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102 年 - 台鐵102電子學#22221 

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1.1 下列由理想運算放大器所組成的應用電路中,何種電路中的運算放大器輸入端,不可視為虛短路?
(A)比較器
(B)非反相放大器
(C)反相放大器
(D)微分器
2.2 如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體?
 
(A) n 通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)
(B) p 通道金氧半場效電晶體(P-MOSFET)
(C) n 通道接面場效電晶體(N-JFET)
(D) p 通道接面場效電晶體(P-JFET)
3.3 如圖所示運算放大器電路,下列敘述何者錯誤?
 
(A)參考電壓 VREF為+6V +12V
(B)當輸入電壓 Vi為 5V,輸出電壓 Vo約為-12V
(C)當輸入電壓 Vi為 7V,LED 燈為暗
(D)此電路為比較器電路12V
4. 4 有一 BJT,其β=100,已知在室溫下熱電壓 VT=25 mV,若 IC=1 mA,則該 BJT 之轉導 gm值為:
(A) 4 mA/V
(B) 40 mA/V
(C) 400 mA/V
(D) 4 A/V
5.5 PN 二極體之內建電位障(built-in potential barrier),乃是其空乏區域(depletion region)內甚麼所造 成?
(A)兩側電子
(B)兩側電洞
(C)中性原子
(D)正離子及負離子
6.6 在室溫時,N 型或 P 型半導體的導電特性與溫度的關係是:
(A)隨溫度升高,導電特性變好
(B)隨溫度升高,導電特性變差
(C)導電特性不隨溫度變化而改變
(D)視其為 N 型或 P 型半導體而定
7.7 圖示理想二極體電路中,試求輸入電壓 vI的範圍,在此範圍內,輸出電壓 vO的值將會隨輸入 vI之變 化而變化,其範圍為: 

(A)1 V ≤vI≤ 4V
(B) 1.5V ≤vI≤ 6V
(C)2V≤vI≤8V
(D) 4V ≤ vI≤ 10V
8.8 如圖所示之電路,其共振頻率約為何? 

(A) 51.4 Hz
(B) 61.4 Hz
(C) 71.4 Hz
(D) 81.4 Hz
9. 9 圖示全波整流電路,若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms,二極體導通時的壓降 VD為 0.7 V,則此電 路中使用的二極體崩潰電壓應至少為: 

(A) 6.3 V
(B) 9.3 V
(C) 13.3 V
(D) 17.3 V
10.10 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V,且導通電阻值為 0,若 Vi=A sinωt,下列敘述何者正確? 

(A)若 A<0.7 V,則二極體兩端壓差為 0
(B)若 A=1 V,則電阻上之峰值電流 0.3 mA
(C)若 A=2 V,則電阻上之峰值電流為 0.65 mA
(D)若 A>0.7 V,則電阻上之電流為直流電
11.11 如圖所示的電路,則“D1"的主要功能為何? 

(A)限制電流
(B)限制電壓
(C)提供定電流源
(D)解調
12.12 今有一電路如圖所示,其中 VP1=VP2=6 V、R1=10 kΩ、R2=5 kΩ,啟動二極體導通的端電壓須達 0.7 V 以上,則電路中兩顆二極體導通的情形為何? 

(A) D1(ON), D2(ON)
(B) D1(ON), D2(OFF)
(C) D1(OFF), D2(ON)
(D) D1(OFF), D2(OFF)
13.13 下列對於場效電晶體放大器的敘述,何者錯誤?
(A)共源極放大器的輸入電壓與輸出電壓反相
(B)共閘極放大器的輸入阻抗值很高
(C)共汲極放大器的電壓增益值小於 1
(D)共源極放大器的輸入阻抗值很高
14.14 如圖中具有負載電阻 R 的箝位電路中,電容值對於輸出波形的影響為何? 

(A)不會有影響
(B)影響直流準位的移動量
(C)影響輸出波形的頻率
(D)電容值愈大,輸出波形愈接近輸入波形
15.15 如圖所示電路,齊納二極體的 VZ=5 V,電源 V=15 V,RL=1 kΩ,若齊納二極體容許的最大 IZ電流 IZmax 為 20 mA,則 R 的最小值 Rmin應為多大? 

(A) 200 Ω
(B) 300 Ω
(C) 400 Ω
(D) 500 Ω
16.16 如圖的共集(CC)放大器(其偏壓未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro,則此放大器 的電壓增益約為何? 

(A) gmRE
(B) gmRE/(1+gmRE)
(C)-gmRE
(D)-gmRE/(1+gmRE)
17.17 分析如圖之電路,若MOSFET 之轉導值gm=1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗ro=10 kΩ,RD=10 kΩ, RG=10 kΩ,試求 Vo/Ii=? 
 
(A)-90/11
(B)-10 RD
(C)-15/2
(D)-25/3
18.18 如圖所示電路中電晶體的β=100 且爾利電壓(Early Voltage)為無窮大,請問電路的頻寬約為多少? 

(A) 57 MHz
(B) 60 MHz
(C) 65 MHz
(D) 70 MHz
19.19 如圖所示之放大器,若電晶體操作於飽和區,且其高頻 3dB 頻率 ωH遠高於低頻 3dB 頻率 ωL,忽略 元件本身之寄生電容,下列敘述何者錯誤? 
phpL8WXzq

(A)降低 RS可提高中頻增益
(B)降低 CS可增加 ωH - ωL
(C)降低 CD可增加 ωH - ωL
(D)增加 RG可增加 ωH - ωL
20.20 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤?
(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷
(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷
(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs(閘極到源極之寄生電容)> Cgd(閘極到汲極之寄生電容)
(D) NMOSFET 源極(source)對基板(substrate)之電壓提高,臨界電壓(threshold voltage)降低
21.21 如圖所示電路主要作用為: 

(A)電壓緩衝器(Voltage Buffer)
(B)電流放大器(Current Amplifier)
(C)轉阻放大器(Transresistance Amplifier)
(D)截波電路( R Limiter Circuit)
22.22 如圖所示電路中場效電晶體(FET)之 Vt = -1 V、μpCox(W/L)=2 mA/V2 ,若 FET 工作在飽和區,且電 流 ID= 1 mA、VDD=5 V,則電壓 VG應為若干伏特? 

(A) 4.5 V
(B) 4 V
(C) 3.5 V
(D) 3 V
23.23 有一個 N 通道增強型 MOSFET,Vth=1.2 V,VGS=2 V,下列工作區域何者錯誤?
(A)當 VDS=0.4 V,電晶體處在飽和區
(B)當 VDS=1 V,電晶體處在飽和區
(C)當 VDS=1.5 V,電晶體處在飽和區
(D)當 VDS=5 V,電晶體處在飽和區
24.24 如圖所示電路,假設 MOS 電晶體操作在飽和區,且其λ值皆大於零,忽略元件內極間電容效應,Vb 為直流電壓,求此電路之轉折(corner)頻率為何?

25.25 空乏型 nMOSFET,下列中那一項偏壓將使元件不導通?
(A) Vgs << 0
(B) Vgs = 0
(C) Vgs > 0
(D) Vgs >> 0
26.26 有一放大器電路的高頻響應轉移函數(Transfer Function)FH(s)如下所示,其中 s=jω=j2πf:  若繪製的波德圖(Bode Plot),試問在頻率 f = 600 kHz 時的線段斜率應落在下列何範圍內?
(A) > +25 dB/decade
(B) 0 dB/decade 至+25 dB/decade
(C) -25 dB/decade 至 0 dB/decade
(D) < -25 dB/decade
27.27 請問下圖高通濾波器電路之 3 分貝(或截止)頻率約為多少? 

(A) 160 Hz
(B) 230 Hz
(C) 450 Hz
(D) 700 Hz
28.28 如圖所示為一 BJT 差動對(Differential-Pair)電路。Q1= Q2,並設工作於主動模式(active-mode)。 則呈現在兩基極端的差動輸入電阻(Differential Input Resistance)Rid以熱電壓(Thermal Voltage) VT表示為: 
 
(A) VT/I
(B) (β+1)VT/I
(C) 2(β+1)VT/I
(D) 4(β+1)VT/I
29.29 金氧半電晶體內部電容影響電路的頻率響應,下列的描述何者錯誤?
(A)電晶體工作於三極管(triode)區時閘極電容可視為一平行板電容
(B)源極-本體間的電容為一反偏的 pn 接面電容
(C)閘極-汲極間電容與電晶體工作區域無關
(D)源極-本體間的電容會隨偏壓而改變
30.30 如圖示電路,電晶體電流放大率 β =100,若 RC=5 kΩ,Re=200 Ω,I=1 mA,則差模輸入阻抗 Rid約為 多少? 
 
(A) 400 Ω
(B) 500 Ω
(C) 40 kΩ
(D) 50 kΩ
31.31 一個差動放大器,若 V+= +10mV 而 V- = -10mV,那差動輸入電壓(differential-mode input voltage)為:
(A) 0mV
(B) +10mV
(C) +20mV
(D) -30mV
32.32 如圖所示放大器,外接電容為 CC1、CC2 和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器 電路的高頻響應,下列敘述何者正確? 

(A)主要是受外接電容的影響
(B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響
(C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同
(D)主要受其他電容影響,但受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度不大
33.33 由電阻 R1、R2和運算放大器組成的非反相放大器(Non-Inverting Amplifier),如圖所示。其中 R1=1kΩ, R2=1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V,輸入偏移電壓(Input Offset Voltage, Vos)為 5mV。若 輸入 VIN為正弦訊號,則其最大輸入振幅大約為多少才不會造成輸出訊號失真? 

(A) 15 mV
(B) 10 mV
(C) 5 mV
(D) 2 mV
34.34 如圖所示之電路,其運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,則此電路之遲滯(hysteresis)電壓範圍為何?
 
(A) 10 V 2
(B) 12 V
(C) 15 V
(D) 18 V
35.35 分析如圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm=1 mA/V 且操作於飽和區,臨界電壓 Vth=1 V,VGS=1.2 V, 求 RD=? 
 
(A) 19 kΩ
(B) 25 kΩ
(C) 38 kΩ
(D) 45 kΩ
36.36 如圖之電路,運算放大器之飽和電壓為 ± 15 V,若 Vo之週期為 3 ms,則 R2/R1為何? 

(A) 1/10
(B) 1/4
(C) 1/3
(D) 1/2
37.37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ, 試求 Vo / Vi約為多少? 

(A) 10
(B) 7.5
(C) 25/6
(D) 25/11
38.38 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V。若忽略元 件之輸出阻抗(ro),則輸出(Vo)對輸入(Vi)之共模增益(Common Mode Gain)Acm=? 

(A) 0
(B) 1/11
(C) 1/10
(D) ∞
39.39 相較於單級共射極(CE)放大器,圖示 CC-CE 串接電路之主要優點在於提高: 

(A)輸入阻抗、輸出阻抗
(B)輸入阻抗、頻寬
(C)輸出阻抗、電壓增益 vo/vi
(D)輸出阻抗、頻寬
40.40 一個理想二極體,在順向偏壓時:
(A)電流為零
(B)電壓為零
(C)電阻為無窮大
(D)電容為零