Gary>试卷(2015/06/16)

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104 年 - 104年佐級鐵路人員考試【電子學大意】#22123 

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1.1 下圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益 Aod = 104 ,若輸出電壓 vO = -4 V,則輸入電壓 vI 約為多 少 V? 

(A)-0.1 V
(B)-0.2 V
(C)-0.3 V
(D)-0.4
2.2 下圖為一理想運算放大器電路,求其輸出電壓 VO =?
 
(A)1 V
(B)2 V
(C)3 V
(D)4 V
3. 3 下圖運算放大器電路圖中接於腳位 1 及腳位 5 間之可變電阻 VR 的主要功能為何? 

(A)降低輸入偏移電流
(B)調整偏移電壓
(C)調整共模互斥比
(D)調整電壓增益
4.4 圖示為理想運算放大器之電路,R1 =1 kΩ、R2 =25 kΩ、R =10 kΩ,則其輸入阻抗 Ri為若干 Ω? 

(A)1 k
(B)10 k
(C)25 k
(D)∞
5. 5 在邏輯電路中,輸出高至低的傳輸延遲(propagation delay)時間的定義為何?
(A)由高準位電壓下降至 50%的高準位電壓所需的時間
(B)由高準位電壓下降至 70%的高準位電壓所需的時間
(C)由90%的高準位電壓下降至 10%的高準位電壓所需的時間
(D)由 80%的高準位電壓下降至 20%的高準位電壓所需的時間
6. 6 下列何種記憶體 IC 不屬於非揮發性記憶體(Non Volatile Memory)?
(A)DRAM
(B)Mask ROM
(C)EP-ROM
(D)Flash
7. 7 P 通道空乏型 MOSFET,在閘極上施加正電壓時,其通道導通程度會:
(A)無影響
(B)減小
(C)加大
(D)無法判斷
8.8 當一雙極接面電晶體(BJT)操作於主動模式,其轉導值(transconductance)gm與集極電流 IC的關係為: 
9. 9 圖中的 LCR 振盪器,當電容 C 值增加 2%時,其振盪頻率 ω0改變多少?
 
(A)0.5%
(B)不變
(C)-0.5%
(D)-1%
10.10 在 P 型半導體材料中,電流傳導的主要載子為:
(A)電子
(B)離子
(C)電洞
(D)質子
11.11 在一全波整流電路中,使用中心抽頭變壓器,其輸出電壓振幅為 VS,二極體正向壓降為 VD,請問二極體的 峰值反向電壓為何?
(A) VS –  VD 
(B) VS – 2 VD
(C)2 VS –  VD 
(D)2 VS – 2 VD
12.12 有關於光檢測用之光二極體,下列描述何者錯誤?
(A)光二極體工作於順向偏壓區
(B)不同材料之光二極體對光有不同之頻譜響應
(C)不同材料之光二極體產生光激載子的數量與入射光強度成正比
(D)光二極體之逆向電流和光強度成正比
13.13 圖示理想二極體電壓,變壓器次級圈交流電壓有效值為 10 Vrms,試問在穩定狀態時 vO的電壓約為若干?
 
(A)10 V
(B)14 V
(C)20 V
(D)28 V
14. 14 如圖所示二極體電路,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V,已知電壓 vS (t)=12 sin(120πt)V、C =47μF、VDC = 3 V、 R 為無窮大,在穩態時,電容 C 兩端的電壓約為多少? 

(A)12 V
(B)11.7 V
(C)8.3 V
(D)3.7 V
15.15 如圖電路中,D1與 D2均為理想二極體。當 VI = +5 V 時,Vo的值為: 

(A)2 V
(B)5 V
(C)7 V
(D)10 V
16.16 下圖為理想二極體的截波電路,其輸入波形被截波後的輸出電壓為何? (一律給分)
php4aPaWl

(A)3 V
(B)4 V
(C)5 V
(D)6 V
17.17 齊納(Zener)二極體主要常應用於何種電路?
(A)放大
(B)濾波
(C)整流
(D)穩壓
18.18 如圖的共射(CE)放大器,設電晶體工作於主動模式(Active Mode),其小訊號參數 gm、re、rπ及輸出電 阻 ro均為已知,各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻 Rout(不含 RL)為: 

(A)RC + ro
(B)ro
(C)RC || ro
(D)RC + re
19.19 圖示放大器電路若電流源 I 為 1 mA、RB = 100 kΩ,RC = RL = 2 kΩ,Re = 100 Ω,電晶體電流放大率 β = 100, 則電壓增益約為若干? 

(A)-100
(B)-10
(C)-8
(D)-4
20.20 圖中電晶體的 VT = 25 mV,β = 100,VBE = 0.7 V,其電流增益(io / ii)約為: 

(A)8.3
(B)10.1
(C)83
(D)101
21.21 在雙極性接面電晶體(BJT)共射極組態中,小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc進入基極,該電容 Cc之主 要功能為何?
(A)使電壓增益變大
(B)使電流增益變大
(C)隔離雜訊
(D)隔離直流
22.22 圖示電路中場效電晶體 FET 之 VT = -0.5 V、μpCox(W/L) = 2 mA/V2 ,欲此電晶體工作在飽和區(Saturation Region),電壓 vG應如何? 

(A)0.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V
(B)1.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V
(C)0.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V
(D)1.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V
23.23 如圖電路對於小訊號電壓增益,下列敘述何者錯誤? 

(A)RC過大增益可能減低
(B)若電晶體操作於主動區,增加 RE則增益增加
(C)若電晶體操作於飽和區,增加 RB可使電晶體進入順向主動(forward active)區
(D)若電晶體操作於飽和區,增加 RE可使電晶體進入順向主動(forward active)區
24.24 分析下圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗 ro =10 kΩ,Rb =10 kΩ, RD =10 kΩ,RS =1 kΩ,試求 Vo /Vi約為多少? 

(A)-10/3
(B)-5
(C)-20/3
(D)-25/3
25. 25 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式(saturation mode),並構成共源(CS)放大器,該 MOSFET 之臨界 電壓 Vt = 0.5 V。當 VGS =1.5 V 時,其 ID = 1 mA,則當 VGS增為 2.5 V 時,其 ID為:
(A)仍為 1 mA
(B)增為 2 mA
(C)增為 3 mA
(D)增為 4 mA
26.26 關於理想轉導放大器(Transconductance Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?
(A)放大器本身之輸入阻抗為 0
(B)放大器本身之輸出阻抗為無限大
(C)放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同
(D)其增益單位為歐姆(Ω)
27.27 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓 VT =1 V、μnCox(W/L) = 100 μA/V2 ,電壓 VD = 0.2 V,則電阻 RD 約為若干 kΩ? 

(A)34
(B)54
(C)74
(D)94
28.28 如圖為一共汲(CD)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro→∞, 則此放大器的輸入電阻 Ri為何? 

(A)RS
(B)1/ gm + RS
(C)∞
(D)0
29.29 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),對於小訊號電壓增益,下列敘述何者無 法降低放大器之低頻 3 dB 頻率ωL? 

(A)增加 RS
(B)增加 RB
(C)增加 RC
(D)增加 C 值
30.30 如圖之電路,振盪發生時,R2 / R 為何? 

(A)19
(B)29
(C)39
(D)49
31.31 下列那一種振盪器是屬於較低頻的正弦波振盪器?
(A)考畢子振盪器
(B)韋恩電橋振盪器
(C)哈特萊振盪器
(D)石英晶體振盪器
32.32 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,忽略爾利(Early)效應與所有其他電容,假使此電路之 功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45,VT = 26 mV,則其 - 3 dB 頻寬為何? 

(A)1 GHz
(B)2 GHz
(C)3 GHz
(D)4 GHz
33.33 如圖之電路,振盪發生時其振盪頻率為何? 

(A)198 Hz
(B)298 Hz
(C)398 Hz
(D)498 Hz
34.34 如圖所示之理想運算放大器電路,電源為 ± 15 V,則此電路之遲滯(Hysteresis)電壓範圍約為何? 

(A)10 V
(B)15 V
(C)18 V
(D)30 V
35.35 下圖振盪器電路中,Vo 輸出是屬於下列那一種波形? 

(A)三角波
(B)方波
(C)正弦波
(D)脈波
36.36 下列為一被動式濾波器(Passive filter),試研判此電路是何種濾波器? 

(A)低通濾波器
(B)高通濾波器
(C)帶通濾波器
(D)全通濾波器
37.37 圖中振盪器 。其振盪頻率約為: 

(A)1 MHz
(B)500 kHz
(C)250 kHz
(D)125 kHz
38.38 一個放大器在中段頻率範圍內,輸出電壓峰值為 10 V,則在高 3 分貝頻率(Upper 3 dB Frequency)時輸出 電壓峰值約為多少?
(A)5 V
(B)7 V
(C)10 V
(D)14 V
39.39 分析以下之電路,若 BJT 操作在順向主動區(forward active region)且轉導值 gm為 10 mA/V,Ibias為理想直 流偏壓電流,電晶體之 β = 10。忽略元件之輸出阻抗 ro,試求 Vo /Ii約為多少? 

(A)10 kΩ
(B)100 kΩ
(C)120 kΩ
(D)1.2 MΩ
40.40 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,忽略元件之輸出阻抗 ro,試求其輸 入端等效之偏移電壓(offset voltage)|Vos| =? 

(A)1 mV
(B)2 mV
(C)10 mV
(D)20 mV