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黎仲淇>试卷(2015/06/26)

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98 年 - 鐵路佐級_電子學#22364 

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1.1 今對純矽(Si)晶體材料均勻摻雜磷(P)元素,則此矽半導體應屬於那一類的半導體?
(A)外質(Extrinsic)半導體
(B)P型半導體
(C)本質(Intrinsic)半導體
(D)二元化合物(Binary compound)半導體
2.2 電荷耦合元件(Charge Couple Device, CCD)由何種基本結構所組成?
(A)金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)
(B)pn接面
(C)pnp結構
(D)pnpn結構
3.3 對於雙極性接面電晶體工作在截止時,下列有關其接面偏壓狀況之敘述,何者正確?
(A)集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓
(B)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓
(C)集基極接面逆向偏壓而且射基極接面逆向偏壓
(D)集基極接面順向偏壓而且射基極接面逆向偏壓
4.4 運算放大器電路之串並負回授(Series-Shunt Negative Feedback)對輸入阻抗Ri及輸出阻抗Ro之影響為何?
(A)Ri減少,Ro減少
(B)Ri減少,Ro增加
(C)Ri增加,Ro減少
(D)Ri增加,Ro增加
5.5 如圖示之電路,當輸出電流為零時,下列敘述何者正確?(二極體導通時之電壓降為0.7 V)
 
(A)當VI < 3.7 V, VO=VI,當VI≥ 3.7 V,VO=3.7 V
(B)當VI< 3.7 V, VO=VI,當VI ≥ 3.7 V, VO=0 V
(C)當VI < 3.7 V, VO=3.7 V,當VI ≥ 3.7 V, VO=VI
(D)當-3.7 V < VI< 3.7 V, VO=VI,當| VI | ≥ 3.7 V, VO=3.7 V
6.6 下列關於下圖反相器電路中,電晶體操作區之敘述何者正確? 

(A)A=0時,PMOS在飽和區
(B)A=1時,PMOS在截止區(Cut-off Region)或三極區(Triode Region)
(C)A=1時,NMOS關閉
(D)A=0時,NMOS在線性區
7.7 一般的雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor),其射極(Emitter),基極(Base),集極(Collector)之雜質摻雜濃度以何者最高?
(A)射極
(B)基極
(C)集極
(D)都一樣高
8.8 下圖所示之電路,pnp雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor)係工作於何種區域(Region)?

(A)截止區(Cut-off Region)
(B)順向作用區(Forward Active Region)
(C)逆向作用區(Reverse Active Region)
(D)飽和區(Saturation Region)
9.9 有一放大器的-3 dB頻率為100 Hz和18 kHz,若其工作於標準測試頻率2 kHz且為0 dB時的輸出功率為60 W,則其工作於100 Hz和18 kHz時的輸出功率為:
(A)30 W
(B)15 W
(C)42.42 W
(D)60 W
10.10 下圖所示為一個n通道增強型(Enhancement Mode)MOSFET共源極電路,其參數值為:VDD=5 V,ID=0.1 mA,R1=30 kΩ,R2=20 kΩ,RD=20 kΩ,VTn(臨限電壓)=1.5 V,此電晶體被偏壓在下列何種工作區? 

(A)截止區
(B)飽和區
(C)三極區(Triode Region)
(D)次臨限區(Sub-threshold Region)
11.11 關於液晶顯示(LCD)的敘述,下列何者錯誤?
(A)相同解析度之LCD電視機所需功率較LED電視機為低
(B)LCD係靠液晶配向性來控制顯示
(C)LCD需要一個外加或內部的光源
(D)LCD不會因化學作用而退化
12.12 下列何者非主動濾波器之優點?
(A)輸入阻抗高
(B)輸出阻抗低
(C)不需要消耗電力
(D)對抗外界干擾能力佳
13.13 下列何種振盪器,可以產生正弦波的振盪輸出電壓?
(A)柯匹子振盪器(Colpitts Oscillator)
(B)電壓控制振盪器(Voltage-Controlled Oscillator)
(C)不穩複振器(Astable Multivibrator)
(D)雙穩複振器(Bistable Multivibrator)
14.14 如圖所示的電路方塊圖若是理想振盪器,則其必須符合的條件為何?(註:| A(s)β(s) |及∠ A(s)β(s)分別為A(s)β(s)的大小及相角)

(A)| A(s)β(s) |=1,∠ A(s)β(s)=90度
(B)| A(s)β(s) | < 1,∠ A(s)β(s)=0度
(C)| A(s)β(s) |=1及∠ A(s)β(s)=0度
(D)| A(s)β(s) |=1及∠ A(s)β(s)=180度
15.15 邏輯函數  可用下列何閘完成?
(A)及(AND)
(B)反及(NAND)
(C)或(OR)
(D)反或(NOR)
16.16 變容二極體(Varactor)主要是藉由下列何者來改變其電容的大小?
(A)電壓
(B)電流
(C)溫度
(D)頻率
17.17 如圖所示之頻率響應的放大器,則此放大器為何種濾波器?
 
(A)低通
(B)高通
(C)帶通
(D)帶拒
18.18 如圖所示電路,若C=100 μF,R=10 kΩ,Vi=5 costV,當電路已達到穩態後,則輸出電壓Vo為:

(A)5 sintV
(B)5 costV
(C)-5 sintV
(D)-5 costV
19.19 一放大器低頻響應的轉移函數為
,則此放大器低頻3 dB頻率近似於多少rad/s?
(A)0
(B)10
(C)25
(D)100
20.20 下圖中A為理想運算放大器,若R1=1 kΩ,R2=R4=10 kΩ,R3=200 Ω,則Vo/Vi為:

(A)-520
(B)-620
(C)-720
(D)-820
21.21 下列何種元件可將光能轉變為電能?
(A)發光二極體(Light Emitting Diode)
(B)雷射二極體(Laser Diode)
(C)變容二極體(Varactor)
(D)太陽能電池(Solar Cell)
22.22 如圖所示,利用二極體及電阻組成數位正邏輯電路,則此為何種邏輯閘?

(A)NAND閘
(B)AND閘
(C)NOR閘
(D)OR閘
23.23 當雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor)工作於順向作用區(Forward Active Region)時,集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加,其原因為何?
(A)射-基接面空乏區(Depletion Region)寬度增加,造成基極有效寬度變窄
(B)射-基接面空乏區(Depletion Region)寬度減少,造成基極有效寬度變窄
(C)集-基接面空乏區(Depletion Region)寬度增加,造成基極有效寬度變窄
(D)集-基接面空乏區(Depletion Region)寬度減少,造成基極有效寬度變窄
24.24 某一型態之正反器的特性函數(Characteristic Function)為Q (t+1)=A⊕ Q(t),其中A為輸入端信號,則此正反器為下述何種型態?
(A)R-S
(B)D
(C)J-K
(D)T
25.25 當一個放大器要用來放大一個輸入電壓訊號,則該放大器宜具有下列何種特性?
(A)大的輸入電阻
(B)小的輸入電阻
(C)大的輸出電阻
(D)小的輸出電阻
26.26 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述,何者錯誤?
(A)電晶體作為開關時,是在它的截止(Cut-off)與飽和(Saturation)兩個區工作
(B)電晶體在飽和區時,B-E和B-C兩個接面都是逆偏(Reverse-bias)
(C)電晶體在作用(Active)區時,B-E接面順偏(Forward-bias),B-C接面逆偏
(D)電晶體作為放大器使用時,是在作用(Active)區
27.27 如圖所示電路,電晶體Q1與Q2有相同特性,若VCC=15 V,VEE=-20 V,電阻R1=R2=6 kΩ,R3=R4=8 kΩ,R5=5 kΩ,當電晶體Q1與Q2皆為導通時,則輸出之電壓Vo約為何值? 

(A)12.42 V
(B)9.42 V
(C)6.42 V
(D)3.42 V
28.28 下圖所示為一主動濾波器,若Ri=20 kΩ,Rf=200 kΩ,R1=1.5 kΩ,C1=0.02 μF,則其半功率點的頻率為:

(A)5.3 kHz
(B)10 kHz
(C)15.1 kHz
(D)20.3 kHz
29.29 如圖所示電路,假設R1=5 kΩ,R2=20 kΩ,Vo=0.2 V,則其輸入抵補電壓(Input Offset Voltage)為多少mV? 

(A)50
(B)20
(C)30
(D)40
30.30 理想運算放大電路如下圖所示,其輸出電壓Vo應為:
 

(A)-6 V
(B)-8 V
(C)-10 V
(D)-12 V
31.31 在IB保持固定情況下,ΔVBE/ΔVCE代表雙極性接面電晶體之:
(A)hie
(B)hfe
(C)hre
(D)hoe
32.32 當五個反相器(Inverters)接成一個環振盪器(Ring Oscillator),若各反相器具有相同之傳播延遲(Propagation Delay)tp,則該環振盪器之振盪頻率為:
(A)5 tp
(B)10 tp 
(C)1/(5 tp)
(D)1/(10tp)
33.33 下列對理想放大器特性之敘述,何者錯誤?
(A)無限大的輸出阻抗
(B)無限大的電壓增益
(C)無限大的頻寬
(D)無限大的輸入阻抗
34.34 在不影響正常的電路運作下,輸出所能連接之相似電路的最多值,稱之為:
(A)最大輸出
(B)最大扇出
(C)最小輸出
(D)最小扇出
35.35 某一電晶體有200 MHz的單位增益頻寬(unity gain bandwidth),當此電晶體被設計成電壓增益為100的放大器時,其頻寬約為多少MHz?
(A)200
(B)10
(C)5
(D)2
36.36 下圖關於功率(Power)電晶體電路的最大集極電壓為何? 

(A)0伏特(V)
(B)3伏特(V)
(C)8伏特(V)
(D)24伏特(V)
37.37 齊納二極體(Zener Diode)在整流操作時,最主要是利用何種物理機制?
(A)厄利效應(Early Effect)
(B)短通道效應(Short-channel Effect)
(C)崩潰效應
(D)光伏打效應
38.38 一個MOSFET完整的小信號等效電路模型可以如下之等效電路表示,其中gmb是基體調變效應(Body Effect)所產生的互導(Transconductance)。 
今若將接腳S(Source)與接腳B(Body)二者短路,則最正確的等效電路模型為:

39.39 某一放大器的電壓增益與電流增益皆為10,則此放大器功率增益為多少分貝(dB)?
(A)10
(B)20
(C)40
(D)50
40.40 下圖之反相加法電路中,輸出電壓Vo等於: 
phpeKLiyX

(A)15 V
(B)20 V
(C)25 V
(D)30 V