阿摩>试卷(2011/04/22)

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二極體與稽納二極體#4364 

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1.1.
2.2.
 
3.3.
 
4.4. PN二極體,欲使達到順向偏壓,則應在
(A)P加正極,N加正極
(B)P加負極,N加正極
(C)P加正極,N加負極
(D)P加負極,N加負極。
5.5. 一般的矽質PN二極體導通時,兩端的電位差約為
(A)1.2
(B)0.9
(C)0.6
(D)0.2 V。
6.6. 二極體不具下列何種功能?
(A)放大
(B)整流
(C)檢波
(D)截波。
7.7. 下列有關二極體材料的敘述何者錯誤?
(A)經過摻雜(Doping)處理的半導體稱為本質(Intrinsic)半導體
(B)具有5個價電子的雜質稱為施體(Donor)
(C)N型材料的多數載子是電子
(D)P型材料的少數載子是電子。
8.8. 在P型半導體中,傳導電流的載子主要是
(A)電子
(B)離子
(C)電洞
(D)質子。
9.9. 在室溫時,二極體電流為6.5mA,則其交流順向電阻為多少歐姆?
(A)1
(B)2
(C)4
(D)6 Ω。
10.10. 有一個二極體在室溫時的交流電阻為5Ω,則此時流經二極體的直流電流為多少mA?
(A)5.2
(B)4.8
(C)4.5
(D)3.8 mA。
11.11. 利用歐姆表來測量二極體,無論測試棒如何接法,指針的指示值均為低值,表示該二極體的狀況是
(A)正常
(B)斷路
(C)短路
(D)無法判斷。
12.12. 所謂理想二極體,下列敘述何者錯誤?
(A)順向時視為短路,逆向時視為開路
(B)順向電阻等於零,逆向電阻無限大
(C)無順向電壓降,無逆向電流
(D)順向電壓等於零,逆向電流無限大。
13.13. 某矽二極體在溫度20℃時之逆向飽和電流為5mA,若溫度上升至50℃時,則逆向飽和電流變為多少?
(A)30
(B)40
(C)50
(D)60 mA。
14.14. 純矽半導體本質濃度Nt=1.5×1010原子/cm3,其密度為5×1022原子/cm3,若每108個矽原子加入一個硼原子,電子濃度為多少?
(A)1.5×1010
(B)5×1022
(C)5×1032
(D)4.5×105 電子/cm3。
15.15. 將硼B元素摻進純矽晶體內,則成為
(A)N型
(B)P型
(C)I型
(D)J型 材料。
16.16. 當P型及N型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而P型半導體之空乏層內應有
(A)電洞
(B)電子
(C)負離子
(D)正離子。
17.17. 對一處於絕對零度(0ºk)之本質半導體,在此本質半導體之兩端加一電壓;若此本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內
(A)有電子流,也有電洞流
(B)有電子流,但沒有電洞流
(C)沒有電子流,但有電洞流
(D)沒有電子流,也沒有電洞流。
18.18. 障壁電勢乃是其區域內有
(A)電子
(B)電洞
(C)正離子及負離子
(D)正負電壓。
19.19. 稽納二極體常應用於
(A)放大
(B)濾波
(C)整流
(D)穩壓 電路。
20.20. 整塊N型半導體是呈現
(A)負電性
(B)視雜質原子序數而定
(C)正電性
(D)電中性。
21.1. 電子伏特是能量的單位,1eV=1.6×10-19焦耳。
(A)O
(B)X
22.2. 若將五價雜質摻入純矽(或鍺)中,就形成P型材料。
(A)O
(B)X
23.3. PN接合面所形成的空乏區中含有自由電子及電洞。
(A)O
(B)X
24.4. PN二極體接面所形成的障壁電勢,其極性是P端負,N端正。
(A)O
(B)X
25.5. 過渡電容CT隨逆向偏壓之增大而增大,成正比關係。
(A)O
(B)X
26.6. 二極體的好壞可以用三用電表來測量,即順向偏壓時成低阻抗,逆向偏壓時成高阻抗。
(A)O
(B)X
27.7. 當稽納二極體之摻雜濃度增加時,稽納電位將隨之降低。
(A)O
(B)X
28.8. 稽納二極體在正常工作時,通常接上順向偏壓。
(A)O
(B)X