Huang Howard>试卷(2014/11/25)

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103 年 - 鐵路特考電子工程電子學#18075 

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1.1 如圖所示為臨界電位比較器,已知其電源電壓為±15 V,則使輸出改變狀態之 Vin轉折電壓為何? 
(A)+5 V
(B)-5 V
(C)+15 V
(D)-15 V
2.2 下列關於理想運算放大器的輸出特性,何者錯誤?
(A)零共模增益
(B)無限大共模拒斥
(C)常用為差動輸入
(D)常用為交流耦合
3.3 一使用理想運算放大器的微分電路,當 RC 乘積值變大時,其輸出相對輸入之相位移為何? 
(A)變大
(B)變小
(C)保持-90°不變
(D)保持-180°不變
4.4 如圖所示之電路,其邏輯函數為下列何者? 
5.5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示,設 PMOS、NMOS 的電流—電壓(I-V)特性一樣,只是偏壓極性 相反,亦即臨界電壓(Threshold Voltage)絕對值相同,且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已 知此電路的轉移特性(Voltage transfer characteristic)曲線如右圖所示,試研判在曲線 A 點兩電晶體 MP1、MN1 的工作狀態。 
(A)電晶體 MP1 的工作狀態為截止(Cut-off)區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止(Cut-off)區
(B)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管(Triode)區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止(Cut-off)區
(C)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管(Triode)區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和(Saturation)區
(D)電晶體 MP1 的工作狀態為飽和(Saturation)區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和(Saturation)區
6.6 在一般 MOSFET 元件中,為何閘極電流幾乎為零?
(A)因為有閘絕緣層在通道上方
(B)因為有空乏區在通道上方
(C)因為閘極反偏
(D)因為元件靠電壓驅動
7.7 雙極性接面電晶體中,收集多數載子的電極稱為:
(A)源極
(B)基極
(C)集極
(D)閘極
8.8 一個理想二極體,在逆向偏壓時:
(A)電流為零
(B)電壓為零
(C)電阻為零
(D)電容為零
9.9 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍,細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻 Rm = 1 kΩ,最大可容許通過的滿載電流 Immax = 100 μA。已知加入的並聯電阻值分別為 Ra = 9.09 Ω、 Rb = 0.909 Ω、Rc = 0.101 Ω,今將切換開關接到 B 接點,試研判這樣的組態在電表正負端接點之間 最大的電流量測範圍? 
(A)100 μA
(B)1 mA
(C)10 mA
(D)100 mA
10.10 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V,導通電阻值為 0 Ω。則 2 V 電壓源流出之電流值為何? 
(A)1.5 mA
(B)1.3 mA
(C)1.1 mA
(D)0.7 mA
11.11 今欲設計二極體整流電路使 vO產生負極性的電壓輸出,下列何者正確?
12.12 圖示由理想二極體構成電路,若電阻 R 為 0.5 kΩ,則電流 I 為若干 mA? 
(A)6
(B)8
(C)10
(D)12
13.13 如圖所示之電路,二極體皆為理想,則有關此電路之敘述,下列何者正確? 
(A)C1的耐壓為 2 Vm
(B)C1+C3的耐壓為 4 Vm
(C)C2+C4的耐壓為 3 Vm
(D)D4的峰值反向電壓為 2 Vm
14.14 如圖所示之電路,假設二極體導通之壓降為 0.7 V,輸入電壓 vi為一峰值 10 V 之交流正弦波,試求 輸出電壓之最大負值為何? 
(A)-5.3 V
(B)-10.7 V
(C)-14.3 V
(D)-20.7 V
15.15 如圖所示之電路,輸入電壓 vi為一交流弦波,有效值為 100 V,頻率為 60 Hz,二極體導通之壓降皆 為 0.7 V,求二極體之峰值反向電壓約為何? 
(A)17.4 V
(B)34.7 V
(C)69.4 V
(D)104.1 V
16.16 一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降,其溫度係數(Temperature Coefficient)為:
(A)零溫度係數
(B)正溫度係數
(C)負溫度係數
(D)正負溫度係數依導通電壓大小而定
17. 17 對理想二極體之敘述,下列何者錯誤?
(A)順向時視為短路,逆向時視為開路
(B)順向電阻等於零,逆向電阻無限大
(C)順向電壓等於零,逆向電流無限大
(D)無順向電壓降,無逆向電流
18.18 雙極性接面電晶體的各種組態放大器,何者最適合作輸出端的阻抗匹配?
(A)共基極放大器(CB)
(B)共集極放大器(CC)
(C)共射極放大器(CE)
(D)共汲極放大器(CD)
19.19 分析下圖之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA / V,β=10, RE=1 kΩ,RC=10 kΩ,忽略元件之輸出電阻 ro,試求 vo / vi約為多少? 
(A)5
(B)8
(C)12
(D)15
20.20 如圖所示共射極放大器(CE)(偏壓電路略去未繪),其電壓增益 Av≡vo / vi大致可表為: 
(A)-gmRC
(B)-gm(RC+rπ )
(C)-RC/(RE+re)
(D)-Rsig/RE
21.21 若下圖電路中之 BJT 電晶體操作於飽和區,下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區(forward active region)? 
(A)減小 VCC
(B)加大 VB
(C)加大 RE
(D)加大 RC
22.22 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素?
(A)使用的電晶體型式
(B)放大器的負載電容
(C)放大器的電壓增益
(D)放大器中的耦合電容
23.23 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓 VGS為-2.6 V, 汲極電流 ID為 2.6 mA,IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-6 V,則此放大器的輸入阻 抗 Zi約為多少? 
(A)470 kΩ
(B)680 kΩ
(C)1 MΩ
(D)1.8 MΩ
24.24 圖示雙極性接面電晶體(BJT)電路,電晶體 β = 100,VBE = 0.7 V,當電路處最佳工作點,則電阻 RB約為若干 kΩ? 
(A)115
(B)230
(C)460
(D)575
25.25 關於 MOSFET 電晶體之輸出阻抗,下列敘述何者錯誤?
(A)相同電流且寬長比(W / L)相同之條件下,通道長度越長輸出阻抗越大
(B)固定元件尺寸之條件下,電流越大輸出阻抗越大
(C)電晶體操作在飽和區(saturation)時之輸出阻抗較操作在三極管區(triode region)時之輸出阻抗大
(D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成
26.26 已知一 BJT 電晶體之 β = 100,gm = 0.01 A / V,求圖中電路之 Rin值? 
(A)1 kΩ
(B)10 kΩ
(C)100 kΩ
(D)500 kΩ
27.27 如圖電路所示,若電晶體參數 β = 100,Cμ = 2 pF,Cπ = 6 pF,則其高頻-3dB 頻率約為多少 kHz? 
(A)110
(B)220
(C)330
(D)550
28.28 下列對於 MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中,何者錯誤?
(A)低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關,而是與外部電容有關
(B)高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大
(C)當外部電容愈大,低-3 dB 頻率愈小
(D)在場效電晶體內部電容中,Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大
29.29 一般 MOSFET 單級放大器架構中,小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種?
(A)共源極
(B)共汲極
(C)共閘極
(D)具源極電阻之共源極
30.30 如圖所示一放大器,外接電容為 CC1、CC2和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器 電路在中頻的增益(Mid-band gain),下列敘述何者正確? 
(A)主要是受外接電容的影響
(B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響
(C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同
(D)均不受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響
31.31 下列為一被動式濾波器(Passive filter)。試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡VO / Vi的數 學形式為何? 
32.32 下列何者可產生方波?
(A)考畢子(Colpitts)振盪器
(B)無穩態多諧振盪器(Astable Multivibrator)
(C)雙穩態多諧振盪器(Bistable Multivibrator)
(D)韋恩橋式(Wien Bridge)振盪器
33.33 相較於共射極放大器(CE),下列有關共基極放大器(CB)之敘述,何者正確?
(A)輸入阻抗較大
(B)頻率響應較佳
(C)輸出電壓與輸入電壓相位差
(D)180° 輸出阻抗較低
34.34 下列何者為全通(All Pass)被動濾波器的主要功用之一?
(A)放大訊號
(B)去除雜訊
(C)類比訊號轉換為數位訊號
(D)提供相位移
35.35 圖為單端輸出差動放大器(Differential Amplifier)。其中RE = 4.3 kΩ,RC1 = RC2 = RE / 2,VCC = -VEE = 5 V, 電晶體的 β 為 100,放大器的輸入共模(Common Mode)偏壓為 0 V。則差動放大器的共模拒斥 比(Common Mode Rejection Ratio, CMRR)約為? 
(A)344
(B)258
(C)172
(D)86
36.36 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何?
(A)約 1000
(B)約 100
(C)約 10
(D)約 1
37.37 分析下圖之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA / V,忽略元件之輸出阻抗 rO, 試求 VO / Vi 
(A)5
(B)10
(C)-5
(D)-10
38.38 有一電路的轉移函數  ,則下列何者正確?
(A) 半功率頻率為 100 rad / sec
(B)增益為 100 dB 的頻率為 1 rad / sec
(C)直流增益為 40 dB
(D)高頻增益為 100
39.39 如圖振盪電路,U1為理想運算放大器,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知 V = 15 V、R1 = 10 kΩ、 Rf = 20.3 kΩ、R2 =3 kΩ、R3=1 kΩ、R4 = 1 kΩ、R5 = 3 kΩ。在放大器 U1 正端輸入設有一回授 網路,其中 CS = 16 nF、RS = 5 kΩ、CP = 16 nF、RP = 5 kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對 峰值(peak-to-peak value)約為多少? 
(A)6 V
(B)11 V
(C)16 V
(D)21 V
40.40 若欲提高雙極性接面電晶體(BJT)差動放大器之共模拒斥比(CMRR),則差動電路中之射極端以 連接下列何種元件為較佳?
(A)定電流源
(B)定電壓源
(C)定電阻
(D)定電容