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黎仲淇>试卷(2015/04/23)

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102 年 - 初等考試電子學#20816 

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1.1 如圖所示之電路,va =100sin  ωt V,vb = 100sin(ωt − 120° )V ,vc = 100sin( ωt − 240°)V,求其平均輸 出電壓為何? 
(A)82.7 V
(B)92.7 V
(C)102.7 V
(D)112.7 V
2. 2 以下關於 CMOS 傳輸閘的描述,何者正確?
(A)NMOS 的基體與外部電壓正值相連
(B)PMOS 的基體與外部電壓負值相連
(C)PMOS 和 NMOS 上的閘極控制電壓互補
(D)傳輸閘導通時輸入和輸出互補
3.3 一 DRAM 單元上使用 30 fF 的電容,在 6 ms 時間之內需更新一次。若電容上可容許 1 V 的信號損失, 則此單元中最大可容忍的漏電流約為多少?
(A)1 pA
(B)2 pA
(C)5 pA
(D)10 pA
4.4 下列有兩放大器應用電路,U1 與U2 為理想運算放大器,輸出電壓侷限在-10 V到+10 V之間,電阻 R1、R2、R3、R4均相等,若輸入電壓Vi1 及Vi2 為 2 sin(ωt)V之正弦波,試研判Vo1 與Vo2 之輸出響應 。
(A)Vo1 為-/+10 V、Vo2=4 sin(ωt)V
(B)Vo1=4 sin(ωt)V、Vo2 為-/+10 V
(C)Vo1、Vo2 均為-/+10 V
(D)Vo1、Vo2 均為 4 sin(ωt)V


5.5 圖示理想運算放大器電路,若 R1 = 3 kΩ、R2 = 7 kΩ、Ra =1 kΩ、Rf =19 kΩ , , v1 = 1V v2 = − 1V , 則輸出電壓 v0為若干 V?
(A)0
(B)4
(C)8
(D)10

6.6 如圖所示之MOS電路,Q 1  、Q2為P通道增強型MOSFET,Q3、Q4為N通道增強型MOSFET。此電路為 何種邏輯閘?  
(A)OR 閘 A
(B)NOR 閘 Q1
(C)AND 閘
(D)NAND 閘

7.7 圖中以G1及G2兩個NOR閘組成RS型正反器(Flip-Flop),下列何者為其正確的反應?
(A) R = 0 , , S = 0 Q = 0 R
(B) R =1, , S = 0 Q = 0
(C) R = 0 , , S =1 Q = 0
(D) R =1, , S =1 Q =1

8.8 圖中電路,假設 VIN = 0 ,  VG=VDD  ,VDD= V5 , C = Ff100 。 當 VO  =VDD ,  ID = 850μA 。 當VO  =VDD /2 , ID = 150μA 。則此電路的VO 從VDD降至VDD /2 所需要的時間約為:
(A)1 ns
(B)0.5 ns
(C)0.25 ns
(D)0.1 ns

9.9 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。若輸入信號的頻率為1 /( 2πRC) ,則電壓增益VO /VIN 的相 位角度(Phase Angle)為:
(A)90 度
(B)45 度
(C)-45 度
(D)-90 度 

10.10 如圖所示電路,稽納(Zener)二極體之限電壓為Vz = 5V ,當電阻值R1 = 2 kΩ,R2 = 3 kΩ,R3 = 6 kΩ, 輸出電壓Vo 為:
 
(A)  +10 V
(B)-10 V
(C)  +12 V
(D)-12 V 
11.11 下列何者屬揮發性記憶體?
(A)Flash
(B)Mask ROM
(C)DRAM
(D)E2 PROM
12.12 對於理想電壓放大器(Voltage Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?
(A)輸入阻抗為 0
(B)輸出阻抗為 0
(C)輸出阻抗無限大
(D)輸出阻抗與電流放大器特性相同
13.13 對一般雙極性電晶體而言,如果 β 值要大,電晶體的選擇是:
(A)NPN 電晶體,基極寬度要大
(B)NPN 電晶體,基極寬度要小
(C)PNP 電晶體,基極寬度要大
(D)NPN 電晶體,基極寬度與 β 值無關
14.14 增強型 MOSFET 的導通通道如何形成?
(A)基板(Substrate)表面的多數載體因電場作用形成
(B)基板表面的少數載體因電場作用形成
(C)以擴散技術在基板表面形成
(D)以離子植入在基板表面形成
15.15 所謂的本質(Intrinsic)半導體是指:
(A)只有受體(Acceptors)加入
(B)除晶體原子外,沒有摻雜其他雜質
(C)只有施體(Donors)加入
(D)導電率接近導體的晶體材料
16.16 如圖所示,不可能表達何種元件?
(A)光遮斷器
(B)光電晶體
(C)光耦合器
(D)光伏特電池(Photovoltaic Cell)

17.17 如圖所示,二極體的導通電壓為 0.7 V,順向電阻為 100 Ω,則當V1 = V0 、 V2 = 5 V 時,Vo  之電壓約 為:
(A)1 V
(B)2 V
(C)3 V
(D)4 V

18.18 下列雪崩型感光二極體(APD)的特性及應用敘述,那一個錯誤?
(A)它是操作在足夠大的逆向偏壓下
(B)照光很容易產生雪崩倍增,讓電流增益變大
(C)它的 PN 接面設計一般會非常遠離光照表面
(D)元件對光的調變響應可高至微波範圍 
19.19 如圖所示的電源供應器,若輸入電源為 120 VAC,60 Hz,橋式整流後的濾波電容為 20,000 μF,則在 50 Ω 負載端的漣波約為:
(A)0.1 V
(B)1 V
(C)1.5 V
(D)2 V

20.20 如圖電路中運算放大器為理想者,且其輸出之最大值為 5V ,最小值為 − 5 V,二極體之導通電壓為 0.7V ,若 Vi = −1V,則 Vo值為何?  
(A)0 V
(B)0.7 V
(C)5 V
(D)-5 V

21.21 雙極性接面電晶體之共基極電流增益α = 0.99 ,其共射極電流增益 β 等於:
(A)99
(B)119
(C)199
(D)200
22.22 順向偏壓二極體的小訊號電阻rd ,與通過二極體的ID直流電流 ,兩者的關係為:
23.23 射極隨耦器(Emitter Follower)常作阻抗匹配之用,有關其輸入端與輸出端的阻抗敘述,下列何者 正確?
(A)高輸入阻抗,高輸出阻抗
(B)高輸入阻抗,低輸出阻抗
(C)低輸入阻抗,高輸出阻抗
(D)低輸入阻抗,低輸出阻抗
24.24 在高頻的共射極電晶體電路中,Cbe 及Cbc 分別為 B 與 E 及 B 與 C 間之極際電容,下列敘述何者正確?
(A)Cbc 為回饋電容,米勒效應(Miller effect)使輸入電容加大
(B)Cbe 為回饋電容,米勒效應使輸入電容加大
(C)米勒電容與 Cbe 及  Cbc無關 
(D)米勒電容與電壓放大率 AV無關 
25.25 圖 a 為無負載的放大器電路,圖 b 為有負載電阻 RL的放大器電路,圖 c 為有電源電阻RS 及負載電阻 RL的放大器電路。圖 a、圖 b 及圖 c 的電壓增益分別為 。三個圖中的電壓增益由大到小 順序為:
26.26 一個 N 通道增強型場效電晶體的汲極電流不為零,則其  VGS 的值為:
(A)負值
(B)零
(C)正值
(D)正、負皆可
27.27 圖中電路 VD =12 V 而VGS =-2 V ,則其RS  為:  
(A)1.35 kΩ
(B)2.82 kΩ
(C)3.36 kΩ
(D)5.10 kΩ

28.28 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數 β =( Ic/ Ib ) 為 100,不考慮電晶體集 極到射極的交流輸出阻抗ro 的影響,則此放大器的輸入阻抗  (Zi = Vi/Ii )約為多少?
(A)2.2 kΩ
(B)110 kΩ
(C)220 kΩ
(D)300 kΩ

29.29 如圖共基極偏壓電路中,求出 I EQ  與VCEQ 值。 
30.30 圖中振盪器之振盪頻率約為何? 


31.31 雙極性電晶體(BJT)的爾利效應(Early effect),是指:
(A) VBE 隨溫度變化的現象
(B) IC 隨溫度變化的現象
(C) IC 隨 VBC 逆偏壓改變的現象
(D) IC 隨VBE 偏壓改變的現象
32.32 如圖 a 所示為具有信號源電阻Rs  和負載電阻  RL的放大器電路,設 re = 5.6 Ω, β=100 ,ro = ∞Ω。圖 b 為在 390 Ω >>10 β re 條件下的交流等效電路,其中 Rs = 280 Ω,RL =4.7 kΩ,則電壓增益 約為:
 
(A)-257
(B)-183
(C)-2.75
(D)-1
33.33 參考圖中增強型 MOSFET 的偏壓電路,選擇正確的工作特性圖:



34.34 多級放大器的最後一級,因電路與負載之阻抗匹配,常使用何種放大器組態?
(A)共射極(Common Emitter)
(B)共基極(Common Base)
(C)共集極(Common Collector)
(D)共閘極(Common Gate) 
35.35 如圖所示電路,電晶體Q1 與 Q2 有相同特性,若VCC = 20V ,VEE = −10 V ,電阻 R1=R2=R3= 5 kΩ , V1=V2= 0V ,輸出電壓 Vo約為何值?  
(A)20 V
(B)15 V
(C)10 V
(D)5 V

36.36 圖為疊接放大器(Cascode Amplifier),關於其中電晶體  Q2的作用,下列敘述何者錯誤?
(A)降低米勒效應
(B)增加放大器頻寬
(C)增加輸出阻抗
(D)降低VCC 電壓 

37.37 有關圖中電路之敘述,下列何者正確?
(A)此為低通濾波器
(B)此為高通濾波器
(C)其高頻增益為
(D)C 越大則低頻 − 3 dB 頻率越高

38.38 如圖所示電路,若,則 輸入訊號為下列何種頻率之弦波時不會被截止?  
(A)200 Hz
(B)2 kHz
(C)20 kHz
(D)200 kHz

39.39 如圖所示電路,為兩級串接直接耦合放大器電路,其中 R1 = 200 kΩ, R2= R3= 3 kΩ, R4=R5 = 2 kΩ , 電晶體Q 與 Q2 之特性相同,其參數值如圖所示,則此電路之小訊號輸入阻抗 及小訊號輸出阻抗 約為:
(A) Zi =1 kΩ , Zo =1 kΩ
(B) Zi =1 kΩ , Zo = 2 kΩ
(C) Zi = 200 kΩ , Zo =1 kΩ
(D)Zi = 200 kΩ , Zo = 2 kΩ

40.40 圖中電路之振盪器由三級反相器所組成,若單一級反相器之傳遞延遲為 1ns,則振盪器之振盪頻率約 為何?