黎仲淇>试卷(2015/06/26)

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100 年 - 台鐵100電子學#22366 

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1.1 有關 DRAM(動態隨機存取記憶體)與 SRAM(靜態隨機存取記憶體)的敘述,下列何者正確?
(A) SRAM 需要重新充電(refresh)
(B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜
(C) DRAM 結構需用到電容效應
(D) DRAM 屬非揮發性記憶體
2.2 關於邏輯電路之敘述,下列何者正確?
(A)靜態邏輯(Static Logic)電路切換過程無動態功率(Dynamic Power)消耗
(B)動態邏輯(Dynamic Logic)電路在穩態時有導通路徑將輸出值連結至最高或最低電壓
(C)組合式邏輯(Combinational Logic)電路之輸出值僅與輸入布林變數之目前狀態有關
(D)或閘(OR Gate)為序列式邏輯電路
3.3 關於理想運算放大器之敘述,下列何者正確?
(A)輸入阻抗為 0
(B)輸出阻抗無限大
(C)差動增益(Differential-mode Gain)為 0
(D)共模增益(Common-mode Gain)為 0
4.4 圖示電路為何種濾波器? 

(A)高通
(B)帶通
(C)低通
(D)帶拒
5.5 圖中電路之功能為:

(A)帶拒濾波器
(B)高通濾波器
(C)低通濾波器
(D)帶通濾波器
6.6 對於理想電流放大器(Current Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?
(A)輸入阻抗為 0
(B)輸出阻抗為 0
(C)輸入阻抗無限大
(D)輸出阻抗與電壓放大器特性相同
7.7 在雙極性接面電晶體共射極組態中,理想小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc 進入基極,電容 Cc 之 目的為:
(A)隔離放大器與電源間的直流
(B)增加輸出阻抗
(C)隔離交流訊號
(D)隔離雜訊
8.8-2 8 雙極性接面電晶體(BJT)若工作於作用區(Active-Region),其偏壓需滿足下列何種條件?
(A)基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為順向偏壓
(B)基-射極接面為順向偏壓,基-集極接面為反向偏壓
(C)基-射極接面為反向偏壓,基-集極接面為順向偏壓
(D)基-射極接面為反向偏壓,基-集極接面為反向偏壓
9.9 下列何者為齊納(Zener)二極體作為穩壓用時的工作區域? 

(A)Ⅰ ID
(B)Ⅱ
(C)Ⅰ及Ⅱ
(D)Ⅲ
10.10 利用浮動閘極電晶體(Floating-Gate Transistor)的記憶細胞(Memory Cell)為:
(A) SRAM(靜態隨機存取記憶體)
(B) EPROM(可擦式及可程式唯讀記憶體)
(C) DRAM(動態隨機存取記憶體)
(D) ROM(唯讀記憶體)
11.11 圖為射極耦合邏輯(Emitter-Coupled Logic,ECL)電路。其中V為輸入,VO1、VO2為輸出,VCC為電壓 源,VR為參考電壓,Ⅰ為偏置電流源(Bias Current Source)。當IC1/IC2>99 時,VO1為邏輯“0"。則其 輸入電壓V為:(方程式中,VT=0.025V)
 
(A) VR-VTln(99)
(B)VR+VTln(99)
(C)VR+99VT
(D)VR-99VT
12.12 如圖所示,利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路,若Vcc=5V且輸入電壓Vi=0V,下列敘 述何者為正確? 

(A)Q2不導通、Q3不導通、輸出電壓Vo=5V
(B)Q2導通、Q3不導通、輸出電壓Vo=5V
(C)Q2不導通、Q3導通、輸出電壓Vo=0V
(D)Q2導通、Q3導通、輸出電壓Vo=0V
13.13 關於圖中振盪器之敘述,何者錯誤? 

(A)輸出信號(V0)近似為方波
(B)R1越大振盪頻率越低
(C)R2越大振盪頻率越低
(D)R3越大振盪頻率越低
14.14 如圖電路,下列何者為錯誤? 

(A)此電路為一階低通濾波器  
(B)低頻訊號增益為
(C)高頻截止頻率為 
(D)頻率響應圖為 
15.15 關於圖中電路,下列敘述何者正確? 

(A)此為低通濾波器
(B)此為高通濾波器
(C)此為帶通濾波器
(D)此為帶拒濾波器
16.16 圖中等效電路的電壓增益,以下何者為錯誤? 

(A)有一個非無窮大的零點(Zero)
(B)有兩個極點(Pole)
(C)低頻電壓增益為:-gmRL
(D)單位增益頻率(Unit Gain Frequency)為:gm/2π(C+CL)
17.17 圖示電路,其中R2=2R1,且二極體導通時的電壓降為 0.7V。若輸入電壓vI=-2V,則輸出電壓vO為若 干V? 

(A)-4
(B)-2
(C) 0
(D) 4
18.18 圖中電路,若運算放大器為理想,則Ii值為何? 

(A) 0.25 mA  
(B) 1 mA
(C) 4 mA
(D) 5 mA
19.19 圖示理想運算放大器電路,若R1=2kΩ、R2=6kΩ、R3=3kΩ、R4=6kΩ,今輸入訊號vI=1mV,則輸 出電壓vo為若干mV?
 
(A) -8
(B)-6
(C) 6
(D) 8
20.20 圖為含射極電阻RE的差動放大器(Differential Amplifier)。其中RC1=RC2=8kΩ,RE=100Ω,IB1=IB2 =0.5mA,電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電壓增益約為: 

(A) 80 V
(B) 75
(C) 60
(D) 40
21.21 共射極(CE)電晶體放大電路中,RE為射極端外接電阻,hie為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值 :
(A)接近RE 
(B)遠大於RE 
(C)接近hie 
(D)遠小於hie
22.22 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β (=Ic/Ib)為 210,以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的電壓增益AV (=Vo/Vi)約為多少? 

(A) -100
(B)-200
(C)-300
(D)-400
23.23 P-通道增強型(Enhancement Type)MOSFET通道導通的條件是(VTH:臨限電壓):
(A) VGS=0
(B)VGS > VTH
(C)VGS < VTH
(D)VGS >0
24.24 下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET?
(A)汲極回授偏壓
(B)自給偏壓
(C)分壓偏壓
(D)固定偏壓
25.25 如圖所示為一個交流等效電路,其輸入阻抗(Zin=Vi/Ib)為: 

(A)rπ+RE 
(B)rπ
(C)rπ((1+β)RE)
(D)rπ+(1+β)RE
26.26 如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為 12V 之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為:
 
(A) 12V
(B) 11.3V
(C) 10.6V
(D) 9.2V
(E)一律給分
27.27 在室溫下,加熱一矽半導體,若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大,則可推測該矽半 導體最可能是:
(A)n+ 型半導體
(B)p+ 型半導體
(C)純矽半導體
(D)無從推測
28.28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中,若有電子流流向正 X 方向,霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼 方向? 
 
(A)正 Y
(B)負 Y
(C)正 Z
(D)負 Z
29.29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -Transistor Logic)快的原因是因為蕭特基電晶體:
(A)沒有 RC 延遲因素
(B)不會進入深飽和區
(C)載體移動率較快
(D)載體以穿透效應傳輸
30.30 將硼( B )元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體?
(A) N 型
(B) P 型
(C)空乏型
(D)增強型
31.31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm) 需約為多少才能維持振盪: 
 
(A) 20mA/V
(B) 2mA/V
(C) 0.2mA/V
(D) 0.02mA/V
32.32 關於 之敘述,何者正確?

(A)此為低通濾波器
(B)此為帶通濾波器
(C)其高頻增益為  
(D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
33.33 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。其中R1=R2=10kΩ,負載電阻RL=20kΩ。若輸入電壓VIN =2V,則負載電壓VL為何? 

(A) 0.5V
(B) 1V
(C) 2V
(D) 4V
34.34 圖示理想運算放大器電路,若輸出電壓vO=2(v1-v2),則: 

(A)R1=2kΩ、R2=4kΩ、R3=10kΩ、R4=10kΩ
(B)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=5kΩ、R4=10kΩ 

(C)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=3kΩ、R4=4kΩ 

(D)R1=2kΩ、R2=3kΩ、R3=3kΩ、R4=8kΩ
35.35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中,Zi及Zo分別代表輸入及輸出阻抗,rd為MOSFET小訊號模型汲極 區域內電阻,下列敘述何者正確? 

(A)Zi=R1+R2,Zo=RD 

(B)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=RD 

(C)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=rd RD/( rd+RD) 

(D)Zi=R1+R2,Zo=rd RD/( rd+RD)
36.36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線,操作在那一點時功率損耗最多?
 
(A)P1
(B)P2
(C)P3
(D)P4
37.37 PN接面二極體,P型的雜質濃度為NA,N型的雜質濃度為ND,接面處P型的空乏區寬度為XP,N型的 空乏區寬度為XN,若NA>ND,則下列敘述何者為正確?
(A) XP>XN
(B)XP<XN
(C)XP=XN
(D)NAXP>NDXN
38.38 設VBE=0.7V,則圖中的電流IC約為: 

(A) 10.0mA
(B) 6.0mA
(C) 4.3mA
(D) 3.8mA
39. 39 圖中電路,假設VIN=VDD,VG=VDD,VDD=4V,C=100fF。電晶體的臨限電壓(Threshold Voltage,VTH )為 1V,本體效應(Body Effect)可以忽略。製程跨導參數(Process Transconductance Parameter,μn Cox)為 50 μA/V2 。寬長比(Aspect Ratio,W/L)為 2。則此電路的VO從 0 V升至VDD/2 所需要的時間約 為:
 
(A) 1ns
(B) 0.8ns
(C) 0.4ns  
(D) 0.2ns
40.40 某場效電晶體Av對頻率f曲線如圖,其頻帶寬(BW)之定義為: 

(A)BW=f4-f1
(B)BW=f4-f3
(C)BW=f2-f f3  
(D)BW=f2-f1