Yiting Lin>试卷(2015/03/20)

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02900 視聽電子 丙級 工作項目 05:音響檢修 1-100#19949 

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1.1. 二極體之逆向電壓增加時,其接面電容
(A)減小
(B)增加
(C)不變
(D)先增加後減小。
2.2. 電晶體之電流放大率 α、β 之互相關係為
(A)α=β+1
(B)β=α/(1+α)
(C)β=α+1
(D)α=β/(1+β)。
3.3. 達靈頓電路具有下列那些特性
(A)低輸入阻抗
(B)高電壓增益
(C)低輸出阻抗
(D)低電流增益。
4.4. 共基極放大電路之特點為
(A)高輸入阻抗
(B)低輸出阻抗
(C)比共射極放大電路具較高之信號雜音比
(D)高電流增7 益。
5.5. 電晶體放大電路中,失真度最大的為
(A)A類
(B)B類
(C)AB類
(D)C類。
6.6. 在前置放大電路中,常採用靴帶式電路之目的為
(A)提高輸入阻抗
(B)提高負載阻抗
(C)提高電流增益
(D)提高電壓 增益。
7.7. 負回授電路之特點為
(A)增加電壓放大率
(B)增加雜音
(C)增加失真度
(D)增加穩定性。
8.8. 共射極放大電路之電壓增益
(A)與射極電阻成正比
(B)與集極電阻成反比
(C)與基極電阻成正比
(D)與集極電阻成正 比與射極電阻成反比。
9.9. 下列何者不為場效電晶體(FET)之特性?
(A)輸入阻抗較雙極電晶體高
(B)互導低故電壓增益較低
(C)對較大信號易 產生失真
(D)供給 FET 電路的電壓較小。
10.10. 當穩定因素 S 為何者時,電路具有最好之偏壓安排?
(A)S=1
(B)S=50
(C)S=0
(D)S=∞。
11.11. 會影響高頻增益之電容器為
(A)交連電容
(B)射極旁路電容
(C)反交連電容
(D)集基極分佈電容。
12.12. 二個串級放大電路,若每一個的頻寬為 10KHz,則整體的頻寬為
(A)6.4KHz
(B)64KHz
(C)15.6KHz
(D)156KHz。
13.13. 串聯諧振特點為
(A)很高之阻抗
(B)電感抗等於電容抗
(C)很小的迴路電流
(D)可將電流加以放大。
14.14. 一 LC 諧振電路之頻寬為 40KHz,其 Q 值為 20,則其諧振頻率
(A)2KHz
(B)20KHz
(C)800KHz
(D)40KHz。
15.15. 若電阻為 10KΩ,欲使其時間常數為 1 秒,則電容量應為
(A)10μF
(B)100μF
(C)1μF
(D)1000μF。
16.16. 一電路其電壓放大倍數的 100 倍,則其電壓增益為
(A)10dB
(B)20dB
(C)30dB
(D)40dB。
17.17. 如下圖所示,電路之時間常數為
(A)0.1秒
(B)1秒
(C)10秒
(D)100秒。

18.18. 如下圖所示,稽納二極體之稽納電壓為 9V,則輸出電壓為
(A)12V
(B)9V
(C)6V
(D)1V。

19.19. 運算放大器之特點為
(A)低輸入阻抗
(B)高輸出阻抗
(C)高電壓增益
(D)高電流增益。
20.20. 最穩定之電晶體偏壓方式為
(A)基極偏壓
(B)集極回授之基極偏壓
(C)射極回授之基極偏壓
(D)分壓式之偏壓。
21.21. 稽納穩壓二極體是工作於
(A)順向飽和區
(B)順向工作區
(C)逆向截止區
(D)逆向崩潰區。
22.22. 下列何者不是振盪的要件?
(A)負回授
(B)正回授
(C)總相移為360°
(D)回授量與增益的乘積≧1。
23.23. 下列何者不為串聯諧振的特性?
(A)諧振時總阻抗最大
(B)諧振時電流最大
(C)電感器上之電壓為輸入電壓之Q倍
(D)可作陷波器。
24.24. 在諧振電路中,若其線圈的 Q 值為 20,諧振頻率為 400Hz,則其頻寬為
(A)20Hz
(B)8000Hz
(C)400Hz
(D)1000Hz。
25.25. 在 L-C 並聯諧振時,則
(A)阻抗最小,電路總電流最大
(B)阻抗最大,電路總電流最小
(C)阻抗最大,電路總電流 最大
(D)阻抗為 0,電路總電流無限大。
26.26. 下列放大電路,何者失真度最低?
(A)A類
(B)B類
(C)C類
(D)D類。
27.27. I 易受溫度影響
(A)溫度每上升1℃,則增加1倍
(B)溫度每上升10℃,則增加1倍
(C)溫度每下降1℃,則增加1倍
(D)溫度每下降10℃,則增加1倍。
28.28. 矽二極體在常溫之下,其切入電壓均為
(A)0.2~0.3V
(B)0.5~0.7V
(C)1.2~1.5V
(D)1~2V。
29.29. 在 N 型半導體內,少數載子為
(A)電子
(B)電洞
(C)質子
(D)中子。
30.30. 二極體之熱當電壓(Thermal Voltage)在室溫下約為 26mV,若工作電流為 2mA,則二極體之交流動態電阻為
(A)52Ω
(B)52mΩ
(C)13Ω
(D)25Ω。
31.31. 調幅波的頻率
(A)隨調變信號的波幅改變
(B)隨調變信號之頻率改變
(C)不變
(D)隨調變信號之相位改變。
32.32. 下列何者為低頻振盪電路
(A)維恩電橋振盪電路
(B)哈特萊振盪電路
(C)考畢茲振盪電路
(D)晶體振盪電路。
33.33. 使 SCR 截流之方法之一為
(A)在閘極加上負脈波
(B)加大陽極電流
(C)將陽極與陰極短路
(D)將閘極與地短路。
34.34. B類放大器可消除
(A)奇次諧波
(B)偶次諧波
(C)所有諧波
(D)所有雜訊。
35.35. C類放大器之工作點電壓
(A)等於切入電壓
(B)大於切入電壓
(C)在截止電壓以下
(D)恰等於 0V。
36.36. N 型半導體中,多數載子為
(A)電子
(B)電洞
(C)正子
(D)中子。
37.37. 可做為"光""電"轉換器的是
(A)壓敏電阻
(B)光敏電阻
(C)熱敏電阻
(D)整流二極體。
38.38. 半導體電阻為
(A)正溫度係數
(B)負溫度係數
(C)零溫度係數
(D)絕對溫度係數。
39.39. 矽二極體之順向偏壓小於 0.5V 時,是工作於
(A)飽和區
(B)工作區
(C)截止區
(D)飽和區與工作區之間。
40.40. 半波整流濾波電路未加負載時,其輸出電壓約為輸入電壓之
(A)1倍
(B)√2倍
(C)1/√2倍
(D)2倍。
41.41. 共射極串級放大電路,其增益為
(A)下降
(B)增加
(C)不變
(D)視晶體而定。
42.42. 電晶體之 α 參數為
(A)共射極放大之電流增益
(B)共基極放大之電流增益
(C)共集極放大之電流增益
(D)共集極放大 之電壓增益。
43.43. 共集極放大電路之功率增益
(A)等於0dB
(B)等於1dB
(C)大於0dB
(D)小於0dB。
44.44. 下列式子何者為誤?
(A)α=β/(β+1)
(B)β=α/(1-α)
(C)r=β+1
(D)β=α/(1+α)。
45.45. RC 相移振盪器是屬於
(A)低頻振盪器
(B)高頻振盪器
(C)中頻振盪器
(D)晶體振盪器。
46.46. 為消除交越失真,宜採用
(A)A類
(B)B類
(C)C類
(D)AB類 放大。
47.47. 電源供給器無負載時為 9 伏特,滿載時為 8 伏特,其電壓調整率為
(A)-12.5%
(B)-11.1%
(C)12.5%
(D)11.1%。
48.48. 電晶體共射極放大器加入射極電阻而不加旁路電容器則可
(A)輸出阻抗不變
(B)降低輸出阻抗
(C)提高輸入阻抗
(D)降低輸入阻抗。
49.49. 當溫度升高時,基~射極間之電阻將
(A)上升(就PNP而言)
(B)上升(就 NPN 而言)
(C)保持不變
(D)下降。
50.50. 穩定性高的電晶體電路,其穩定因數(S)
(A)大
(B)小
(C)小於1
(D)不一定。
51.51. 兩電容器之電容量與耐壓分別為 10μF/100V 與 20μF/200V,串聯後總耐壓為
(A)150V
(B)100V
(C)200V
(D)300V。
52.52. 有一共集極放大器的負載電阻為 1KΩ,電晶體的 β 增益(或 hfe)值為 100,試估計放大器的輸入阻抗值大約為
(A)10Ω
(B)1KΩ
(C)100KΩ
(D)1MΩ。
53.53. 增強型 MOS FET(EMOSFET)之洩極與源極
(A)相通
(B)不通
(C)視通道種類而定
(D)視材質種類而定。
54.54. 在共射極放大器中,通常集極電流隨著基極電流的增加而
(A)穩定的增加
(B)先穩定增加,然後趨於飽和
(C)先增 加再降下
(D)無關連。
55.55. 如下圖假設電晶體為矽晶體其 β=100, 之電壓為
(A)10V
(B)1V
(C)0.8V
(D)接近 0V。

56.56. 溫度變化時,穩定度最佳的偏壓方法是
(A)固定偏壓
(B)基極分壓射極自偏壓
(C)漏電偏壓
(D)射極接地偏壓。
57.57. 放大器之輸出阻抗將因負回授而
(A)必然增大
(B)必然減小
(C)不受回授影響
(D)視回授方式而定。
58.58. 某一電台,其電波波長為 60 公尺,則其電波頻率約為
(A)300KHz
(B)500KHz
(C)3000KHz
(D)5000KHz。
59.59. 電感電阻串聯電路,其時間常數為
(A)RL
(B)1/RL
(C)L/R
(D)R/L。
60.60. 如下圖 RE 的功用是
(A)反交連
(B)交流負回授
(C)穩定直流工作特性
(D)減小輸入阻抗。

61.61. 一系統總增益之分貝(dB)數為各級增益分貝(dB)值之
(A)積
(B)和
(C)平均值
(D)平方和。
62.62. 如下圖中 Q 與 Q 構成何種連接
(A)CE連接
(B)BC連接
(C)限流裝置
(D)達靈頓連接。

63.63. 電容量為 C 法拉之電容器,若有 Q 庫侖電荷,則所儲蓄之能量(焦耳)為
(A)1/2CQ2
(B)1/2‧CQ
(C)1/2‧Q/C
(D)1/2‧Q2 /C。
64.64. 輸出阻抗最高的電路組態是
(A)共射極
(B)共集極
(C)共源極
(D)共基極。
65.65. 當電容器瞬間充電時,其兩端的電壓為
(A)立即改變
(B)不會立即改變
(C)恆為外加電壓的
(D)0.368 倍 即刻增為一半 之外加電壓值。
66.66. 達靈頓連接之優點下列何者為正確?
(A)由射極可獲得低輸出阻抗
(B)由射極可得高輸出阻抗
(C)由基極可得低輸 出阻抗
(D)電壓增益極高。
67.67. 倒相電路的種類大致上有三種,下列何者為誤?
(A)C-E倒相
(B)變壓器倒相
(C)矩陣串聯倒相
(D)C-C倒相。
68.68. 振盪電路使用的電容器規格最好是
(A)有正溫度係數的電容
(B)有負溫度係數的電容
(C)零溫度係數的電容
(D)正負 不定的溫度係數電容。
69.69. 下圖此種失真情況稱為
(A)交越失真
(B)相位失真
(C)中頻失真
(D)高頻失真。

70.70. 下圖為一個
(A)二進位計數器
(B)D正反器
(C)J-K正反器
(D)T正反器。

71.71. 若某一 R.L.C 串聯諧振電路之自然諧振頻率為 1.1MHz,而外加 1MHz 信號源電壓,則此電路呈
(A)電阻性
(B)電 感性
(C)電容性
(D)壓電效應。
72.72. 若下圖電路之 RC 時間常數為 40ms,則電容量應為
(A)3μF
(B)4μF
(C)5μF
(D)8μF。

73.73. 求下圖電路之輸出電壓為若干?
(A)正電壓
(B)零電位
(C)無限大
(D)負電位。

74.74. 若示波器測得之某調幅波如下圖所示,其調變百分率為
(A)40%
(B)50%
(C)60%
(D)80%。

75.75. UJT 之觸發電壓(Vp)隨電源電壓(VBB )之上昇而
(A)增加
(B)下降
(C)不變
(D)不一定。
76.76. 求下圖電路中 Rz 為若干
(A)50Ω
(B)100Ω
(C)200Ω
(D)300Ω。

77.77. 如下圖所示,若 =10V,則 R 應為
(A)20K
(B)17K
(C)7K
(D)3K Ω。

78.78. 若一交流電壓,加於一電阻與電容並聯之阻抗兩端,則流入阻抗之電流相位較電壓為
(A)落後
(B)領前
(C)相同
(D)視頻率而定。
79.79. 如下圖所示,電流I為若干?
(A)4A
(B)0.3A
(C)0.2A
(D)0A。

80.80. 若某放大器的輸出電流隨輸入電壓成正比例變化者稱為
(A)電壓
(B)電流
(C)互導
(D)互阻 放大器。
81.81. 若一電阻之色碼為"橙白黑橙棕"則此電阻之阻值應為
(A)3.9kΩ
(B)39kΩ
(C)390kΩ
(D)3.9MΩ。
82.82. 鉭質電容器之兩極導線,較短之一端為
(A)正極
(B)負極
(C)不一定
(D)依廠商之設計。
83.83. 台灣電力公司之 110V 電壓為
(A)有效值
(B)平均值
(C)最大值
(D)峰對峰值。
84.84. 若 10Ω 電阻器與容抗 20Ω 電容器及感抗 30Ω 電感器串聯,則其電路總阻抗為
(A)10Ω
(B)10√2Ω
(C)20Ω 
(D)60Ω。
85.85. 半波整流電路之輸出直流電壓為
(A)Vm/π
(B)2Vm/π
(C)πVm/2
(D)Vm。
86.86. 若並聯諧振電路其諧振頻率為 100MHz,Q 值為 200,則其頻帶寬為若干?
(A)10MHz
(B)1MHz
(C)500KHz
(D)200KHz。
87.87. 瓦特是
(A)能量
(B)功率
(C)阻抗
(D)互導 之物理量單位名稱。
88.88. 若一 10μF 之電容器與 100KΩ 之電阻器串聯以 1μA 之定電流充電 10 秒,則其時間常數為
(A)0.1秒
(B)1秒
(C)10秒
(D)100秒。
89.89. 高頻放大電路中和電容器的作用
(A)提高增益
(B)防止寄生振盪
(C)產生諧振
(D)減小通頻寬度。
90.90. 樞密特觸發電路能轉換何種波形為方波?
(A)正弦波
(B)三角波
(C)鋸齒波
(D)任何週期性。
91.91. NFB 型音質控制電路所使用之可變電阻器宜採用
(A)A型(對數型)
(B)B型(直線型)
(C)C型
(D)D型。
92.92. 一般動圈式(MC)唱頭輸出電壓約為
(A)3mV左右
(B)20μV左右
(C)0.1V~1V
(D)150mV~250mV。
93.93. 以變壓器交連的A類功率放大器之效率最高可達到
(A)25%
(B)50%
(C)60%
(D)78.5%。
94.94. OTL 電路調整互補推動級的順向偏壓是在調整
(A)靜態電流及交叉失真
(B)中點電壓
(C)高音音質
(D)低音音質。
95.95. 推挽放大器的靜態電流,若太小將會引起交叉失真,所以 SEPP 電路均採用
(A)A類放大
(B)B類放大
(C)AB類放 大
(D)C類放大。
96.96. 與 LC 型濾波器比較,下列那項特性不屬於陶瓷濾波器的特性?
(A)插入損失較小
(B)形狀及尺寸較小
(C)無調整部 份,可大量生產
(D)靈敏度高。
97.97. 擴大機中輸出音量在-20db~0db 的為何種接頭?
(A)MIC
(B)AUX
(C)DIN
(D)REMOTE。
98.98. 調頻的頻率偏移與信號波幅成
(A)正比
(B)反比
(C)無關
(D)倒相。
99.99. 波長 λ 頻率 f 及光速 C 三者間之正確關係為
(A)C=f‧λ
(B)C=f/λ
(C)λ=f‧C
(D)C=λ/f。
100.100. 儲存於電感中之磁場能量為