Huang Howard>试卷(2015/04/14)

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95 年 - 電子學#20380 

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1.1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述,下列何者正確?
(A)利用電晶體內的寄生電容儲存資料
(B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料
(C)利用電晶體內寄生的閂瑣現象(Latch-Up)儲存資料
(D)利用電晶體控制一個閂瑣電路(Latch)儲存資料
2.2 下圖所示之電流源(current source)電路,若是已知電晶體 Q2係操作於飽和區(saturation region),且 電晶體 Q2之閘極的寬長比(W/L)2為電晶體 Q1之閘極的寛長比(W/L)1的 2 倍,則此電流源的輸出 電流,Io,為何?
(A)Io=IREF
(B) Io=2IREF
(C) Io=4IREF
(D) Io=0

 

3.3 圖示電路之交流負載線(ac load line)之方程式為: 
4.4 下列關於二極體的敘述,何者正確?
(A)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而增加
(B)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而減少
(C)二極體的逆向電阻隨逆向電流增加而增加
(D)二極體的順向電阻與逆向電阻均為固定值
5.5 有一系統之轉移函數為,則下列何者正確?
(A)高頻時相角接近 0°
(B)直流增益為 10
(C)此為低通濾波電路
(D)半功率頻率為 1 rad/sec
6.6 右圖為何種電路? 

(A)無穩態電路
(B)單穩態電路
(C)雙穩態電路
(D)反向放大器
7.7 圖為一 RLC 帶通濾波器,當 R=10 kΩ,中心頻率ω0=104 rad/s,頻寬 BW=103 rad/s。若 L=0.1 H,則 C=?
(A) 1μF
(B) 0.1μF
(C) 0.01μF
(D) 0.001μF

8. 下圖為 CMOS 數位邏輯閘與電阻 R、電容 C 所組成之波形產生器電路,

【題組】8則 V0輸出的週期性電壓波形 為:
(A)方波
(B)三角波
(C)正弦波
(D)鋸齒波
9.【題組】9 承上題,若數位邏輯閘供給電源 VDD=5 V,且邏輯閘的臨限電壓(threshold voltage)VT=2.5 V,則 此波形的週期時間 T 為多少秒?
10.10 如圖所示電路,則下列敘述何者錯誤?
(A)此為主動式二階 RC 濾波器
(B)此電路屬於微分器
(C)低頻增益
(D)截止頻率 

11.11 下列何者為帶通濾波器的頻率響應?
12.12 有關多級串接放大器電路之敘述,下列何者錯誤?
(A)系統之總增益增加
(B)系統之總頻寬變寛
(C)系統穩定度變差
(D)系統之總相位移增加
13.13 二極體電晶體邏輯電路中,電晶體工作在那幾區?
(A)飽和區及工作區
(B)飽和區及截止區
(C)工作區及截止區
(D)飽和區、工作區及截止區
14.14 如圖所示的邏輯電路,此電路的功能為:
(A) NAND
(B) NOR
(C) XOR
(D) AND

15.15 負緣觸發之 JK 正反器當 J=K=1,在 CK 端以負緣觸發後,其輸出 Q (t+1)為:
(A) 1
(B) 0
(C) Q (t)
(D)
16.16 SR 正反器須避免輸入端為何狀態?
(A)同時為 1
(B)同時為 0
(C) S 為 1,R 為 0
(D) S 為 0,R 為 1
17.17 下列關於發光二極體特性之敘述,何者為是?
(A)操作於反向偏壓下
(B)所發光之波長與電流大小有關
(C)所發光之波長與半導體能隙有關
(D)電流愈大,波長愈短
18.18 下列何種記憶體主要使用於快取記憶體(Cache Memory)?
(A)快閃記憶體(Flash Memory)
(B)靜態隨機存取記憶體(SRAM)
(C)動態隨機存取記憶體(DRAM)
(D)可程式唯讀記憶體(PROM)
19.19 在一個 N 通道快閃記憶體中,若浮動閘內儲存有電子,則下列敘述何者為是?
(A)門檻電壓降低
(B)讀取電流降低
(C)讀取時,浮動閘內儲存之電子流出
(D)浮動閘內之電子不影響通道電場
20.20 下圖所示的二極體是那一種特殊二極體?
 
(A)齊納二極體(Zener diode)
(B)變容二極體(varactor)
(C)發光二極體(light emitting diode)
(D)雷射二極體(laser diode)
21.21 下列那一種 BJT 電晶體放大器的組態的電流增益 Ai<1?
(A)共射極
(B)共基極
(C)共集極
(D)不一定
22.22 圖所示之電路中,BJT 電路之 IC值約為:
(A) 2.4 mA
(B) 3.2 mA
(C) 4.5 mA
(D) 5.1 mA

23.23 已知一顆雙極性接面電晶體(BJT)的電流增益β=100,則此電晶體在深度飽和區(deep saturation region)工作時,集極電流與基極電流的比值 IC /IB為何?
(A) IC /IB<β
(B)  IC /IB>β
(C) IC /IB=β
(D) IC /IB~0
24.24 雙極性接面電晶體(BJT)工作於作用模式(active mode),係指下列何者?
(A)射極接面順偏,集極接面逆偏
(B)射極接面逆偏,集極接面順偏
(C)射極、集極接面皆順偏
(D)射極、集極接面皆逆偏
25.25 如圖所示之電路,若其電流增益(current gain) β=100,則其集極電壓為何?(電晶體導通時, 基-射極間之電壓約為 0.7 V)
(A)-1 V
(B) 0.4 V
(C) 1 V
(D) 1.4 V

26.26 如圖所示電路儀表放大器電路,若輸入電壓差為 Vi=Vi1-Vi2,輸出電壓差為 Vo=Vo1-Vo2,且 R1=2R2,則輸出電壓差 Vo為:
(A) Vo=2 Vi
(B) Vo=3 Vi
(C) Vo=4 Vi
(D) Vo=6 Vi

27.27 如圖所示電路,若 Vi為 20 V,VZ為 5 V,R1=2 kΩ,R2=1Ω,R3=10 kΩ,R4=10 kΩ,且電晶體 Q1與 Q2之 VBE皆為 0.7 V,則圖中輸出電流 Io之最大值為:
(A) 10 A
(B) 5 A
(C) 1.4 A
(D) 0.7 A

28.28 如圖所示之差動放大器,其輸出電壓(Vo) 將與下列何種信號成正比?
(A) V1
(B) V2
(C) V1+V2
(D) V1-V2

29.29 某一差動放大器之差模增益 Ad=200,共模增益 Ac=0.2,則此差動放大器的共模拒斥比(CMRR)為:
(A) 20 dB
(B) 30 dB
(C) 40 dB
(D) 60 dB
30.30 如圖所示運算放大器電路,其輸出端 V3=?
(A) (V1-V2) /2
(B) (V2-V1) /2
(C) 2 (V1-V2)
(D) 2 (V2-V1)

31.31 某運算放大器電路如圖所示,其電源接±15V,假設輸入電壓 Vi為 3 V,則輸出電壓 Vo與下列何 者最接近?
(A)-30 V
(B) 30 V
(C)-15 V
(D) 15 V

32.32 在串接式多級放大器系統中,下列何者不屬於級與級間的耦合電路?
(A)直接耦合電路
(B)電晶體耦合電路
(C)電阻電容耦合電路
(D)變壓器耦合電路
33.33 如圖所示電路,電晶體之β=100,在vs =0 時,在小信號中頻帶之電壓增益 約為:
(A)-50 dB
(B) 50 dB
(C)34 dB
(D) 25 dB

 

34. 34 如圖的 i-v 特性曲線代表何種元件?
(A)電阻
(B)二極體
(C)電晶體
(D)電容

35.35 pn 接面二極體的逆向飽和電流 Is,隨溫度的增高而有何變化?
(A)增大
(B)減小
(C)無關
(D)視半導體之材質而定
36.36 如圖所示之電路中,若 D1 , D2均為理想二極體, 則 D1 , D2之偏壓狀態為何?
(A) D1順偏(ON),D2順偏(ON)
(B) D1順偏(ON),D2逆偏(OFF)
(C) D1逆偏(OFF),D2順偏(ON)
(D) D1逆偏(OFF),D2逆偏(OFF)

 

37.37 在一個 MOS 共源極放大器的源極與接地端間,接一個電阻 Rs,則此 Rs將會對放大器的小信號電壓 增益造成何種變化?
(A)增加
(B)減少
(C)變為-1
(D)不變
38.38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型(Depletion mode)MOSFET 電路,其參數值如下: VDD=5 V,ID=0.5 mA,Vtn(臨限電壓)=-2 V,若此電晶體被偏壓在非飽和區工作,則電阻 Rs 至少須為多少?
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ

39.39 MOSFET 工作於飽和區(saturation region)時,係指下列何者?

40.40 下圖為 MOS 電晶體的等效電路圖,請問其中的 gmb代表什麼效應?
(A)爾利效應(Early effect)
(B)通道長度調變效應
(C)基體效應(body effect)
(D)霍爾效應(Hall effect)