103年 - 103 專技高考_冶金工程技師：材料分析技術#25227

科目：技師◆材料分析技術 | 年份：103年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：技師◆材料分析技術

選擇題 (0)

申論題 (9)

(1)X 光繞射（X-ray diffraction, XRD）

(2)電子繞射（electron diffraction）

(3)電子背向散射繞射（electron backscattered diffraction, EBSD）

(1)試片如為10-50 nm （奈米）厚的金屬薄膜材料[基材是矽基板，試說明較適用何種技術分析金屬的晶體結構，（5 分）並述明選用的原因。（10 分）

(2)試說明掃描式電子顯微鏡或是穿透式電子顯微鏡中的光成分分析（EDS）技術較適合該金屬薄膜的成分為何？（5 分），並述明選用的原因。（10 分）

(1)若以X 光繞射峰來計算晶體結構的晶格常數（lattice constant），你/妳要選擇波長短或波長長的 X 光？試說明理由。（10 分）

(2)試說明掃描式電子顯微鏡加速電壓僅至30KV，穿透式電子顯微鏡則可達 200 KV 甚至 300KV，請說明其原因。（5 分）

(3)試說明光學顯微鏡與掃描式電子顯微鏡兩者試片準備差異性之原因。（10 分）

四、材料化學表面分析的技術中，常用到 Auger、XPS、SIMS，請分別敘述這 3 種技術之原理與優缺點。（30 分）