 0.1mA (C) 0.202 mA (D) 0.25 mA |
| B | 17.某差動放大器，差模訊號電壓增益Ad為200，而共模拒斥比CMRR=80 dB，試求其共模訊號 電壓增益Ac為何？ (A) 0.002 (B) 0.02 (C) 0.2 (D) 2 |
| D | 18.達靈頓(Darlington)電路具有下列何種優點？ (A)高輸入電阻及小電流增益 (B)低輸入電阻及大電壓增益 (C)低輸入電阻及大電流增益 (D)高輸入電阻及大電流增益 |
| B |  ，Rc=2.5 k ’ RE=1 K ， Vcc=18 V，CE=5 F，C1C2=10F，則集極電流ICQ應為何?
 (A) 7.802 mA (B) 5.312 mA (C) 2.212 mA (D) 1.652 mA
|
| C | 20.下列多級放大器耦合類別中，何種耦合具有良好的低頻響應？ (A)電感耦合 (B)變壓器耦合 (C)直接耦合 (D)電阻電容耦合 |
| A |  之輸出阻抗下，將0.3 V之音頻訊號輸入至放大器’而放大器又將 30 W之電功率輸入至16 之揚聲器上，則此放大器之分貝功率增益為何？
(A) 50 dB (B) 60 dB (C) 70 dB (D) 100 dB
|
| B | 22.三級放大器其各級之電壓增益分別為50、100及200，試問其總分貝電壓增益為若干？ (A) 100 dB (B) 120 dB (C) 150 dB (D) 200 dB |
| D |  |
| B |  、β=58，電晶體基射級順向導通電壓為0.7 V ’集射 極飽和電壓為0.4V，則可使電路得到最大不失真輸出訊號之電阻RB值約為多少? (A) 95 k (B)113k (C) 123 k (D) 196k |
| C |  (A) l0k  (B) 5 k (C) 2.5 k (D) 1 k |
| A |  (A)尖波加入後Q1與Q2皆進入截止狀態 (B)尖波加入後Q1與Q2皆進入飽和狀態
(C)尖波加入前Q1與Q2皆處於截止狀態 (D)尖波由+V至零，可使Q1與Q2由飽和進入
截止狀態 |
| C | 27.運算放大器之開路電壓增益為50000，其電源電壓為±10 V，令其輸出飽和電壓可達電源電壓 之90 %，請問Vid(差動輸入電壓)大約多少就可使該放大器飽和？ (A) ±135μV (B) ±135 mV (C)±180μV (D)±180mV |
| A | 28.若有 一 N 通道 JFET ’ 若 VGS=—1 V ’ 而 VGS(off)= — 4 V，則當 VDS=2 V 及 VDS=5 V 時，此 FET分別工作於何種區域？ (A)歐姆區，飽和區(B)飽和區，歐姆區 (C)截止區，歐姆區 (D)截止區，飽和區 |
| D | 29.下列哪一種元件的工作速度最快？ (A)N通道JFET (B)P通道JFET (C)PNP電晶體 (D)NPN電晶體 |
| C |  (A)正弦波 (B)工作週期=50%方波(C)工作週期>50%脈波(D)工作週期<50%脈波
|
| B |  (A) 0.2 mA (B) 0.4 mA (C) 0.8 mA (D) 1.0 mA
|
| D | 32.場效電晶體(FET)之工作原理是控制： (A)流過閘極電流 (B)通道中之載子濃度(C)流過接面電流 (D)通道寬度(厚度)大小 |
| B | 33.有關積分器及微分器的敌述，下列選項何者正確？ (A)方波通過微分器的輸出波形為正弦波 (B)方波通過積分器的輸出波形為三角波 (C)三角波通過積分器的輸出波形為正弦波(D)正弦波通過微分器的輸出波形為方波 |
| A | 34.下列關於濾波器的敘述，何者正確？ (A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器 (B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器 (C) RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比 (D)RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比 |
| D | 35.—理想運算放大器接上+15 V及一15 V電源，若將反相輸入端(一輸入端)接至+6 V，非反相 輸入端(+輸入端)接地，則輸出電壓為何? (A) +6 V (B) -6V (C)+15V (D) -15 V |
| D | 36.在正常的運用情況下，史密特觸發器(Schmitttrigger)的輸出波形為何？ (A)鋸齒波 (B)三角波 (C)正弦波 (D)脈波 |
| B | 37. RC相移振盪器，若以四節RC作為回授網路，則每節應產生幾度之相移？ (A)30。 (B)45° (C)90。 (D) 180。 |
| B | 38.石英晶體之零阻抗發生於何時? (A)串、並聯諧振頻率(B)串聯諧振頻率 (C)並聯諧振頻率 (D)不可能發生 |
| D | 39.零位檢測器為何種電路的一種應用？ (A) 二極體 (B)微分器 (C)加法放大器 (D)比較器 |
| B | 40.串聯2只200 pF之電容器後，再和16μH電感器並聯形成槽路(Tank)，其諧振頻率為何？ (A) 2 MHz (B) 4 MHz (C) 10 MHz (D) 16 MHz |
| C | 41.在矽晶體結構中，摻雜哪一種雜質才能成為N型半導體？ (A)鎵 (B)鍺 (C)砷 (D)硼 |
| D | 42.運算放大器之變動率(Slew Rate)為0.628 V/ns，欲使峰值為5 V之正弦波輸出不失真，則輪入 最高頻率為何？ (A) 20 kHz (B) 100 kHz (C) 2 MHZ (D) 20 MHZ |
| B |  (A)+13.5 V (B) -13.5 V (C) +20 V (D) -20 V
|
| C |  、gm=2 mA/V，則此電路的 中頻電壓增益V0/Vi為何？  (A) — 60 (B) -40 (C) — 24 (D) - 12
|
| D |  (A)0.5k  (B)lk (C)2k (D) 2.5 k |
| A | 46.下列關於JFET共汲極放大電路之敘述，何者正確？ (A)又稱源極隨耗器(B)電壓增益甚高 (C)電流增益低於1 (D)輸入與輪出訊號相反 |
| D |  (A) — 2 (B) -10.2 (C) — 20 (D) -102
|
| B | 48. LED發光顏色與下列何者有關？ (A)外加電壓大小 (B)材料能帶間隔 (C)外加電壓頻率 (D)通過電流大小 |
| D | 49.下列IC，何者由線性比較器與數位正反器組合而成？ (A)μA741 (B) 74LS00 (C)AD590 (D) NE555 |
| A |  ，其輸出阻抗Z0為何？  (A) 333 (B) 500 (C) 1 k (D)2k |