a750707123>试卷(2015/03/16)

電子學 電路學題庫 下載題庫

102 年 - 台電、中油、台水 電路學、電子學#19799 

选择:60题,非选:0题
立即測驗 
我要補題 回報試卷錯誤 試卷下載
1.如【圖 1】之電路,其負載 RL=1 kΩ。

【題組】1.若將框選區域改為戴維寧等效電路,則框選區域內之戴 維寧等效電壓源為何?
(A) 6.4 V
(B) 8 V
(C) 10 V
(D) 12 V
2.【題組】2.承第 1 題,若框選區域內改為諾頓等效電路,則諾頓等效電流源為何?
(A) 1.6 mA
(B) 2 mA
(C) 2.4 mA
(D) 4 mA
3.3.有一週期性之半波電壓,其波峰值為 Vm,如【圖 2】,則其有效值 Vrms 為何?
 
4.有一視在功率 S=20 kVA,PF= 0.6 lagging 的負載,外接 100 V、50 Hz 之電源。
【題組】4.若想將其功率 因數提升至 0.8 lagging,則需在原電路中如何作才能達成?
(A)串聯 2228 μF 之電容
(B)並聯 2228 μF 之電容
(C)串聯 3714 μF 之電容
(D)並聯 3714 μF 之電容
5.【題組】5.承第 4 題,功率因數提升至 0.8 lagging 後,線路損失減少多少%?
(A) 35 %
(B) 44 %
(C) 51 %
(D) 65 %
6.6.如【圖 3】之電路,Vi(t)=10sin2t V,求其功率因數大約為何?
(A) 0.5
(B) 0.6
(C) 0.7
(D) 0.8

7.7.有一電壓 v(t)=Vmsinωt,當其串聯一純電阻後,則其瞬時功率會包含下列何種頻率?
(A) 1/4ω
(B)1/2ω
(C) 2ω
(D) 4ω
8.一個 R、L、C 互相並聯之電路,R=6 Ω,L=7 H,C=1/42F。
【題組】8.求其共振頻率 ω0?
(A) 1 rad/s
(B) √3 rad/s
(C) 2 rad/s
(D) √6 rad/s
9.【題組】9.承第 8 題,此電路會出現下列何種現象?
(A) underdamping
(B) critical damping
(C) overdamping
(D) undamping
10.10.將 i(t)= -5sin(377t-110°) A 轉換為相量表示,則應為下列何者?
(A) 5∠-20° A
(B) 5∠160° A
(C) 5∠-70° A
(D) 5∠110° A
11.11.一個功率 2 hp 的馬達,連續運轉一小時可傳送約多少能量? (1 hp=746 W)
(A) 10.33 kJ
(B) 89.52 kJ
(C) 5.37 MJ
(D) 6.56 MJ
12.有一電路如【圖 4】,

【題組】12.假如 RL欲達到吸收最大功率之效果,則 RL值應該為何?
(A) 4 Ω
(B) 6 Ω
(C) 12 Ω
(D) 20 Ω
13.【題組】13.承第 12 題,RL吸收之最大功率為何?
(A) 27 W
(B) 28 W
(C) 35 W
(D) 36 W
14.14.函數 f(t)=cos(at) 經拉普拉斯轉換後,F(s)= ? 

15.有一電路圖如【圖 5】,

【題組】15.求 i(0)=?
(A) 0 A
(B) 1 A
(C) 2 A
(D) 5 A
16.【題組】16.承第 15 題,求 i(0+)=?
(A) 0 A
(B) 1 A
(C) 2 A
(D) 5 A
17.17.有 2 具馬達分別以 Y 接、△接運轉,在相同線電壓Vl 下,Y 接線各相間、△接線各線間之電 阻相同,如【圖 6】。此時△接線之馬達輸出功率為 Y 接線之馬達輸出功率的幾倍?
(A) √2
(B)√ 3
(C) 2
(D) 3

18.18.相同線電壓Vl 下,各有一單相負載與平衡三相負載,線路之電阻皆為 R,如【圖 7】。若單相 與三相負載之實功率、功率因數皆相同時,此時三相電力系統線損為單相系統線損的幾倍? 

19.19.某耦合電路中有兩個相互靠近之電感,其中一側之自感量 L1=28 mH,另一次側之自感量 L2=7 mH,兩電感間之互感量 M=7 mH。則電路之耦合係數 k 為何?
(A) 0.25
(B) 0.5
(C) 2
(D) 5
20.20.有一電路如【圖 8】,其電壓 V1之大小為何?
(A) 2 V
(B) 3 V
(C) 4 V
(D) 5 V

21.21.霍爾效應(Hall effect)使用在半導體測試中,主要用來決定下列何者?
(A)半導體內電流
(B)半導體型式(n 或 p)
(C)半導體內磁場
(D)半導體溫度
22.22.在頻率響應波德圖(Bode plot)中,特性曲線的斜率為 6dB/octave 相當於 A dB/decade,則 A 的 值為下列何者?
(A) 10
(B) 12
(C) 20
(D) 24
23.23.負回授放大器的優點中,下列何者有誤?
(A)輸入電阻可增大
(B)輸出電阻可增大
(C)頻率響應可改善
(D)線性度可改善
24.24.由 CMOS FET 組成傳輸閘(Transmission Gate)時,組成元件為下列何者?
(A)只有 NMOS
(B)只有 PMOS
(C) NMOS+PMOS
(D) JFET
25.25. ECL (Emitter-Coupled Logic)電晶體邏輯閘的優缺點中,下列何者敘述有誤?
(A)雜訊邊界大
(B)可以有互補輸出
(C)輸出可直接連結 Wired-OR
(D) Fan-out 數有限
26.26.如【圖 9】所示的電路作用為下列何者?
(A)積分器
(B)微分器
(C)限制器
(D)整流器

27.27.下列何者的電流並聯負回授放大器特性敘述有誤?
(A)輸入阻抗降低
(B)非線性失真度降低
(C)輸出阻抗降低
(D)頻寬增加
28.28. BJT 電晶體的作用區域分為工作區、飽和區及截止區,在飽和區的集極與射集接面偏壓敘述 ,下列何者正確?
(A)皆為逆向偏壓
(B)皆為順向偏壓
(C)集極為順向偏壓,射極為逆向偏壓
(D)集極為逆向偏壓,射極為順向偏壓
29.29.如【圖 10】所示之 FET 邏輯電路,輸出 Y 與下列何者 邏輯運算結果相符? 

30.30. B 類功率放大器之轉換效率最佳,下列何者是其最大可能轉換效率值?
(A) 75 %
(B) 78.5 %
(C) 82.5 %
(D) 100 %
31.31.如【圖 11】所示為低通電路,假設輸入電阻為 1 KΩ,高 3 dB 頻率 為 1 KHz,DC 增益為 40 dB,則 C1為下列何者?
(A) 1/π nF
(B) 2/π nF
(C) 10/π nF
(D) 10/(2π) nF

32.32. BJT 電晶體放大器組態中,下列何者最適合做為阻抗匹配器?
(A)共集極
(B)共基極
(C)共射集
(D)共閘極
33.33.右【圖 12】所示之濾波器電路作用為下列何者?
(A)低通
(B)帶通
(C)高通
(D)全通

34.34.串級(Cascade)電晶體組態中,為求得最大電壓增益,通常使用下列何者放大器組態作為第二 級放大器?
(A)共集極
(B)共基極
(C)共射集
(D)共源極
35.35.如【圖 13】所示為一零交越偵測器(Zero-crossing Detector), 其中 Vi 為正弦波,則 Vo 波形為下列何者?
(A)正弦波
(B)方波
(C)三角波
(D)脈衝波

36.36.差動放大器中差動信號增益為 Ad,共模信號增益為 Ac,則共模拒斥比(CMRR)為下列何者?

37.37.在一單純 RC 低通濾波器中,R=2/π KΩ,C=1 μF,其截止頻率為下列何者?
(A) 7.958 Hz
(B) 25 Hz
(C) 79.58 Hz
(D) 250 Hz
38.38.二極體截波電路(diode clipping circuit)如【圖 14】所示, 二極體為理想二極體,當輸入電壓 Vi 為正弦波時,則輸 出電壓 Vo 波形為下列何者(實線)?

39.39.有關負回授放大器的穩定性敘述,下列何者有誤?
(A) gain margin 為負值則不穩定
(B)如 1+Aβ的零點皆在複數頻率平面的左邊則穩定
(C)暫態干擾影響會漸漸消失則穩定
(D) phase margin 為負值則不穩定
40.40. 在以示波器測試及調整放大器的輸出波形時,通常輸入下列何者較適用?
(A)正弦波
(B)三角波
(C)方波
(D)脈衝波
41.某負載兩端之電壓為 V(t)=60sin(t+30°)+80 sin(3t+60°) V,流經之電流 i(t)=3sin(t-30°)+4sin(3t+30°)A。
【題組】41.則負載吸收之實功率為何?
(A) 157.9 W
(B) 183.6 W
(C) 315.9 W
(D) 367.1 W
42.【題組】42.承第 41 題,此負載之功率因數(PF)為何?
(A) 0.73
(B) 0.83
(C) 0.85
(D) 0.92
43.43.有一電路如【圖 15】,求 A、B 兩點間之等效電容 CAB=?
(A) 5.1 μF
(B) 6.2 μF
(C) 7.4 μF
(D) 8.3 μF

44.有一電路如【圖 16】,

【題組】44.求電容所儲存之能量 Wc(t)為何?
(A) 10-3 sin2 πt J
(B) 10-2 sin2  2 πt  J
(C) 10-3 cos2 πt J
(D) 10-2 cos2  2 πt J
45.【題組】45.承第 44 題,電容之儲存能量在幾秒時達到最大值?
(A) 1/2 s
(B) 1/4s
(C) 1/6 s
(D)1/8 s
46.46.有一電路如【圖 17】,i(t)=?
(A) 12sin(40t − 53°) A
(B) 12 cos(40t − 53°) A
(C) 20sin(40t + 37°) A
(D) 20cos(40t + 37°) A

47.有一電路如【圖 18】,將兩端點內改為戴維寧等效電路,

【題組】47. 則等效電壓源為何?
(A) 5 V
(B) 6 V
(C) 7 V
(D) 8 V
48.【題組】48.承第 47 題,戴維寧等效電路之串聯阻抗為何?
(A) 6 kΩ
(B) 8 kΩ
(C) 10 kΩ
(D) 12 kΩ
49.有一電路如【圖 19】,

【題組】49.當 0<t<1 s時,iL(t)=? (t=0 前電陸為穩態)


50.【題組】50.承第 49 題,當 t>1 s 時,iL(t)=? 
51.51.兩個不相互作用且上 3 dB 頻率 fH 皆相同的帶通濾波器作串級(Cascade)組態,則整個上 3 dB 頻率 fA 與 fH 的比值為下列何者?
52.52.如【圖 20】所示為一主動式共振帶通濾波器,假設其電壓增益-Ao=50,中心頻率為 160 Hz,3 dB 頻寬為 16 Hz,C1 =C2 =0.1μF,則 R1為下列何者?
(A) 2 KΩ
(B) 2π KΩ
(C) 3 KΩ
(D) 3π KΩ

53.53.電流鏡電路如【圖 21】所示,假設 Q1、Q2及 Q3特性完全相同且 β>>1 及 VBE=0.7 V,如 R=2 KΩ,則 IL 為下列何者?
(A) 7.5 mA
(B) 10 mA
(C) 14.3 mA
(D) 28.6 mA

54.54.一轉換函數為 ,且 s3=10*s1=100*s2,則主要極點(dominant pole)為下列何者?
(A) s1
(B) s2
(C) s3
(D) 2*s1
55.55. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
(A) FET 是單極性裝置
(B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關
(D) FET 較無雜訊產生
56.56.運算放大器電路如【圖 22】所示,輸入電阻 Rin 為下列何者?
(A) -0.5 R
(B) -R
(C) 0.5R
(D) R

57.57.有一 0.5 W、2.5 V 的齊納二極體(Zener Diode),其最 大電流為下列何者?
(A) 75 mA
(B) 100 mA
(C) 150 mA
(D) 200 mA
58.58.有一穩壓電路如【圖 23】所示,假設 Q1、Q2電晶體 的 IC=IE(IB 忽略), VBE=0.7 V,則 VL 為下列何者?
(A) 6.3 V
(B) 7 V
(C) 11 V
(D) 20 V

59.59.全波整流器的峰值負載電流值為 Im 時,則 Irms 值為下列何者?

60.60.移相振盪器如【圖 24】所示,則其振盪頻率為下列何者?