黎仲淇>试卷(2015/06/26)

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99 年 - 台鐵99電子學#22365 

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1.1 如圖之電路,電晶體Qn之臨限電壓Vtn=0.5 V,電晶體Qp之臨限電壓Vtp=-0.5 V,當輸入電壓Vi=3 V時, 輸出電壓Vo為: 
 
(A) 0 V
(B) 0.5 V
(C)2.5 V
(D)3 V
2.2 圖示NMOS電晶體電路,VDD=5 V,閘極電壓vG=VDD,電晶體參數Vt=1 V,其中電容C為輸出端的 雜散電容,下列敘述何者正確? 

(A)輸入電壓vI=5 V,則輸出電壓vO=5 V
(B)輸入電壓vI=5 V,則輸出電壓vO=0 V
(C)輸入電壓vI=0 V,則輸出電壓vO=0 V
(D)輸入電壓vI=0 V,則輸出電壓vO=1 V
3. 3 一個 RC 相移振盪器正進行穩定的振盪,若放大器的轉移函數是 5∠140°,則 RC 相移網路的轉移函 數有可能是:
(A) 0.2∠220°
(B) 1∠0°
(C) 2π∠140°
(D) 5∠-140°
4.4 圖示電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12 V、R1=10 kΩ、R2=40 kΩ,今若輸出電壓vO為 -12 V,下列輸入電壓vI何者可使輸出電壓由-12 V轉為+12 V? 
 
(A)-4 V
(B)-2 V
(C) 2 V
(D) 4 V
5.5 關於源極耦合(Source-Coupled)全差動式放大器(Fully Differential Amplifier)特性之敘述,下列何 者正確?
(A)差動放大器之共模輸入對差模輸出增益(Differential to Common-Mode Gain)與匹配度無關
(B)差動放大器對電源雜訊之干擾免疫力較差
(C)共源極端利用定電流偏壓可抑制電路之共模增益(Common-Mode Gain)
(D)在相同元件尺寸、負載電阻,與電晶體電流偏壓條件下,其增益為單端共源極放大器之二倍
6.6 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知在工作點的轉移電導(Transconductance)gm為 2 mS, 電流IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-6 V,不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗 rd的影響,則此放大器的電壓增益AV(=Vo/Vi)約為多少? 

(A)-6  
(B)-12
(C)-18
(D)-24
7.7 若圖中的N通道增強型MOSFET之Vt=1 V,µ nCox(W/L)=1 mA/V2 ,則RD及源極與汲極間的有效 電阻(rDS)之值分別約為: 

(A) 20.5 kΩ、312 Ω  
(B) 12.4 kΩ、253 Ω
(C) 10.3 kΩ、153 Ω
(D)5.8 kΩ、105 Ω
8. 8 下圖電路中,電晶體小訊號模型之re=26 mV/IE,ro=50 kΩ,請判斷Zi及Zo約為何? 

(A)Zi=1.4 kΩ,Zo=3.4 kΩ
(B)Zi=2.4 kΩ,Zo=7.1 kΩ
(C)Zi=1.4 kΩ,Zo=6.0 kΩ
(D)Zi=2.4 kΩ,Zo=9.2 kΩ Vi
9. 9 如圖所示為七節式(Seven Segment)LED的電路圖。已知LED點亮時的電流為 10 mA,電壓降約為 1.7 V,VIK,k=1, 2,⋯,7 在低位階(Low State)時約為 0.3 V,則限流電阻R約為: 

(A) 100 Ω
(B) 200 Ω 5 V
(C) 300 Ω  
(D) 400 Ω 
10. 10 一個電流緩衝放大器,其輸入電阻Rin與輸出電阻Rout應具何種特性?
(A)Rin要小,Rout要小
(B)Rin要小,Rout要大
(C)Rin要大,Rout要小
(D)Rin要大,Rout要大
11.11 MP3 隨身聽中通常使用何種記憶體來儲存音樂檔?
(A) SRAM
(B) Flash Memory
(C) ROM
(D) DRAM
12.12 如圖所示之數位電路由三個JK正反器(JK Flip-Flop)所組成,若三個正反器之輸入值皆為 1 且目前 輸出之狀態為Q2Q1Q0=100。試問當時脈(clock)再度觸發三個JK正反器時,下一個輸出之狀態值Q2Q1Q0何?


(A)  010
(B) 011
(C) 100
(D) 101
13.13 圖中邏輯電路輸出信號(Y)之布林函數為何? 

14.14 某振盪電路之迴路增益為L,依巴克豪森準則(Barkhausen Criterion),若當該電路可維持振盪於頻 率ω0,則迴路增益L(jω0)應為:
(A) 1∠0°
(B) 1∠-90°
(C) 2π∠0°
(D)∞∠0°
15.15 圖中振盪器電路,其輸出電壓VO的波形為何?  

(A)方波
(B)正弦波
(C)三角波
(D)脈衝波
16.16 如圖所示電路,其中R1 C1<R2 C2,下列何者錯誤? 
(A)其頻帶寬度 BW 為  
(B)其輸出入電壓之轉移函數為
(C)此為帶通濾波器(Band Pass Filter)電路
(D)其頻率響應圖為 
17.17 圖中QA的寬長比(Aspect Ratio,W/L)為 3 n,QB的寬長比為 2 n,QC的寬長比為n,當此三個電晶體 都導通時,其等效寬長比為: 

(A) 6 n
(B) 2.2 n
(C) 1.2 n
(D) 5 n/6
18.18 已知有一電路的轉移函數,則當頻率為 100 rad/sec 時,該電路產生之相角變化約為:
(A) 0°
(B)-45°
(C)-90°
(D)-180°
19.19 分析圖中之電路,若運算放大器為理想,則Ii值為何? 

(A) 1 mA  
(B) 1.5 mA
(C) 2 mA
(D) 3 mA
20.20 如圖所示電路為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的加權加法器(Weighted Summer),若 R1=1 kΩ,R2=4 kΩ,R3=1 kΩ,R4=4 kΩ,V1=2 V,V2=3 V,則VO等於:

(A) 15 V  
(B) 12 V
(C) 11 V
(D) 10 V
21.21 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數α(=Ic/Ie)為 0.98,以及電晶體集極到 基極的交流輸出阻抗ro為 1 MΩ,則此放大器的輸出阻抗ZO約為多少? 

(A) 1.2 kΩ  
(B) 6 kΩ
(C) 12 kΩ
(D) 1 MΩ
22.22 如圖所示電路,電晶體皆為矽質,其中電晶體Q1與Q2有相同特性,若VCC=15 V,VEE=-10 V,電 阻R1=5 kΩ,R2=3 kΩ,R3=R4=3 kΩ,稽納二極體電壓VZ=7 V,Vi1=Vi2=0 V,若輸出電壓差VO= VO1-VO2,則VO約為何值? 
 
(A)-4.2 V
(B) 4.2 V
(C)-2.1 V
(D) 2.1 V
23.23 如圖所示為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load),其中I=200 µA,並且電晶體 都具有相同的參數,β=100,ro=100 kΩ。此電路差模電壓增益(Differential Mode Voltage Gain) Ad≣Vo/(V1-V2)約為:

(A) 400
(B) 200
(C) 100
(D) 50
24.24 某電壓放大器以圖示電路模型表示,其中Ri=4 kΩ、Ro=1 kΩ,若將二個相同的此種電壓放大器串 接,問串接後電路的總電壓增益約為若干? 

(A) 4000
(B) 5000
(C) 8000
(D) 10000
25.25 如圖所示之空乏(Depletion)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知工作點(Operating Point) 閘源極電壓VGS為 0.33 V,汲極電流ID為 7.6 mA,IDSS為 6 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP 為-3V,則此放大器的輸入阻抗Zi約為多少? 


(A) 330 kΩ  
(B) 560 kΩ
(C) 720 kΩ
(D) 910 kΩ Vi
26.26 一N通道接面場效電晶體(JFET)的IDSS=4 mA,VP=-4 V,若ID=1 mA,則其VGS約為:
(A) 2 V
(B) 1 V
(C)-1 V
(D)-2 V
27.27 與 BJT 電路比較下列有關 CMOS 電路的特性,何者敘述錯誤?
(A)交換速率較快
(B)製作容易,價格低廉
(C)消耗功率小
(D)雜訊免除佳
28.28 設VBE=0.7 V,VC=9 V,則圖中的電流IB約為:
 
(A) 0 µA 18 V
(B) 2.3 µA
(C) 13.8 µA
(D) 15.0 µA 
29.29 若圖中電晶體Q1及Q2之特性相同且VBE=0.7 V,則IO之電流大小約為: 

(A) 5.45 mA  
(B) 4.35 mA
(C) 2.15 mA
(D) 1.25 mA Io
30.30 如圖所示電路,已知其中齊納(Zener)二極體的VZ=5 V,則該齊納二極體的消耗功率約為: 

(A) 6 mW  
(B) 4 mW
(C) 2 mW
(D) 1 mW
31.31 下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓?
(A)光二極體(Photo Diode)
(B)齊納二極體(Zener Diode)
(C)變容二極體(Varactor)
(D)蕭基二極體(Schottky Diode)
32.32 PIN 感光二極體工作時,基本上是操作於那一偏壓下?
(A)順向偏壓
(B)逆向偏壓
(C)零電壓下(短路)
(D)不加電壓(開路)
33.33 如圖所示,利用電晶體及電阻組成之數位正邏輯電路,其中輸入為 A、B,輸出為 Y,問此為何種邏 輯閘? 

(A)  NAND 閘  
(B) AND 閘
(C) NOR 閘
(D) OR 閘 
34.34 圖為濾波器電路,其轉換函數(Transfer Function)為Vout/Vin。以下何者錯誤? 

(A)轉換函數絕對值之大小不隨頻率變化
(B)轉換函數相位隨頻率變化
(C)本電路輸出無波形失真
(D)全通濾波器(All Pass Filter) 
35.35 如圖所示電路,其電壓增益之頻率響應圖是: 
36.36 如圖所示運算放大器電路,若輸入電壓為VI=-4 V,試求其輸出電壓VO約為多少? 

(A)-20 V  
(B)-15 V
(C)+15V  
(D)+20 V
37.37 下列有關雙極接面電晶體三種組態放大器的敘述,何者錯誤?
(A)共基極之輸入阻抗最高
(B)共射極為反相放大器
(C)共集極之電壓增益小於 1
(D)共射極的功率增益最高
38.38 有關下列增強型MOSFET之特性敘述,何者錯誤?(Vt為臨限電壓(Threshold Voltage))
(A)於N通道,VGS>Vt可感應通道
(B)於P通道,Vt為一正值電壓
(C)於VGS=0,無感應通道
(D)於N通道,VGS電壓愈大(愈正),感應通道愈大
39.39 對於雙極性電晶體的工作模式,何者敘述正確?
(A)飽和模式:射極接面導通,集極接面截止
(B)主動模式:射極接面導通,集極接面截止
(C)飽和模式:射極接面截止,集極接面導通
(D)主動模式:射極接面截止,集極接面截止
40.40 一般矽質 PN 接面二極體兩端的順向電壓,在某一特定電流值時,隨溫度變化的情形是:
(A)-2 mV/℃
(B)-20 mV/℃
(C)+2 mV/℃
(D)+20 mV/℃