114年 - 114 高等考試_二級_電子工程：電子元件#131605

 (一)電洞擴散電流密度

(二)電場的表示式

(一)繪出其空間電荷分布圖，於圖上標示空乏區，並寫出空乏區公式。

(二)繪出其電場分布圖，於圖上標示最大電場，寫出最大電場計算式。

(三)以中性 p 區的零電位作為參考點（在距離 x = 0 的電位為零）繪出其電位分布圖，於圖上標示內建電位，寫出電位隨 x 變化之式子。

 (一)從古典以及量子力學觀點畫出電子濃度從絕緣體 – 半導體界面深入半導體基底的分布圖，並說明之。

(二)詳述此量子侷限效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET） 臨界電壓之影響。

四、雙極性接面電晶體（BJT）依據集極–基極接面（當成 x 軸）與射極–基極接面（當成 y 軸）的電壓極性，可以分為四種操作模式，分別是⑴飽和 （Saturation）、⑵順向主動（Active）、⑶截止（Cutoff）、以及⑷反轉主動（Inverted）模式。以 pnp 雙極性接面電晶體為例，在 x–y 平面上，以四種象限，寫出上述四種操作模式下的接面極性，畫出基極區少數載子分布圖，並說明之。

五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流（）；⑵截止電流（）；⑶臨界電壓（）；⑷次臨界擺幅（SS）；以及⑸汲極導致位障下降（DIBL）之影響。