ckjh2a09>试卷(2015/06/15)

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104 年 - 104年公務人員初等考試 電子工程_電子學大意#22087 

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1.1 圖中使用一 20 kΩ 的可變電阻構成一增益可調放大器,當電阻 R 值為多少時,最大增益為 51?
 
(A)0.2 kΩ
(B)0.4 kΩ
(C)0.8 kΩ
(D)1 kΩ
2.2 如圖所示為何種電路?
 

(A)CMOS 反相器
(B)NMOS 反相器
(C)PMOS 反相器
(D)pseudo-NMOS 反相器
3.3 雙極性接面電晶體為具有幾個端點之元件?
(A)1 個
(B)2 個
(C)3 個
(D)4 個
4.4 下圖電路中,由輸入端 V1和 V2所分別看到的輸入電阻 Rin1、Rin2為何?
 
(A) Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 5 kΩ
(B) Rin1 = 5 kΩ、Rin2 = 10 kΩ
(C) Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 5 kΩ
(D) Rin1 = 10 kΩ、Rin2 = 10 kΩ
5.5 有關一般二極體空乏區的敘述,下列何者錯誤?
(A)空乏區又稱空間電荷區
(B)空乏區中的載子極少,故電阻偏高
(C)空乏區的寬度隨逆偏電壓而增加
(D)空乏區中沒有電場存在
6.6 最簡單的截波電路所用的元件有:
(A)電阻、電容
(B)電阻、二極體
(C)電容、二極體
(D)電容、變壓器
7.7 當 P 型及 N 型材料形成 PN 接面時,接面處會產生一空乏層,而 P 型側之空乏層內主要的帶電粒子為:
(A)正離子
(B)負離子
(C)電子
(D)電洞
8.8 如圖所示之電路,輸入電壓 vi為一交流弦波,有效值為 100 V,頻率為 60 Hz,二極體導通之壓降皆為 0.7 V, 則其輸出之漣波值約為何? 

(A)0.01 V
(B)0.17 V
(C)1.77 V
(D)2.97 V
9.9 有一小訊號等效電路如下圖所示,已知 R1 = 100 kΩ、C2 = 30 nF、R3 = 420 kΩ。
試求 Vg (s) / Vi(s) 在 f = 10 Hz 的值,其中 s = jω = j2πf :

(A)接近-3 dB
(B)接近-5 dB
(C)接近-8 dB
(D)接近-12 dB
10.10 在矽單晶體內,加入何種雜質會形成 P 型半導體?
(A)碳(C)
(B)硼(B)
(C)磷(P)
(D)鉀(K)
11.11 已知一個矽二極體之逆向飽和電流每升高 10℃約成為原先之兩倍。在溫度 25℃時的逆向飽和電流為 3 nA, 當逆向飽和電流增加到 24 nA,則溫度約升到幾度?
(A)35℃
(B)45℃
(C)55℃
(D)65℃
12.12 圖示理想二極體電路中,輸入 vI為弦波,其峰值電壓為 10 V,若輸出 v0的漣波很小,可忽略不計,則二極 體 D 的逆向電壓峰值 PIV 約為若干? 

(A)10 V
(B)14 V
(C)20 V
(D)28 V
13.13 下圖為一個 CMOS 邏輯電路,請問輸出 F 為何?

 
(A) F =  + AB
(B) F = B+ A 
(C) F = AB
(D) F = 
14.14 分析以下之電路,若稽納(Zener)二極體之崩潰電壓為 6 V,二極體之導通電壓為 0.7 V,則流過二極體之 電流為何?
 
(A)3.25 mA
(B)4.3 mA
(C)6.6 mA
(D)8 mA
15.15 如圖所示之電路,假設每個二極體的順向壓降為 0.7 V,且順向電阻為 0,則 Io約為: 

(A)0.3 mA
(B)1.2 mA
(C)2.1 mA
(D)2.4 mA
16.16 若 P-N 接面二極體之導通電壓為 0.7 V,且導通電阻值為 0 Ω。則電阻 10 kΩ 上之電流為何? 

(A)0.63 mA
(B)0.73 mA
(C)0.83 mA
(D)0.93 mA
17.17 如圖所示之二極體電路,假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電壓 vs (t) = 12 sin (120 πt)V、R = 10 kΩ、 C = 47 μF。試求電容 C 的充電頻率為何? 

(A)30 Hz
(B)60 Hz
(C)90 Hz
(D)120 Hz
18.18 如圖所示之電路,若 BJT 電晶體操作在順向主動區,忽略爾利效應(Early Effect)與所有其他電容,假使此 電路之功率消耗為 2 mW 且-3 dB 頻寬為 1 GHz,熱電壓(Thermal Voltage)Vt = 26 mV,求其最大電壓增益 約為何? 

(A)2.45
(B)3.45
(C)4.45
(D)5.45
19.19 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),且忽略元件之寄生電容與輸出阻抗,下 列何種調整方式無法增加放大器之頻寬? 

(A)減低 CL
(B)增加 Vb
(C)加大偏壓電流 I
(D)選用寬長比(W / L)較大之元件
20.20 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點閘源極電壓 VGS為-2.8 V,汲極電流 ID為 4.5 mA, IDSS為 16 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-6 V,不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗 rd 的影響, 則此放大器的電壓增益 約為多少? 

(A)8.6
(B)4.2
(C)2.5
(D)0.8
21.21 一維持工作於飽和模式(Saturation Mode)的 MOSFET,若其汲極電流 ID 增為 4 倍,則其轉導 (Transconductance)參數 gm的值會如何變化?
(A)增為 4 倍
(B)增為 2 倍
(C)減為一半
(D)減為四分之一
22.22 若雙極性接面電晶體(BJT)工作在主動區(Active Region)的電流 IC = 2 mA,電流放大率 β = 100,則其 轉導(Transconductance)gm約為若干 mA/V?
(A)20
(B)40
(C)80
(D)100
23.23 接成共射極組態的雙極性接面電晶體(BJT)放大器,其通常之特性為何?
(A)僅具電流放大特性
(B)僅具電壓放大特性
(C)兼具電流與電壓放大特性
(D)沒有電流或電壓放大特性
24.24 如圖所示放大器,若 BJT 電晶體操作於順向主動區(Forward Active Region)且忽略爾利效應(Early Effect), Vi為輸入,Vo為輸出,下列敘述何者錯誤?
 
(A)該放大器為同相放大器
(B)增加 R1則增益增加
(C)增加 R2則增益增加
(D)增加 Ib則增益增加
25.25 如圖電路為一共源放大器的簡圖,若電晶體之臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 0.5 V;又 VDD = 5 V,RD = 2 kΩ, I = 1.5 mA。若要維持電晶體工作於飽和模式,則輸入電壓 vI之最大直流值 VI max為多大? 

(A)5 V
(B)2.5 V
(C)2 V
(D)0 V
26.26 下圖為 npn 電晶體之混合 π 等效電路。假設此電晶體在集極電流 IC = 1 mA 時其相關參數為 β = 100、Cμ= 0.08 pF、 Cπ = 0.22 pF,且熱電壓 Vt = 0.026 V。請問此電晶體短路電流增益的 3 分貝頻率 fβ 約為多少? 

(A)166 MHz
(B)174 MHz
(C)180 MHz
(D)204 MHz
27.27 圖示雙極性接面電晶體(BJT)電路,若電晶體 β = 100,電流 I = 1 mA,則輸入阻抗 Rin約為若干 kΩ? 

(A)2
(B)20
(C)200
(D)500
28.28 若某一 n 通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET)之臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 1 V,且其汲極-源極電 壓差 VDS = 4 V,閘極-源極電壓差 VGS = 2V,則此電晶體係操作在下列何種區域?
(A)截止區域(cut-off region)
(B)三極管區域(triode region)
(C)歐姆區域(ohmic region)
(D)飽和區域(saturation region)
29.29 分析下圖之電路,若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗 ro = 10 kΩ,Rb = 10 kΩ, RD = 10 kΩ,RS = 1 kΩ。試求輸出阻抗 Ro約為多少? 

(A)20 kΩ
(B)10 kΩ
(C)7 kΩ
(D)3 kΩ
30.30 如圖之差動對電路,電晶體之 gm = 4 mA/V,Vt = 0.5 V,RL = 10 kΩ,RD = 5 kΩ,RS = 0.25 kΩ,I = 0.8 mA, VDD = -VSS = 5 V,求使電晶體維持工作於飽和模式之共模輸入電壓之最大值 VCMmax為何?

(A)2.5 V
(B)3 V
(C)3.5 V
(D)5 V
31.31 下列有關於以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器(Wien-Bridge Oscillator)的描述,那一項正確?
(A)正回授電路是 LC 電路
(B)負回授電路是電阻組成之分壓電路
(C)正回授電路的相移是 90°
(D)正回授量小於負回授量
32.32 如圖所示之理想運算放大器電路,其 -3 dB 頻率為何? 

(A)65.5 kHz
(B)75.5 kHz
(C)85.5 kHz
(D)95.5 kHz
33.33 如圖之理想運算放大器電路,下列敘述何者正確?
 
(A)VR2之波形為方波
(B)VR2之波形為三角波
(C)VR2之波形為正弦波
(D)VR2之波形為直流
34.34 有一電路的轉移函數,頻率為 10 rad / sec 時,增益約為若干 dB?
(A)0
(B)20
(C)40
(D)60
35.35 下列何者是影響放大器高頻響應衰減的因素?
(A)旁路電容
(B)耦合電容
(C)電晶體的內部電容
(D)電源供應器的濾波電容
36.36 如圖所示放大器,外接電容為 CC1、CC2和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs和 Cgd。當電壓增益的絕對值  越大時,有關此放大器的頻率響應頻寬 BW,下列敘述何者正確? 

(A) 越大,BW 越寬
(B) 越大,BW 越窄
(C) 與 BW 之間不是絕對的正向或反向關係,BW 主要受其他參數而變寬變窄
(D) 與 BW 無關係,BW 不受  影響
37.37 一個 MOS 疊接放大器(Cascode Amplifier)主要是用來達成下列那一個功能?
(A)降低輸出電阻
(B)提高電流增益
(C)提高輸入電阻
(D)提高頻寬
38.38 有一放大器電路的轉移函數(Transfer Function) F(s) = VO (s)/V  I  (s),其中 s = jω = j2πf :
,欲估計此放大器在高頻的 3 dB 頻率 f 3dB,下列何者正確?
(A)接近 5 kHz
(B)接近 10 kHz
(C)接近 50 kHz
(D)接近 100 kHz
39.39 下圖為由理想運算放大器所組成之考畢子振盪器電路,其振盪頻率為何?

40.40 分析以下之電路,若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA / V;BJT 操作在順向主動區(Forward Active Region)且轉導值 gm為 10 mA / V,β = 10。忽略元件之輸出阻抗 ro,試求 Vo / Vi =?
 
(A)55/6
(B)55/3
(C)-55/6
(D)-55/3