阿摩>试卷(2015/01/22)

統測◆(一)電子學、基本電學題庫 下載題庫

97 年 - 統測電子學電路學#18989 

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1.1. 下列對接面場效電晶體 ( JFET ) 的描述,何者有誤?
(A) JFET 有兩個閘極 ( Gate ) 和一個汲極 ( Drain ) 以及一個源極 ( Source ),共四個端點
(B) JFET 的轉導 ( Transconductance ) gm定義為  ,當 VDS為定值時;其中 ID為 汲極 ( Drain ) 電流,VGS為閘極 ( Gate ) – 源極 ( Source ) 電壓
(C) 正常操作時,N 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain )
(D) 正常操作時,P 通道 JFET 的電流是由源極 ( Source ) 到汲極 ( Drain )
2.2. 下列對斷路 PN 接面之描述,何者有誤?
(A) 形成之障壁電壓 ( Barrier Potential ) 可以用伏特計 ( Voltage Meter ) 量測得到
(B) N 型區域之多數載子 ( Majority ) 為電子,會向 P 型區域方向擴散;反之 P 型區域 之多數載子 ( Majority ) 為電洞,會向 N 型區域方向擴散
(C) 電子與電洞之擴散移動會在接面處形成一個空乏區 ( Depletion Region )
(D) 少數載子之移動形成漂移電流 ( Drift Current ),多數載子之移動形成擴散電流 ( Diffusion Current )
3.3. 下列對於半導體的敘述,何者正確?
(A) 純的 4 價元素矽(Si)和鍺(Ge)皆是本質半導體 ( Intrinsic Semiconductor )
(B) 將 5 價元素磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此本質半導體改變為 P 型外質 半導體 ( Extrinsic Semiconductor )
(C) N 型半導體中的多數載子 ( Majority Carrier ) 為電洞
(D) 在摻有硼( B )的半導體中,硼( B )扮演的角色是施體 ( Donor )
4.4. 下列對於一些特殊的二極體應用,何者有誤?
(A) 發光二極體 ( Light-Emitting Diode, LED ) 的發光是利用一個摻雜有砷(As)或鎵(Ga) 等材料之二極體,加上順向偏壓使其電能轉為光能及熱能
(B) 稽納二極體 ( Zener Diode ) 當穩壓電路使用時是操作在順向偏壓
(C) 變容二極體 ( Varactor Diode ) 因是利用空乏區 ( Depletion Region ) 的電容大小會隨外加 電壓改變的特性,而應用於通信用途的電路中
(D) 肖特基二極體 ( Schottky Diode ) 因為其障壁電壓較小,可應用於高頻電路中
5.5. 在 npn 雙載子接面電晶體 BJT 中通常那一極之濃度最高?
(A) E
(B) C
(C) D
(D) B
6.6. 下列對於 BJT 電晶體與 MOSFET 電晶體的敘述,何者有誤?
(A) BJT 電晶體為雙極性 ( Bipolar ) 電晶體
(B) BJT 電晶體為一種電壓控制元件,MOSFET 電晶體為一種電流控制元件
(C) MOSFET 電晶體為單極性 ( Unipolar ) 電晶體
(D) BJT 電晶體的輸入阻抗比 MOSFET 電晶體的輸入阻抗小
7.7. 下列答案對於圖(一)之敘述,何者有誤? 
(A) 這個電路為一個反向器 ( Inverter )
(B) 實現這個電路需要用 CMOS 製程技術
(C) 此電路接地之電晶體為 NMOS
(D) 輸出點 Vout為兩個電晶體 ( PMOS & NMOS ) 的源極 ( Source ) 
8.8. 如圖(二)所示之電路,稽納 ( Zener ) 二極體之崩潰電壓 VZ = 16 V,試求此稽納二極體之 消耗功率? 
(A) 8 mW
(B) 6.4 mW
(C) 10 mW
(D) 近乎 0 W
9.9. 下列對於一個 BJT 電晶體之操作敘述,何者有誤?
(A) BJT 當作開關使用且處於開路,此時 BJT 是操作於截止區 ( Cut Off Region )
(B) BJT 當訊號放大器使用時是工作於主動區 ( Active Region )
(C) BJT 操作於主動區( Active Region ) 時的偏壓方式是,B-E 介面順向偏壓( Forward Bias ), B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias )
(D) BJT 操作於飽和區( Saturation Region )時的偏壓方式是,B-E 介面逆向偏壓( Reverse Bias ), B-C 介面逆向偏壓 ( Reverse Bias )
10.10. 如圖(三)所示之電路。雙極性電晶體具有以下之規格:最大額定功率 PD(max) = 1 W, VBE(max) = 0.7 V,VCE(max) = 15 V,β = 100 和 IC(max) = 200 mA。下列敘述何者有誤? 
(A) IB = 0.1 mA,IC = 10 mA
(B) 若電晶體操作在 VCE = VCE(max)之 情形下,此時電晶體功率消耗未 超過額定值
(C) 此電路之 VCC最大可以為 30 V
(D) 若 VCC = 20 V,此電路之電晶體 處於主動區 ( Active Region ) 工 作狀態
11.11. 下列何者不是理想運算放大器之特性?
(A) 輸入阻抗無限大
(B) 有虛擬接地 ( Virtual Ground ) 現象
(C) 輸出阻抗無限大
(D) 開迴路電壓增益無限大
12.12. 如圖(四)所示之電路,當二極體順向偏壓降為 0.7 V,  VR1 = 2 V 時,試求此電路中的電壓源 電壓 Vi? 
(A) 10 V
(B) 4 V
(C) 2.7 V
(D) 1.3 V
13. 
【題組】13. 圖(五)之電路是下列何種型態的電路?
(A) 加法器
(B) 積分器
(C) 微分器
(D) 反相器 
14.【題組】14. 承第 13 題,此電路可形成何種濾波器?
(A) 低通濾波器 ( Low Pass Filter, LPF )
(B) 高通濾波器 ( High Pass Filter, HPF )
(C) 帶通濾波器 ( Band Pass Filter, BPF )
(D) 帶拒濾波器 ( Band Reject Filter, BRF )
15.15. 如圖(六)所示電路中,假設 D 為一理想二極體,Vi(t) 為一個弦波輸入,VR> 0,則其輸出 波形 Vo(t) 應該最接近下列何者?
16.如圖(七)所示之電路,假設所有二極體之切入 ( Cut-in ) 電壓為 0,MOS 電晶體的臨界 電壓 ( Threshold Voltage, Vth ) 亦為 0
【題組】16. ,試求流過電阻 R 的電流 IR
(A) 5 mA
(B) 0.5 mA
(C) 2 mA
(D) 2.5 mA
17.【題組】17. 承第 16 題,Vout之輸出電壓為何?
(A) 2.5 V
(B) 1 V
(C) 5 V
(D) 0 V
18.18. 對 CMOS 四個英文縮寫字母的涵意說明,下列何者有誤?
(A) C ( Complementary ) 是指「互補」之意
(B) M ( Memory ) 是指「記憶體」之意
(C) O ( Oxide ) 是指「氧化物」之意
(D) S ( Semiconductor ) 是指「半導體」之意
19.19. 對一般基本放大器加上負回授後,下列特性敘述,何者有誤?
(A) 放大器的增益 ( Gain ) 會衰減
(B) 頻寬 ( Bandwidth ) 會增加
(C) 增益與頻寬的乘積 ( Gain Bandwidth Product, GBP ) 提高
(D) 雜訊 ( Noise ) 對電路的影響降低 
20.20. 一個數位加法器的積體電路(IC)分別以 BJT 電晶體設計和用 MOS 電晶體設計,一般而言 對這兩種設計方式,下列敘述何者正確?
(A) 對於速度,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 快
(B) 對於功率消耗,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 省電
(C) 對於輸出訊號,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 有較高的雜訊 邊界 ( Noise Margin )
(D) 對於密度,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 密度高
21.21. 下列有關物理量的單位定義,何者有誤?
(A) 安培( A )為電流的單位;1 A = 1 庫侖 ( Coulomb ) / 秒
(B) 伏特(V)為電壓的單位;1 V = 1 焦耳 ( Joul ) / 庫侖
(C) 瓦特(W)為功率的單位;1 W = 1 焦耳 / 秒
(D) 仟瓦小時 ( kwh ) 為能量的單位;1 kwh = 3600 焦耳
22.22. 圖(八)電路中,R1 和 R2 的消耗功率分別 23.7 W 及 36.3 W。已知 I S = 1.25 A,試求 VS =? 
(A) 11.47 V
(B) 17.9 V
(C) 48 V
(D) 75 V
23.23. 圖(九)為某電路之一分支 ( Branch ),試問欲將 1 庫侖的正電荷由 A 點移至 B 點,電場需 作多少焦耳的功? 
(A) 0.5 焦耳
(B) 1 焦耳
(C) 2 焦耳
(D) 4 焦耳
24.圖(十)所示電路中,括弧內為該電阻所能承受之最大功率 ( 當消耗功率大於該值時,電阻 即崩潰 )。
【題組】24. 若VS MAX 表此電路所能承受的最大 VS 電壓值,試求VS MAX =?
(A) 5.5 V
(B) 6.8 V
(C) 7.5 V
(D) 11.3 V
25.【題組】25. 承第 24 題,當 VS 稍大於VS MAX 時,哪一個電阻會最先崩潰?
(A) 12 Ω
(B) 20 Ω
(C) 1
(D) Ω 12 Ω 與20 Ω兩電阻同時崩潰 
26.圖(十一)所示電路中,avx為一相依電源,
【題組】26. 試求 AB 兩端之等值電阻 Req =?
27.【題組】27. 承第 26 題,於 AB 兩端加入一理想獨立電壓源 VS如圖(十二)所示。當a = 0.5時,對此 電路中的兩電源之能量供給狀態,下列敘述何者正確? 
(A) 相依電源 ( avx ) 消耗能量,獨立電源 ( VS ) 消耗能量
(B) 相依電源 ( avx ) 供應能量,獨立電源 ( VS ) 消耗能量
(C) 相依電源 ( avx ) 消耗能量,獨立電源 ( VS ) 供應能量
(D) 相依電源 ( avx ) 供應能量,獨立電源 ( VS ) 供應能量
28.28. 圖(十三)網路中,部分分支電流已測得如圖所示。假設分支 X 之電壓 Vx = 3.5 V,試問此 分支電路之消耗功率 PX 為下列何者? 
(A) PX = – 15.75 W ( 供應能量 )
(B) PX = – 22.75 W ( 供應能量 )
(C) PX = 15.75 W ( 消耗能量 )
(D) PX = 22.75 W ( 消耗能量 )
29.29. 有一線性電路含四個獨立電源如圖(十四)所示,其中三個電源的電壓或電流值是固定的, Ig 為可變電流源。表(一)所示為已知狀況,試求狀況三之 Vg =? 
(A) − 5 V
(B) −10 V
(C) 9 V
(D) 18 V  
30.如圖(十五)所示之電路,
【題組】30. 試求以µ 表示之 AB 兩端諾頓等效電路的短路電流 ISC =? 
31.【題組】31. 承第 30 題,若 AB 兩端的諾頓等效電阻 且 I SC <0,下列對其 AB 兩端等效 電路之特性敘述何者正確?
 
(A) 存在諾頓等效電路,其電流源為相依電源,極性如圖(a)所示
(B) 存在諾頓等效電路,其電流源為獨立電源,極性如圖(b)所示
(C) 存在戴維寧等效電路,其電壓源為獨立電源,極性如圖(c)所示
(D) 存在戴維寧等效電路,其電壓源為相依電源,極性如圖(d)所示
32.圖(十六)電路中,假設 β = 0.005 且vS (t) =-25u( t)+ 25u(t) V,其中u(t)為單位步級函數 ( Unit Step Function )。
【題組】32. 已知當  t ≥ 0+ 時,i L(t)  之響應為 iL(t) = iL(∞) + [iL (0+ ) −iL (∞)]  e− λt , 試求 iL(0+)=  ?
(A) − 0.2 A
(B) − 0.5 A
(C) 1 A
(D) 2 A
33.【題組】33. 承第 32 題,試求λ = ?
(A) 1250
(B) 5000
(C) 6250
(D) 7500
34.34. 圖 (十 七 )電 路 中,已 知 i s(t) =6u(t) mA,u(t)為 單 位 步 級 函 數。假 設 iL(0- ) = 8 mA, VC (0 -) =2V。 令 v c'(t)  表 v c(t)  之一階導式(即  ),試求 Vc'(0+) ? 
(A) − 350 安培( A ) / 法拉(F)
(B) − 250 安培( A ) / 法拉(F)
(C) 250 安培( A ) / 法拉(F)
(D) 750 安培( A ) / 法拉(F)  
35.35. 圖(十八)所示交流電路中,已知方塊 B 中僅含 R 和 C 元件。 之一分壓,|| 和 || 分別表 和 的相量長度。在 || 值固定,而其它元件參數 ( 包括ω 、R、L、C ) 皆為 可變的情況下,下列敘述何者正確? 
(A) || 恆小於 |
(B) || 恆大於 |
(C) || 恆等於 |
(D) 不一定 ( 以上三種情況皆可能發生 )
36.36. 有一 RLC 網路的等值輸入阻抗為  ,其中 R、L、C 為未知數,但 其值皆固定。已知在 ω = ω1和 ω = kω1  兩頻率點處,量得其等值輸入阻抗分別為,其中 k 及 b 皆為大於 1 的實數。試問此網路之共振 頻率為下列何者? 
37.37. 圖(十九)所示之理想運算放大器電路為一溫氏 ( Wien ) 橋式震盪器,其中 C1 = C2。下列何 者是支撐此電路維持震盪狀態的條件? 
(A) R1 = R2
(B) R1 = 2R2
(C) R2 = 2R1
(D) R1 = 4R2
38.38. 在不計電源線的損耗功率的情況下,兩個具完全相同功率因數 ( pf ) 的設備並聯後,其總 功率因數會有下列何種變化?
(A) 變小
(B) 變大
(C) 不變
(D) 不一定
39.39. 已知一電路的轉移阻抗函數為 。已知  且 i1(t ) =2cos( t-45o ) u (t) A, u(t)為單位步級函數,試問下列何者為 v2(t) 之穩態響應 ( Steady-State Response )?
(A) ) cos(t + 8.13°)u(t) V
(B)  cos(t + 81.87°)u(t) V
(C)  sin(t − 8.13°)u(t) V
(D)  sin(t + 63.435°)u(t) V
40.40. 下列何者不是形成互易 ( Reciprocal ) 雙埠網路的充分且必要條件?
(A) z12=z21 ( z – 參數 )
(B) y12=y21 ( y – 參數 )
(C) h12 + h21 =1 ( h – 參數 )
(D)  t11t22 − t12t21 = 1( t – 參數 )