Huang Howard>试卷(2015/02/11)

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98 年 - 初等電子工程#19362 

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1.1 假設有一電晶體放大器,其電流增益為 0.98,電壓增益為 60 分貝,則此放大器的電路組態應為:
(A)共集極
(B)共射極
(C)共汲極
(D)共基極
2.2 下圖電路中,電晶體之β = 100,VBE = 0.7 V,則此電路中靜態工作點之IB,其最接近之電流值為:
(A) 10 µA
(B) 50 µA
(C) 100 µA
(D) 500 µA

3.3 雙極性接面電晶體小訊號h參數hoe之單位為何?
(A)電壓增益,無單位
(B)電流增益,無單位
(C) V/A
(D) A/V
4.4 關於輸出級功率轉換效率(Power-Conversion Efficiency)的定義何者正確?
(A)功率轉換效率≣負載功率+供應功率
(B)功率轉換效率≣供應功率×負載功率
(C)功率轉換效率≣供應功率/負載功率
(D)功率轉換效率≣負載功率/供應功率
5.5 填充因數(Fill Factor)係下列何光電元件之物理參數?
(A)光電二極體
(B)發光二極體
(C)雷射二極體
(D)太陽電池
6.6 典型的小功率雙極性接面電晶體(BJT)在飽和區時,集射極之電壓為何?
(A) 0.1~0.2 V
(B) 0.7~0.8 V
(C) 1~2 V
(D) 3~4 V
7.7 右列 BJT 電路操作於何種區域?
(A)截止區
(B)順向作用區(forward active region)
(C)逆向作用區(reverse active region)
(D)飽和區

8.8 在矽晶 npn 雙極性接面電晶體結構中,為何射極掺雜最重?
(A)降低接面電容
(B)增加崩潰電壓
(C)降低功率消耗
(D)降低基極注入射極的電洞電流
9.9 下列何種雙極性接面電晶體電路組態,適合於極高頻放大器應用?
(A)共基極電路
(B)共集極電路
(C)共射極電路
(D)具共射電阻之共射極電路
10.10 在積體電路內要將一個雙極性接面電晶體(BJT)接成一個二極體來使用,通常係如何達成?
(A)將基極接集極
(B)將基極接射極
(C)將集極接射極
(D)將集極開路
11.11 將雙極性接面電晶體(BJT)由飽和模式(saturation mode)切換至截止模式(cut-off mode)時,電 晶體需要經過一段延遲時間才能截止,這是因為:
(A)多數載子(majority carrier)移動速度太慢
(B)必須移去於飽和模式下儲存於基極內的少數載子(minority carrier)
(C)需要時間移去射極及集極中的多數載子
(D)需要時間移去射極及集極中的少數載子
12.12 如圖所示的運算放大器應用電路,vo (t)=?
(A) -10/11 V 10 k
(B) 10/11 V V-=-15V V+=15V - + 1 V
(C)-10 V 1 k
(D) 10 V 
13.13 如圖所示的運算放大器應用電路,其輸出電壓,vo (t)=?
14.14 負回授放大器之特色何者錯誤?
(A)使增益(Gain)不敏感(Desensitize)
(B)增加非線性失真
(C)減少雜訊效應
(D)增加頻寬
15.15 在多級放大器之輸出級,通常為:
(A)共射(CE)組態
(B)共基(CB)組態
(C)共集(CC)組態
(D)共源(CS)
16.16 如圖所示電路,其輸出端電壓Vo應為多少伏特?
(A)-2 -15 V +15 V + - 1 kΩ Vi = 2 V
(B)-15
(C) 15 Vo
(D) 2

17.17 若下圖理想運算放大器電路之輸入電壓:Vi1= 1V, Vi2 = 2V,則輸出電壓為:
(A) 1 V 2R R 2R R + -
(B) 2 V
(C)-2 V
(D)-4 V 

18.18 有關運算放大器的應用,下列那個電路使用正回授電路?
(A)反相放大器
(B)非反相放大器
(C)電壓隨耦器
(D)史密特觸發電路(Schmitt trigger circuit)
19.19 圖示之電路為:
 
(A)整流電路
(B)倍壓電路
(C)濾波電路
(D)截波電路
20.20 在半導體中,載子的移動率相當於下列何者?
(A)在單位電場強度下所產生的載子漂移速度
(B)載子的終端飽和速度
(C)載子的熱速度
(D)在單位濃度梯度下所產生的載子擴散速度
21.21 針對 p 型半導體材料之描述,下列何者正確?
(A)內部大部分是帶正電荷可以游動的雜質離子(ions)
(B)內部大部分是帶負電荷可以游動的雜質離子(ions)
(C)內部大部分是帶正電荷可以游動的載子(carriers)
(D)內部大部分是帶負電荷可以游動的載子(carriers)
22.22 矽晶接面二極體的等效電路模型中的擴散電容(Diffusion capacitance),由下列那一項物理現象所 形成?
(A)接面空乏區
(B)金屬和半導體所形成的歐姆接觸
(C)接面的崩潰效應
(D)二極體順偏時的注入電荷
23.23 二極體在逆向偏壓時可當做電容器,當逆向偏壓變大,則:
(A)電容量不變
(B)電容量變小
(C)電容量變大
(D)電容量先小後大
24.24 以數位電路之應用而言,相較於雙極性接面電晶體(BJT),有關金氧半場效電晶體(MOSFET)之 特性,下列何者正確?
(A) MOSFET 具有較低之功率消耗,並需要較少的晶片面積
(B) MOSFET 具有較高之功率消耗,並需要較少的晶片面積
(C) MOSFET 具有較低之功率消耗,並需要較大的晶片面積
(D) MOSFET 具有較高之功率消耗,並需要較大的晶片面積
25.25 對一個增強型的NMOSFET,當其工作在夾止飽和區時,電流為iD = K (VGS – Vt) 2 (1 + λVDS),請問下 列敘述何者錯誤?
(A)Vt> 0
(B)VGS> Vt
(C)λ描述通道調變效應
(D)K和  成正比
26.26 如圖所示的振盪器電路,其中虛線所標示之電路的主要功能為何?
(A)改變輸出信號電壓的振幅  
(B)改變輸出信號的相位
(C)改變輸出信號的責任週期(duty cycle)
(D)改變輸出信號的電流

27.27 MOSFET 在動作時,主要的電流機制為何?
(A)靠單一載子的漂移
(B)靠單一載子的擴散
(C)靠電子與電洞兩種載子的漂移
(D)靠電子與電洞兩種載子的擴散
28.28 史密特觸發器(Schmitt Trigger)的輸入和輸出之間存在何種效應?
(A)基體效應(Body Effect)
(B)磁滯效應(Hysteresis Effect)
(C)米勒效應(Miller Effect)
(D)爾利效應(Early Effect)
29.29 如圖所示之電路為何種濾波器?
 
(A)低通
(B)高通
(C)帶通
(D)帶拒(帶止)
30.30 如圖所示為何種電路?

(A)無穩態電路
(B)單穩態電路
(C)雙穩態電路
(D)帶通濾波器
31.31 有關放大器的頻率響應曲線,在半功率點頻率處的電壓增益是其最大電壓增益的百分之幾?
(A) 70.7
(B) 63.2
(C) 50
(D) 36.8
32.32 如圖 BJT 疊接(Cascode)放大器,若電晶體參數均相同,則下列何者不是其高頻響應的極點頻率? 

33.33 下圖為那一種放大器的頻率響應(Frequency Response)?
 
(A)直接耦合(Direct-Coupled)放大器
(B)電容耦合(Capacitively Coupled)放大器
(C)高通(Highpass)放大器
(D)低通(Lowpass)放大器
34.34 下列有關米勒效應(Miller Effect)之敘述,何者正確?
(A)輸入端等效電容正比於(1-兩端電壓增益)
(B)輸入端等效電容反比於偏壓電流
(C)輸出端等效電容反比於兩端電壓增益
(D)輸出端等效電容正比於偏壓電流
35.35 一般的J-K正反器(flip-flop)若輸入端為Jn = 1 Kn = 1,則下一狀態的輸出端Qn+1為何?
(A)Qn
(B) 1
(C) 0
(D)
36.36 某一邏輯閘輸入端為 A、B;輸出端為 Y,如圖所示。則此邏輯閘為:
 
(A)及閘(AND gate)
(B)或閘(OR gate)
(C)反閘(NOT gate)
(D)互斥或閘(exclusive OR gate)
37.37 下列依右圖電路之敘述,何者正確?
(A)Y之最大輸出電壓為VDD
(B) Y 之最小輸出電壓為 0V
(C) Y = A+B
(D) Y = AB

38.38 下圖所示之電路,可做為邏輯電路中之那一種電路?
(A)或閘(OR gate)
(B)及閘(AND gate) R
(C)非或閘(NOR gate)
(D)非及閘(NAND gate)

39.39 一個有三個輸入端的 CMOS NAND 邏輯閘,需要多少電晶體?
(A) 3
(B) 4
(C) 6
(D) 8
40.40 下列關於下圖之 CMOS 靜態隨機存取記憶元(SRAM cell)之敘述,何者錯誤?
 
(A)寫入時 BL 與 之輸入訊號互補
(B)讀取後儲存資料即消失
(C)當電源移除後,儲存資料即消失
(D)在不考慮電晶體漏電下,此記憶元之靜態功率消耗為零