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99年 - 99 高等考試_二級_電子工程：電子元件#46323

科目：電子元件 | 年份：99年 | 選擇題數：0 | 申論題數：16

試卷資訊

所屬科目：電子元件

選擇題 (0)

申論題 (16)

⑴當外加偏壓 V=0 時，空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少？
⑵當外加偏壓 V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的少數載子濃度分別是多少？
⑶當外加偏壓 V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的過量少數載子（excess minority carrier） 濃度分別是多少？
⑷當外加偏壓 V=0.6 V 時，空乏區兩側邊緣的多數載子濃度分別是多少？
⑴累積區電容。
⑵空乏區電容。
⑶反轉區電容。
⑷平帶電壓（flat-band voltage）。
⑸臨界電壓（threshold voltage）。
⑴什麼是複晶矽閘極空乏現象（poly-Si gate depletion）？（10 分）
⑵它對 MOS 元件的各項特性有何影響？（10 分）
⑴說明 BJT 元件的基極採用矽鍺化合半導體有何優點？（10 分）
⑵鍺在基極的濃度須如何設計，為什麼？（10 分）
⑴畫出 pn 接面受不同的光強度照射時的 I-V 曲線圖（標明光強度大小）。（6 分）
⑵在上圖中指出 p-i-n 光二極體（photodiode）和雪崩光二極體（avalanche photodiode） 的工作區域。（6 分）
⑶ p-i-n 光二極體和雪崩光二極體應用在光纖通訊領域時各有何優點？（8 分）