黎仲淇>试卷(2015/05/15)

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101 年 - 初等考試電子學#21257 

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1.1 矽二極體與鍺二極體在室溫的順向導通電壓分別約為:
(A) 0.7 V,0.7 V
(B) 0.7 V,0.2 V
(C) 0.2 V,0.7 V
(D) 0.2 V,0.2 V
2.2 逆向偏壓的pn接面,其接面電容隨逆向偏壓VR的增大而:
(A)增大
(B)減小
(C)不變
(D)先增大再減小
3.3 下列何種二極體通常工作於逆向偏壓?
(A)蕭特基(Schottky)二極體
(B)發光二極體
(C)雷射二極體
(D)變容二極體
4.4 輸入方波訊號v i經過圖中電路處理後(二極體是理想二極體),輸出電壓vo波形中的VX為何?
 
(A) 1 V
(B) 2 V
(C) 3 V
(D) 4 V
5.5 如圖的全波整流器電路,各二極體導通時之VD = 0.7 V。若輸入電壓vI之對為 10 V之正弦波,則 輸出電壓vO之最大值為: 

(A) 10 V
(B) 9.3 V
(C) 8.6 V
(D) 7.2 V
6.6 共射極電晶體電路在高頻時,電壓放大率Av(f)下降的原因是由於:
(A)電晶體內部電容的高頻響應
(B)外接基極耦合電容的高頻響應
(C)電晶體的歐萊效應(Early Effect)
(D)外接基極電阻效應
7.7 雙極性接面電晶體(BJT)若作小訊號放大用,則工作於:
(A)截止區(Cut-off Region)
(B)飽和區(Saturation Region)
(C)主動區(Active Region)
(D)截止區和飽和區
8.8 如圖所示的電路為何種邏輯閘? 

(A) NOR
(B) OR
(C) NAND
(D) AND
9.9 假設電晶體的IB = 20 μA及IC = 2 mA,已知熱電壓(Thermal Voltage)VT = 25 mV,則中頻電晶體小 訊號模型的rπ及gm分別約為:
(A) 1.25 kΩ、80 mA/V
(B) 2.5 kΩ、100 mA/V
(C) 3 kΩ、120 mA/V
(D) 4 kΩ、150 mA/V
10.10 若圖中電晶體的VBE = 0.7 V,β= 100,則IE之值約為: 

(A) 2.52 mA
(B) 1.43 mA
(C) 1.05 mA
(D) 0.83 mA
11.11 下列何者為能正常工作的數位電路參數?
(A)VOH = 3.2 V、VIH = 1.8 V、VOL = 0.3 V、VIL = 0.8 V
(B)VOH= 1.8 V、VIH = 3.2 V、VOL = 0.3 V、VIL = 0.8 V
(C)VOH = 1.8 V、VIH = 3.2 V、VOL = 0.8 V、VIL = 0.3 V
(D)VOH = 3.2 V、VIH = 1.8 V、VOL = 0.8 V、VIL = 0.3 V
12.12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓 |Vt| = 3 V,欲使之導通,則閘極和源極間的電壓VGS應加何種偏壓 ?
(A) 0 V
(B) 2 V
(C) 4 V
(D)-4 V
13.13 一N通道增強型MOSFET的Vt = 1 V,μncox(W/L) = 1 mA/V2 ,則工作點在ID = 0.5 mA,VGS = 3 V時的互 導gm之值約為:
(A) 2 mA/V
(B) 4 mA/V
(C) 6 mA/V
(D) 8 mA/V
14.14 雙極性接面電晶體(BJT)共射極接線組態時,射極-地間的電阻常並聯一電容,此電容之目的為:
(A)改善電壓增益
(B)降低射極的直流電壓
(C)升高射極的直流電壓
(D)濾除雜訊
15.15 下列何種記憶體需要更新(Refresh)的動作?
(A)快取記憶體(Cache)
(B)靜態隨機存取記憶體(SRAM, Static Random-Access Memory)
(C)唯讀記憶體(ROM, Read Only Memory)
(D)動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random-Access Memory)
16.16 雙極性接面電晶體(BJT)中,下列何種電路組態其小訊號輸出阻抗為最低?
(A)共射極組態
(B)共基極組態
(C)共集極組態
(D)共閘極組態
17.17 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(= Ic/Ib)為 100,以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的輸入阻抗Zi(= Vi/Ii)約為多少?  

(A) 560 kΩ
(B) 37 kΩ
(C) 22 kΩ
(D) 2 kΩ
18.18 對動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random-Access Memory)而言,如果其位址線有 8 條,則 其記憶位址有:
(A) 8 個
(B) 16 個
(C) 8K 個
(D) 64K 個
19.19 圖為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的差分放大器(Difference Amplifier),其中 R2 = R4 = 1 MΩ,由於誤差,R1 = 9.9 kΩ,R3 = 10 kΩ,其共模電壓增益(Common Mode Voltage Gain,VO/VCM)約為: 
 
(A)-1
(B)-0.1
(C)-0.01
(D)-0.001
20.20 圖為差動放大器(Differential Amplifier)。其中VDD為電壓源,I為偏置電流源(Bias Current Source ),I = 1 mA。RD1=2 kΩ+ΔRD/2,RD2=2 kΩ-ΔRD/2,電晶體Q1、Q2的驅使電壓(Overdrive Voltage ,VGS-VTH)為 0.2 V,並且Q1、Q2完全匹配。此放大器輸入偏移電壓(Offset Voltage)為 1 mV 。則ΔRD約為:
 
(A) 20 Ω
(B) 10 Ω
(C) 2 Ω
(D) 1 Ω
21.21 某差動放大器的共模增益ACM = 0.1,差模增益Adm = 100,則其共模拒斥比(Commom Mode Rejection Ratio)為多少dB?
(A) 20
(B) 40
(C) 60
(D) 100
22.22 如圖所示為達靈頓(Darlington)電路,若電晶體Q1與Q2之特性參數各自為VBE1、β1及VBE2、β2,則下 列何者有誤?

23.23 圖中電路,若輸出(Vo)與輸入(Vi)之電壓增益為 -4,則其輸入端之等效電容值(Cin)為何? 

(A) 0.2 pF
(B) 1 pF
(C) 1.25 pF
(D) 5 pF
24.24 圖中之電路,若運算放大器為理想,則Vo為何?
 
(A) 2 V
(B)-2 V
(C) 3 V
(D)-3 V
25.25 圖為由電阻R1、R2、R3以及理想運算放大器組成的電路,其中R1 = R2,則此電路輸入電阻RIN為:
 
(A) 2 R3
(B)R3
(C)-R3
(D)-0.5 R3
26.26 下列何種放大器電路組態不會改善頻寬?
(A) CC-CE
(B) CC-CB
(C)達靈頓組態(Darlington Configuration)
(D)疊接組態(Cascode Configuration)
27.27 如圖所示電路,下列何者為非?
 
(A)當輸入訊號Vi的頻率f極小時(f ≅ 0),電壓增益的最大值 
(B)當輸入訊號Vi的頻率f極大時(f ≅∞),電壓增益 
(C)當輸入訊號Vi的頻率 時,電壓增益衰減為
(D)此電路高頻截止頻率為
28.28 有一濾波器之轉移函數(Transfer Function) ,當角頻率 ω= 2 rad/sec 時,則 |T(jω)|約為:
(A) 1.0
(B) 0.7
(C) 0.5
(D) 0.2
29.29 有一單級放大器,其低頻截止頻率為 640 Hz而高頻截止頻率為 10 kHz,若將相同兩個放大器串接在一起,則此系統之低頻截止頻率為fL及高頻截止頻率為fH,試問系統之頻寬BW = fH-fL約為何值?( 註:
(A) 2.70 kHz
(B) 4.14 kHz
(C) 5.40 kHz
(D) 9.36 kHz
30.30 圖中雙穩態多諧振盪器(Bistable Multivibrator),假設R1 = 10 kΩ,輸出電壓範圍為 ±5 V。若觸發 電壓VTH = -VTL = 0.5 V,則R2等於:
 
(A) 100 kΩ
(B) 20 kΩ
(C) 10 kΩ
(D) 1 kΩ
31.31 圖中之電路,若運算放大器為理想,且Vi = -4 V,則輸出電壓Vo約為何?
 
(A)-8 V
(B)-6 V
(C) 6 V
(D) 8 V
32.32 一般市電之 60 Hz 弦波訊號常干擾授控系統或量測系統,因此可設計下列何種濾波器以消除此干擾 的影響?
(A)低通濾波器(Low Pass Filter)
(B)高通濾波器(High Pass Filter)
(C)帶通濾波器(Band Pass Filter)
(D)帶拒濾波器(Band Reject Filter)
33.33 某振盪電路之迴路增益為A(jω)β,β為正實數,A(jω) = 100/(1+ jω/ωc) 3 ,ωc為實數。若β選得適當,此電 路可振盪產生弦波,振盪頻率ω為何?
(A) 0.866 ωc
(B) 1.41 ωc
(C) 1.73 ωc
(D) 3.14 ωc
34.34 圖中為射極耦合邏輯(Emitter-Coupled Logic, ECL)電路。其中VI為輸入,VO1、VO2為輸出, VCC = 0 V,參考電壓VR = -1.32 V,偏置電流源(Bias Current Source)I = 4 mA,RC = 200 Ω。當輸 出為邏輯低位準時,其電壓約為: 

(A)-1 V
(B)-0.8 V
(C)-0.5 V
(D)-0.1 V
35.35 如圖所示之互斥或閘(Exclusive OR Gate),若輸入訊號之一被強制為 1,則輸出訊號為何?
 
(A) 1
(B) 0
(C) A
(D)
36.36 下列邏輯圖,若以布林代數表示(Boolean expression),其表示式為:
37.37 下列那一個元件之特性與光線無關?
(A)光敏電阻
(B)太陽能電池
(C)光遮斷器
(D)熱敏電阻
38.38 圖中分別顯示邏輯電路輸出(Output)與輸入(Input)之「1」與「0」狀態的電壓位階範圍,此系 統之「雜訊容限」(Noise margin)NMH及NML為:
 
(A)NMH = V1-V2,NML = V3-V4
(B)NMH = V6-V2,NML  = V3-V7
(C)NMH = V2-V3,NML  = V6-V7
(D)NMH = V5-V6,NML  = V7-V8
39. 如圖的電路


【題組】39是那一類的放大器?
(A) A 類(Class A)
(B) B 類(Class B)
(C) AB 類(Class AB)
(D) C 類(Class C)
40.【題組】40 承上題,若電晶體飽和之VCEsat = 0.2 V,則輸出電壓vO之最大值為vOmax為:
(A)+VCC
(B)+VCC - 0.2 V
(C)vImax - 0.7 V
(D)I·RL