Huang Howard>试卷(2014/12/10)

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92 年 - 初等考試電子學#18255 

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1.1 下列那一種元件在完全導通時,內部的電流同時包含電子及電洞二種載子?
(A)JFET
(B)真空管
(C)MOSFET
(D)BJT
2.2 下圖中的電路的轉移特性線(Transfer Characteristic)為:
3.3 對 BJT 共基極放大器而言,下列敘述何者不正確?
(A)高電壓放大率
(B)高電流放大率
(C)低輸入電阻
(D)有良好的高頻響應
4.4 下圖為一個 BJT 的低頻(Low Frequency)小信號(Small-Signal)混合π(Hybrid-π)等效電路,那一個元件可說明 因歐萊效應(Early Effect)產生的輸入及輸出間的回授? 
(A)gmvπ
(B)γb
(C)γμ
(D)γπ
5.5 CMOS 傳輸閘(Transmission Gate)有下列何種性質?
(A)是良好的類比開關(Analog Switch)
(B)是不好的數位開關(Digital Switch)
(C)在很窄的輸入信號範圍內,開關為 ON 的電阻值變化很大
(D)在開關為 OFF 時,電阻值很小
6.6 下列何者與 BJT 的歐萊電壓(Early Voltage)有關?
(A)和輸入電壓信號有關
(B)與通道長度調變(Channel Length Modulation)有關
(C)與外接電路有關
(D)與輸出電阻有關
7.7 在積體電路的 MOS 放大器中,用電流源(Current Source)的目的之一是:
(A)檢波
(B)濾波
(C)供給偏壓
(D)振盪
8.8 應用到放大器電路時,BJT 操作在何種狀況?
(A)射基極順偏,集基極反偏
(B)射基極順偏,集基極順偏
(C)射基極反偏,集基極順偏
(D)射基極反偏,集基極反偏
9.9 加主動負載(Active Loaded)的放大器是採用:
(A)負載電阻器
(B)負載電容器
(C)負載電感器
(D)電流源
10.10 如下圖所示,若電晶體工作在主動態區,且 hie = 0 Ω,hre = 0,求電壓放大率是多少? 
(A)-1000
(B)-10
(C)+10
(D)+1000
11.11 如下圖所示,設電晶體的β值為∞,求 VBB的值: 
(A)4 V
(B)2 V
(C)1.4 V
(D)0.7 V
12.12 下圖為一個振盪器電路,包括放大率為(-K)的放大器及β網路,則β網路可為:
13.13 下列何種放大器,失真度最小?
(A)A 類
(B)B 類
(C)C 類
(D)AB 類
14.14 下列何種元件有可能會產生熱跑脫(Thermal Runaway)現象?
(A)MOSFET
(B)真空管
(C)BJT
(D)JFET
15.15 一個 BJT,如基極電流為 0.3 mA,集極電流為 0.9 mA,β的最小值特定為 30,此 BJT 操作在:
(A)主動態區
(B)截止區
(C)三極體區
(D)飽和區
16.16 對 B 類放大器而言,下列何者不正確?
(A)只工作在飽和區
(B)靜態不消耗功率
(C)有交越失真(Crossover Distortion)
(D)功率轉換效率最高約 78.5%
17.17 一個 BJT 電路的操作點(Operating Point)為 Q(如下圖所示),此放大器為: 
(A)A 類
(B)B 類
(C)AB 類
(D)C 類
18.18 在分析一般運算放大器應用電路時,下列何者是不正確的假設?
(A)存在負回授
(B)每一個運算放大器的兩個輸入端電位相同
(C)流入每一個運算放大器輸入端的電流為零
(D)運算放大器(741)中有三個零點(ZEROs)
19.19 理想的轉阻放大器(Transresistance Amplifier)的輸入電阻 Ri及輸出電阻 Ro分別為:
(A)Ri = 0,Ro = 0
(B)Ri = 0,Ro = ∞
(C)Ri = ∞,Ro = 0
(D)Ri = ∞,Ro = ∞
20.20 對一個內部補償(Internally Compensated)的運算放大器,直流電壓放大率為 100 分貝,開迴路放大率的三分 貝頻率為 10 Hz,則在 100 Hz 時的運算放大器的放大率約為:
(A) 10 分貝
(B) 40 分貝
(C) 60 分貝
(D) 80 分貝
21.21 下列何者不是基本單級(Single-Stage)積體電路 MOS 放大器?
22.22 對理想運算放大器,下圖的輸入電阻為: 
(A)10 KΩ
(B)20 KΩ
(C)30 KΩ
(D)100 KΩ
23.23 下列何者對 MOSFET 為正確?
(A)空乏型(Depletion)MOSFET 不可操作在加強區(Enhancement mode)
(B)空乏型 MOSFET 的 VGS = 0 時,汲極(Drain)電流為 0
(C)加強型(Enhancement)MOSFET 可操作在空乏區(Depletion mode)
(D)加強型 MOSFET 的 VGS = 0 時,汲極電流為 0
24.24 741 運算放大器的內部電路中沒有下述那一種電路?
(A)輸入級
(B)放大級
(C)整流級
(D)輸出級
25.25 如下圖所示,設運算放大器為理想運算放大器,則 
(A)-11
(B)-10
(C)+10
(D)+11
26.26 「源極(Source)與基底(Substrate)的電壓差 VSB對臨限電壓(Threshold Voltage)的改變」,此敘述是下列那一種 效應所造成?
(A)密勒效應(Miller Effect)
(B)負載效應(Loading Effect)
(C)基體效應(Body Effect)
(D)霍爾效應(Hall Effect)
27.27 下列那一個該用運算放大器來做?
(A)解碼器(Decoder)
(B)正反器(Flip-Flop)
(C)計數器(Counter)
(D)電壓變電流轉換器(Voltage-to-Current Converter)
28.28 FET 的電流主要是受下述那個因素影響?
(A)擴散作用
(B)外加電場
(C)外加磁場
(D)重力場
29.29 正反器(Flip-Flop)是何種電路用的元件?
(A)類比電路(Analog Circuits)
(B)組合電路(Combinational Circuits)
(C)線性電路(Linear Circuits)
(D)序向電路(Sequential Circuits)
30.30 任意的邏輯函數(Logic Function)可只用下列那一種電路組成?
(A)及閘(AND gate)
(B)或閘(OR gate)
(C)反及閘(NAND gate)
(D)互斥或閘(Exclusive OR gate)
31.31 在數位應用中(Digital Applications),下列何者不是 CMOS 技術取代 BJT 技術的理由?
(A)CMOSFET 消耗功率較小
(B)MOS 電晶體的尺寸近年來快速減小
(C)MOS 電晶體有高輸入電阻
(D)近年來 MOS 電晶體的轉導(Transconductance)越來越大
32.32 如下圖所示,設 A 的放大率為-1000,β 的放大率為-0.024, 
(A)-44
(B)-40
(C)40
(D)44
33.33 一個環式振盪器(Ring Oscillator)可能連接多少個反相器(Inverter)形成一個迴路?
(A)2
(B)4
(C)72
(D)75
34.34 下圖所畫是一個 CMOS 數位電路,其中 Y=? 
35.35 右圖電路為何種濾波器? 
(A)高通(High Pass)
(B)低通(Low Pass)
(C)帶通(Band Pass)
(D)帶拒(Notch)
36.36 下列電路中,A、B 間的阻抗在共振頻率時為: 
(A) 0 Ω
(B) 10 Ω
(C) 20 Ω
(D)無限大
37.37 要避免負載效應(Loading Effect),理想的運算放大器的輸出電阻為:
(A)無限大
(B)1 MΩ
(C)1 KΩ
(D)0 Ω
38.38 非穩態多諧振盪器(Astable Multivibrator)會產生:
(A)二個穩定態(Stable State)
(B)一個穩定態,一個準穩態(Quasi-Stable State)
(C)兩個準穩態
(D)三個準穩態
39.39 下列何者不是晶體振盪器的特點?
(A)有較低的頻率
(B)有較高的頻率準確性
(C)較穩定
(D)用 RC 網路組成
40.40 一個壓電晶體(Piezoelectric Crystal)的電抗(Reactance)對頻率的圖顯示如下。如這個晶體用在振盪器中,使用 的頻率範圍為: 
(A)f < 0 Hz
(B) 0 Hz < f < 2.015 MHz
(C) 2.015 MHz < f < 2.018 MHz
(D) 2.018 MHz < f