阿摩>试卷(2014/11/19)

統測◆(一)電子學、基本電學題庫 下載題庫

102 年 - 統測電機類專業一#17966 

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1.1. 將 2 庫倫的正電荷從電位 20V 處移至 100V 處,需花費 10 秒的時間,則其平均功率大小 為何?
(A) 32W
(B) 20W
(C) 18W
(D) 16W
2.2.某蓄電池內部電量原蓄有 200 庫倫,以 5 分鐘的時間將其充電至 800 庫倫,則其平均 充電電流大小為何?
(A)8A
(B)6A
(C)4A
(D)2A
3.3.將 100V 電壓加至某電阻線上,通過之電流為 16A,今若將此電阻線均勻拉長,使長度 變為原來的 2 倍,而接至相同的電壓,則通過之電流會變為多少?
(A)4A
(B)6A
(C)8A
(D)10A
4.4.如圖(一)所示,若 R1=4R2,已知 R2 消耗功率為 10W、R1 兩端之電壓降為 40V,則 E 之值為何? 
(A)50V
(B)60V
(C)70V
(D)80V
5.5.如圖(二)所示,電路中之 I 值為何? 
(A)8A
(B)6A
(C)2A
(D)0A
6.6.如圖(三)所示,電路中之 30Ω處所消耗之功率為何? 
(A)100W
(B)120W
(C)140W
(D)160W
7.7.如圖(四)所示,電路中 2Ω處所消耗之功率為何? 
(A)8W
(B)16W
(C)24W
(D)32W
8.8.如圖(五)所示,若要使電阻 R 獲得最大功率,則 R 值應為何? 
(A)14Ω
(B)10Ω
(C)6Ω
(D)2Ω
9.9.如圖(六)所示,電路中流經 3Ω之電流大小為何? 
(A)8A
(B)6A
(C)4A
(D)2A
10.10.如圖(七)所示之串並聯電路,其三個電容規格分別為 30μF/100V、60μF/200V 及 30μF/300V,則電路中 E 可加之最大電壓為何? 
(A)100V
(B)150V
(C)200V
(D)300V
11.11. 有一 10Ω 電阻串聯一個 100μF 電容後接上 100V 直流電壓,求電路穩態時,電容儲存的 電量與能量分別為何?
(A) 0.01C,0.5J
(B) 0.01C,1 J
(C) 0.1C,0.5J
(D) 0.1C,1J
12.12.有耦合的兩線圈,線圈 1 與線圈 2 之匝數分別是 100 匝及 200 匝,線圈 1 加入 5 安培 電流產生 5 毫韋伯磁通,其中有 4 毫韋伯磁通與線圈 2 交鏈,請問此兩線圈的耦合係數 及線圈 2 的自感量分別為何?
(A)0.4,0.8H
(B)0.8,0.4H
(C)0.6,0.5H
(D)0.5,0.6H
13.13.有一磁路之導磁係數μ=5+10-3 H/m,磁路的截面積為 0.08m2 ,磁路的長度為 1m, 請問此磁路之磁阻為何?
(A)12500 安匝/韋伯
(B)2500 安匝/韋伯
(C)1250 安匝/ 韋伯
(D)250 安匝/韋伯
14.14.如圖(八)所示,若電感在開關 S 閉合前已無儲能,且開關 S 在時間 t=0 時閉合, 請問在 t=0時電感兩端的電壓及穩態時流過電感的電流大小為何? 
(A)0V,2A
(B)50V,2A
(C)0V,1A
(D)50V,1A
15.15.如圖(九)所示,若開關 S 閉合及開關 S 打開時,則電路的時間常數各為何? 
(A)1.6 秒,1.2 秒
(B)3.0 秒,1.2 秒
(C)1.6 秒,2.4 秒
(D)3.0 秒,2.4 秒
16.16.有一交流電源 v(t)=100sin(377t-45°)伏特,請問其最大值及一個週期的平均值 為何?
(A)100V,63.6V
(B)141V,63.6V
(C)100V,0V
(D)141V,0V
17.17.有一交流電機,其轉速為每秒 30 轉,若欲產生頻率為 60Hz 之電源,請問此電機的極 數為何?
(A)4 極
(B)6 極
(C)8 極
(D)12 極
18.18.有一 RL 串聯交流電路,R=10Ω、L=10mH,電源電壓 v(t)=150sin(1000t+30°) V,請問下列敘述何者正確?
(A)電源電流=7.5∠15°A
(B)電阻器兩端電壓 vR(t) =75 √2 sin(1000t-15°)V
(C)電源電流I 超前電源電壓V 之相位角 45°
(D)總阻抗Z =10 √2 ∠-45°Ω
19.19.有一電阻 R 並聯一電容 C 之交流電路,當加入電源電壓 v(t)=150sin(1000t-10°) V 時,產生的電源電流為 i(t)=15 √2 sin(1000t+35°)A,試求電阻 R 及電容 C 為多 少?
(A)R=100Ω,C=100μF
(B)R=100Ω,C=10μF
(C)R=10Ω,C=100μF
(D)R =10Ω,C=10μF
20.20.如圖(十)所示之 RLC 串並聯交流電路,請問下列敘述何者正確? 
(A)總阻抗Z= 10∠36.9°Ω
(B)電源電流 I =10∠-36.9°A
(C)ab 兩端電壓 V ab=60∠53.1°V
(D)流 經電容器的電流I c=20∠36.9°A
21.21.有一交流電路,當加入電源電壓 v(t)=150sin(377t+35°)V 時,產生的電源電流 為 i(t)=10sin(377t-25°)A,試求該電源在此電路供給之最大瞬間功率 Pmax及最小 瞬間功率 Pmin 為多少?
(A)Pmax=2250W,Pmin=-750W
(B)Pmax=1500W,Pmin=- 500W
(C)Pmax=1125W,Pmin=-375W
(D)Pmax=750W,Pmin=-250W
22.22.有一單相交流電路,電源電壓為 v(t)=200sin(300t+30°)V,負載消耗的平均功 率為 4kW,功率因數為 0.8 滯後,若要將電路的功率因數提高至 1.0,則需並聯多少電容 量的電容器?
(A)500μF
(B)250μF
(C)133μF
(D)66.6μF
23.23.有一 RLC 串聯電路,若電源電壓有效值 V=110V、R=5Ω、L=40mH、C=100μF, 試求電路諧振時,電容器兩端的電壓為多少?
(A)440V
(B)220V
(C)110V
(D)55V
24.24.有一 RLC 並聯電路,若電源電壓有效值 V=110V、R=100Ω、L=40mH、C=1μF, 當電路諧振時,請問下列敘述何者錯誤?
(A)諧振角頻率ω0=5000rad/sec,功率因數 PF=1
(B)電源電流 I0=1.1A,平均功率 P0=121W
(C)流經電感器的電流 IL0=0.55A, 流經電容器的電流 IC0=0.55A
(D)品質因數 Q=5,頻帶寬度 BW=159.2Hz
25.25.如圖(十一)所示之三相電路,若三相發電機以正相序供電給負載,已知電壓有效值,請問下列敘述何者錯誤? 
26.26.台電所供應之 110V/60Hz 家庭用電,以下何者最可能是其瞬時電壓表示式(單位: 伏特)?
(A)110sin(60t)
(B)110sin(60πt)
(C)110 √2 sin(60πt)
(D)110 √2 sin (120πt)
27.27.在未外加偏壓下,下列有關 PN 接面二極體空乏區的敘述,請問何者錯誤?
(A)所形 成的障壁電位,在空乏區 N 側的電位比 P 側的電位高
(B)達到平衡狀態時,在空乏區 P 側中有電洞、在 N 側中有自由電子
(C)在空乏區中,P 側有負離子、N 側有正離子
(D)P、N 兩側空乏區的寬度,其所摻雜的雜質濃度愈高,則該側空乏區的寬度愈窄
28.28.如圖(十二)之電路,其中稽納電壓 VZ=6V,且 15mA≦IZ≦90mA 時,稽納二極體 才有穩壓作用。若不考慮稽納電阻,在 RS電阻的範圍,何者可使稽納二極體產生穩壓作 用? 
(A)60Ω≦RS≦120Ω
(B)60Ω≦RS≦150Ω
(C)50Ω≦RS≦120Ω
(D)50Ω≦RS≦ 150Ω
29.29.全波整流濾波後之輸出電壓波形如圖(十三)所示,其漣波因數百分比γ%約為多少? ( √3 =1.73 
(A)5.24%
(B)5.77%
(C)6.42%
(D)6.82%
30.30.如圖(十四)之電路,二極體為理想二極體,則輸入-輸出曲線,下列何者正確?
31.31.如圖(十五)使用電晶體驅動繼電器的線圈,已知電晶體的β值為 50,而繼電器線圈 的電阻值為 100Ω,控制電壓 Vi如圖所示。若電晶體當電子開關使用時,電阻 RB之最大 值最接近以下何值?(假設飽和時 VBE(sat)=0.7V、VCE(sat)=0.2V) 
(A)3.9kΩ
(B)4.1kΩ
(C)5.0kΩ
(D)7.8kΩ
32.32.有關 NPN 與 PNP 電晶體的特性比較,請問以下敘述何者錯誤?
(A)PNP 電晶體主要 是由電洞來傳導、NPN 電晶體主要是由電子來傳導
(B)工作在主動區(工作區)時, 不論是 NPN 或 PNP 電晶體,其基極-射極接面都是順向偏壓
(C)現今使用的電晶體大 多數為 NPN 電晶體
(D)PNP 電晶體的頻率響應較 NPN 電晶體佳,適合在高頻電路使用
33.33.如圖(十六)的電路,二極體為理想二極體,若輸入電壓 Vi(t)=6sin(200πt)伏 特,當該電路狀態達穩定後,則輸出之一週期電壓波形,下列何者正確?
34.34.在偏壓電路的直流工作點,工作溫度改變會造成電晶體β值的變化,下列何者最為穩 定不受影響?
(A)固定偏壓電路
(B)集極回授偏壓電路
(C)射極回授偏壓電路
(D) 基極分壓偏壓電路
35.35.圖(十七)所示之電路,屬於下列何種偏壓電路? 
(A)固定偏壓電路
(B)集極回授 偏壓電路
(C)射極回授偏壓電路
(D)基極分壓偏壓電路
36.36.雙極性接面電晶體(BJT)共射極放大器的輸出與輸入信號欲呈現比例放大關係,則 應輸入何種信號?
(A)小信號
(B)大信號
(C)直流信號
(D)任意大小信號
37.37.射極隨耦器,屬於下列何種放大器?
(A)共射極放大器
(B)共集極放大器
(C)共基 極放大器
(D)共源極放大器
38.38.如圖(十八)所示電路,已知電晶體的β=60,熱電壓 VT=25mV,則其輸出阻抗 Zo 約為多少? 
(A)50Ω
(B)100Ω
(C)11kΩ
(D)11.1kΩ
39.39.一串級放大電路,已知第一級電壓增益為 20dB,第二級電壓增益為 20 倍,若此串級 放大電路輸入電壓 Vi 為 10μV 時,則輸出電壓 Vo 為多少?
(A)200μV
(B)400μV
(C)2mV
(D)4MV
40.40.將兩個相同的單級低通放大器串接成一個兩級放大器,其頻帶寬度的變化相較於個別 單級低通放大器有何不同?
(A)兩級放大器頻帶寬度會不變
(B)兩級放大器頻帶寬度 會增加
(C)兩級放大器頻帶寬度會減小
(D)兩級放大器頻帶寬度會隨工作時間先增加 再減小
41.41.增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT值的變化,請問以下何者對其影響最 大?
(A)金屬導電層厚度
(B)半導體層的厚度
(C)二氧化矽的厚度
(D)金屬導電層 的材質
42.42.如圖(十九)所示電路,已知 MOSFET 的臨界電壓 VT=3V,則電壓 VDS 為多少? 
(A)0V
(B)4V
(C)8V
(D)12V 12V
43.43.如圖(二十)所示之場效電晶體(JFET)共源極放大電路,若 JFET 之轉移電導 gm =2(mA/V),輸出電阻 rd=40kΩ,則放大電路的電流增益 Ai=(io/ii)為多少? 
(A) -200
(B)-250
(C)-400
(D)-500
44.44.如圖(二十一)所示之場效電晶體(JFET)放大器電路,若 JFET 之輸出電阻 rd>> RD,其中 rd 可忽略,轉移電導 gm=6(mA/V),則放大器電路的電壓增益 Av=(Vo/ Vi)與下列何者最接近? 
(A)-3
(B)-5
(C)-7
(D)-10
45.45.一差動放大器,其兩輸入電壓分別為 Vi1=55μV,Vi2=45μV,共模拒斥比 CMRR(dB) =40dB,差模增益為 Ad=500,則下列何者正確?
(A)共模增益 Ac=10
(B)差模輸入 電壓 Vd=5μV
(C)共模輸入電壓 Vc=100μV
(D)輸出電壓 Vo=5.25mV
46.46.如圖(二十二)所示運算放大器電路,若要設計為非反相加法器使得 Vo=V1+V2+ V3,則電阻 Rf 應為多少歐姆? 
(A)5kΩ
(B)10kΩ
(C)20kΩ
(D)30kΩ
47.47.如圖(二十三)所示之理想運算放大器電路,其中電容 C=0.5μF,假設初始的電容電選擇建功‧14‧尊榮一生 壓為零,電阻 R=200kΩ,若輸入電壓 Vi(t)=1V,當開關 SW 在 t=0 時關上,則在 經過 2 秒後,其輸出電壓 Vo(t)應為多少? 
(A)20V
(B)15V
(C)–15V
(D)–20V
48.48.高頻 LC 振盪器的方塊圖如圖(二十四)所示,請問下列敘述何者正確? 
(A)當 X1 與 X2 為電容器,X3 為電感器時,此電路稱為哈特萊(Hartley)振盪器
(B)當 X1 與 X3 為電容器,X2 為電感器時,此電路稱為哈特萊(Hartley)振盪器
(C)當 X1 與 X2 為電容 器,X3 為電感器時,此電路稱為考畢子(Colpitts)振盪器
(D)當 X1 與 X3 為電容器, X2 為電感器時,此電路稱為考畢子(Colpitts)振盪器
49.49.如圖(二十五)所示之施密特(Schmitt)觸發電路,若已知電源電壓 VCC=13V,輸 出之正飽和電壓+Vsat=12V,負飽和電壓-Vsat=-12V,Vr=3V,則各臨界電壓值,下 列何者正確? 
(A)上臨界電壓 VU=4.5V
(B)上臨界電壓 VU=12V
(C)下臨界電壓 VL =3V
(D)下臨界電壓 VL=1/3V
50.50.如圖(二十六)所示為 555 定時 IC 之多諧振盪器,當按下彈跳開關 SW 後,輸出端 需要經過時間 td 後,才能恢復為原先的穩定狀態,據此下列敘述何者正確? 
(A)此電路 為單穩態多諧振盪器
(B)當電路在穩態時,其輸出電壓為 VCC
(C)td≒0.55ms
(D)td≒ 1.1ms