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Huang Howard>试卷(2014/12/10)

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93 年 - 地方特考電子工程五等電子學#18254 

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1.1 當運算放大器作比較器時的敘述何者正確?
(A)有虛地(Virtual Ground)效應
(B)操作在飽和區
(C)操作在線性區
(D)輸出阻抗=∞
2.2 下圖電路輸出何者正確?
3.3 關於雙極性接面電晶體(BJT)截止(Cutoff)時的敘述何者正確?
(A)射極基極介面(EBJ)為順向偏壓,集極基極介面(CBJ)為順向偏壓
(B)射極基極介面(EBJ)為順向偏壓,集極基極介面(CBJ)為反向偏壓
(C)射極基極介面(EBJ)為反向偏壓,集極基極介面(CBJ)為順向偏壓
(D)射極基極介面(EBJ)為反向偏壓,集極基極介面(CBJ)為反向偏壓
4.4 雙極性接面電晶體(BJT)截面圖如下圖,下列敘述何者正確? 
(A)X 為射極(E),Y 為基極(B),Z 為集極(C)
(B)X 為射極(E),Z 為基極(B),Y 為集極(C)
(C)Z 為射極(E),Y 為基極(B),X 為集極(C)
(D)Y 為射極(E),X 為基極(B),Z 為集極(C)
5.5 若 A、B 為常數,關於濾波器轉移函數 T(S)=A/(S+B)的敘述下列何者正確?
(A)高通(High pass)
(B)低通(Low Pass)
(C)帶通(Band Pass)
(D)全通(All Pass)
6.6 右圖的等效電路為何? 
(A)電容
(B)電感
(C)電阻
(D)二極體
7.7 右圖為何種電路? 
(A)共射極電路
(B)共基極電路
(C)共集極電路
(D)振盪路 n Vin Vo VCC代號:2510 頁次:4-2
8.8 下列何者在直流分析時為斷路?
(A)電阻
(B)電感
(C)電容
(D)二極體
9.9 若忽略二極體壓降,且 VB>0,下圖之輸入輸出(Vi-Vo)關係為何? 
(A)Vo=極大值(Vi-VB, 0)
(B)Vo=極大值(Vi+VB, 0)
(C)Vo=極小值(Vi-VB, 0)
(D)Vo=極小值(Vi+VB, 0)
10.10 場效電晶體(FET)之門檻(threshold)電壓 Vth之敘述何者正確?
(A)加強型(enhancement)NMOS Vth<0
(B)乏型(depletion)NMOS Vth>0
(C)加強型(enhancement)PMOS Vth>0
(D)加強型(enhancement)PMOS Vth<0
11.11 關於共基極(CB)放大器的敘述何者正確?
(A)電壓增益≈ 1
(B)電壓增益<1
(C)電流增益≈ 1
(D)電流增益>1
12.12 關於 TO3 功率電晶體(Power Transistor)的敘述何者正確?
(A)不需金屬包裝(Package)散熱
(B)射極連接外殼包裝
(C)基極連接外殼包裝
(D)集極連接外殼包裝
13.13 積體電路工廠 90 奈米(nm)製程是指多少米的製程?
(A)9.0×10-6
(B)9.0×10-7
(C)9.0×10-8
(D)9.0×10-9
14.14 關於 741 運算放大器(Op Amp)的敘述何者正確?
(A)輸出級有保護電路
(B)3dB 頻率≈ 數百 Hz
(C)電壓增益≈ 1
(D)有回饋(feedback)電容跨接輸入級兩端
15.15 下圖為何種電晶體? 
(A)PMOS 場效電晶體
(B)NMOS 場效電晶體
(C)NPN 雙極性接面電晶體(BJT)
(D)PNP 雙極性接面電晶體(BJT)
16.16 關於下圖跟隨速率(Slew rate)的敘述,下列何者正確? 
(A)跟隨速率=最小值(輸入電壓,輸出電壓)
(B)跟隨速率=0
(C)跟隨速率=斜率 S
(D)跟隨速率=∞
17.17 下列關於史密特觸發器(Schmitt trigger)輸入輸出關係的敘述何者正確?
(A)有身體效應(Body Effect)
(B)有米勒效應(Miller Effect)
(C)符合巴克豪森準則(Barkhausen Criterion)
(D)有磁滯效應(Hysteresis Effect)
18.18 下列關於交換式電容(Switched-Capacitor)濾波器的敘述何者正確?
(A)等效電阻和時脈頻率成正比
(B)等效電阻和電容成正比
(C)等效電阻和電容成反比
(D)等效電阻和電容成無關 
19.19 下式為韋恩(Wien)振盪器之轉移(transfer)方程式,則下列敘述何者正確?
20.20 關於共源極(Common-Source)NMOS 場效電晶體的簡化小信號等效電路為何?
(A)電壓控制之電流源
(B)電流控制之電壓源
(C)電壓控制之電壓源
(D)電流控制之電流源
21.21 下圖輸入偏壓電流補償電路之關係為何? 
(A)R1=R2+R3
(B)R3=R1+R2
(C)R3=R1||R2
(D)R2=R1||R3
22.22 傳統 CMOS 反及(NAND)閘的連接方式為何?
(A)NMOS 串聯,PMOS 並聯
(B)NMOS 並聯,PMOS 串聯
(C)NMOS 串聯,PMOS 串聯
(D)NMOS 並聯,PMOS 並聯
23.23 傳統 CMOS 的功率消耗(Power dissipation)敘述何者正確?
(A)靜態功率消耗很大
(B)靜態功率消耗≈ 0
(C)動態功率消耗≈ 0
(D)動態功率消耗和頻率成反比
24.24 若 NMOS 及 PMOS 之門檻(threshold)電壓分別為 VTN及 VTP,CMOS 傳輸(Transmission)閘傳遞邏輯-0 及邏輯-1 之電壓值為何?
(A)邏輯-0=VDD,邏輯-1=0
(B)邏輯-0=VTN,邏輯-1=VDD
(C)邏輯-0=0,邏輯-1=VDD
(D)邏輯-0=VTN,邏輯-1=VDD-|VTP|
25.25 加強型(Enhancement)NMOS 及加強型 PMOS 之門檻(threshold)電壓分別為 VTN及 VTP,下列敘述何者 正確?
(A)VTN>0 及 VTP>0
(B)VTN>0 及 VTP<0
(C)VTN<0 及 VTP>0
(D)VTN<0 及 VTP<0
26.26 二級之積體電路運算放大器,其頻率補償電路跨接何級?
(A)輸出級
(B)輸入級
(C)偏壓級
(D)短路保護電路
27.27 下圖為用於變換電容(Switched Capacitor)濾波器之電路,時脈 1 和時脈 2 關係為何? 
(A)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、可重疊
(B)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、不可重疊
(C)時脈 1 和時脈 2 無關
(D)時脈 1 和時脈 2 頻率不相同
28.28 有關放大器輸出穩定時,極點和 S 平面的關係何者正確?
(A)極點落在 S 平面第二、三象限(左半面)
(B)極點落在 S 平面第一、四象限(右半面)
(C)極點落在 S 平面 jω 軸上
(D)極點落在 S 平面σ 軸上
29.29 若 NMOS 場效電晶體(FET)之汲極源極電壓 VDS>閘極源極電壓 VGS>門檻(threshold)電壓 Vth,下列何 者正確?
(A)電晶體操作在非飽和區
(B)電晶體操作在飽和區
(C)電晶體截止
(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處 
30.30 關於場效電晶體(FET)之閘極電容的敘述,下列何者正確?
(A)與場效電晶體(FET)閘極之通道長度成反比
(B)與場效電晶體(FET)閘極之通道寬度成反比
(C)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成反比
(D)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成正比
31.31 將一電容值為 C 的電容跨接於增益為 A 的放大器輸出端及輸入端,其等效輸入米勒(Miller)電容值為何? (A, C>0)
(A)C(1+A)
(B)C(1-A)
(C)C(1 +1/A)
(D)C(1-1/A)
32.32 下列場效電晶體(FET)之反向器(Inverter)的負載,何者有最大汲極(Drain)平均電流?
(A)電阻
(B)加強型(Enhancement)PMOS
(C)乏型(Depletion)NMOS
(D)加強型 NMOS
33.33 加強型(Enhancement)NMOS 之門檻(threshold)電壓為 VTN,則加強型 NMOS 負載的場效電晶體(FET) 反向器(Inverter)之正常輸出電壓為下列何者?
(A)VDD
(B)VDD-VTN
(C)0
(D)VTN
34.34 右圖之敘述何者正確? 
(A)布林函數 F=AB+C
(B)布林函數 F=(A+B)C
(C)F 正常最大輸出電壓為 VDD
(D)F 正常最大輸出電壓為(VDD-VTN)
35.35 頻率在零(Zero)點時,轉移函數(Transfer Function)的數值為何?
(A)0
(B)1
(C)轉移函數最大值
(D)無限大
36.36 場效電晶體(FET)閘極之通道長度為 L 和閘極之通道寬度為 W,若兩顆相同的場效電晶體(FET)串連, 則等效通道長度寬度比(L/W)為何?
(A)0.5
(B)1
(C)2
(D)0
37.37 右圖電路之輸出邏輯函數 F 為何?
38.38 右圖電路為何種電路? 
(A)TTL 或閘(OR)
(B)TTL 反或閘(NOR)
(C)ECL 或閘(OR)
(D)ECL 反或閘(NOR)
39.39 右圖電路何者敘述正確? 
(A)NMOS 動態隨機存取記憶體細胞
(B)NMOS 靜態隨機存取記憶體細胞
(C)CMOS 動態隨機存取記憶體細胞
(D)CMOS 靜態隨機存取記憶體細胞
40.40 下列 TTL 敘述何者最正確?
(A)速度比 ECL 快
(B)速度比 CMOS 及 ECL 慢
(C)速度比 CMOS 快
(D)速度比 CMOS 及 ECL 快