Yiting Lin>试卷(2015/06/27)

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104 年 - 104年高員三級鐵路人員_電力工程、電子工程 電子學#22393 

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【非選題】

一、對於 n 通道增強型 MOSFET 元件符號如圖一所示,其基底(substrate)相對源極常 加上某偏壓 VBS,已知 VBS = 0 V 時,電晶體之 Vto = 1 V;當加上 = 2.25 V 時, Vt變為 1.75 V。試問:


【題組】(一)VBS之正負號應為何?(4 分)

#23502
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【非選題】【題組】(二)加上 VBS會引起何種效應?(6 分)

#23503
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【非選題】【題組】(三)當加上 = 1.44 V 時,Vt =?(10 分)

#23504
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【非選題】

二、圖二為理想 OP 放大器電路,請求出:


【題組】(一)流入 Y 處之電流信號大小相對輸入信號電壓比值 iY/vI =?(10 分)

#23505
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1F
謝宗桓 國一下 (2015/11/18 11:43):
v+=v-=0v 令vi~v-電流為I I=VI/2K=IY 所以 IY/VI=>[(VI-0)/2K]/VI =1/2K =0.5m

【非選題】【題組】(二)Av = vO/vI =?(10 分)

#23506
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1F
謝宗桓 國一下 (2015/11/18 11:43):
AV=VO/VI=> -(VI-0)/2K=Y/150K VO/VI=-150K/2K=-75

【非選題】

三、圖三電流鏡電路中所有電晶體特性均相同,均具有β = 80,忽略電晶體之輸出電阻, 已知 IREF = 10 mA,請求出:


【題組】(一)Ix =?(10 分)

#23507
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【非選題】【題組】(二)Io =?(10 分)

#23508
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【非選題】

四、圖四中 NMOS 電晶體之 Vt = 1 V,μn•Cox = 15 μA/V2,W = 50 μm,L = 5 μm,忽略通 道調變效應(λ= 0),已知電路中 ID = 0.3 mA,試問:


【題組】(一)電晶體操作於何種工作區?(10 分)

#23509
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【非選題】【題組】(二)R =?(10 分)

#23510
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1F
WeiZhi Ye 高二上 (2015/11/21 17:13):
...

【非選題】

五、圖五電路輸出vO為週期性振盪之方波,OP 為理想運算放大器,其最大飽和電壓為 ± 15 V。


【題組】(一)請繪出 vX(t)波形圖?(10 分)

#23511
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【非選題】【題組】(二)請求出輸出 vO(t)之振盪頻率為多少 Hz?(10 分)

#23512
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