111年 - 111 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#112359

科目：半導體工程 | 年份：111年 | 選擇題數：0 | 申論題數：8

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (8)

(一)何謂接觸電阻（contact resistance）？何謂片電阻（sheet resistance）？何謂特徵電阻（specific contact resistance）？並寫出上述三種電阻的單位。（20 分）

(二)請說明如何量測這三種電阻？（10 分）

二、對一長度為 L 且此長度兩端施加偏壓 V 的 n 型半導體，假設電子的擴散長度為 L_n，電子的擴散係數為 D_n，電子的遷移率（mobility）為 μ_n，電子濃度為 n，電子電荷為 q。假設沿長度 L方向為 x 軸方向，且電子速度達到飽和值 v。請寫出此半導體的漂移（drift）電流密度與擴散（diffusion）電流密度方程式？（20 分）

(一)對一 npn 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT），若基極濃度由射極-基極接面（emitter-base junction）朝向基極-集極接面（base-collector junction）逐漸減少的結構，請說明這樣可以提供什麼優點？（10 分）

(二)對一 npn 雙極性接面電晶體，通常電流增益（β）是一常數，但是它在低集極電流（I_C）與高集極電流區域都會呈現減少的趨勢。請說明為什麼會減少的原因？（10 分）

(一)畫出此多晶矽閘極金氧半電容在平帶（flat-band）情況下的能帶圖。（10 分）

(二)當閘極電壓等於零（VG = 0）時，此多晶矽閘極金氧半電容是處於下列那一種情況？聚積（accumulation）？空乏（depletion）？反轉（inversion）？（10 分）

(三)請說明閘氧化層和場氧化層的差異。（10 分）