一、下圖電路,電晶體 M1 與 M2 具有相同的長度 (L) ,但其寬度比 W2/W1 = 5,電晶體參數:kn’(W/L)1 = 1 mA/V2,Vt = 0.8 V。
(二)當M2操作於飽和區時,求算最小電壓。(10分)
二、下圖電路R1=0.5kΩ,R2=0.5kΩ,RL=1kΩ。
(一)假設運算放大器為理想,二極體D1的電壓電流關係式為,且當1mA流過D1的跨壓為0.8V。當 =2V,求算。(10分)
(二)假設運算放大器增益為50,二極體跨壓為固定的0.8V,當=3V, 求算。(10分)
三、下圖電路,電晶體參數:。
(一)當電晶體=0.5mA及(overdrivevoltage)=0.5V,求算增益(僅直流分析時可忽略通道調變效應)。(8分)
(二)假設為弦波信號且電晶體操作於飽和區,求算可允許的最大峰值與相對應的。(12分)
四、下圖電路,運算放大器參 數:開路增益=1000,輸入差動阻抗=100kΩ,輸出阻抗=1kΩ。
(一)求算閉迴路增益。(10分)
(二)求算。(10分)
五、(一)CMOS邏輯包含上拉網路(pull-upnetwork)與下拉網路(pull-down network),試畫出CMOS邏輯之電路。(10分)
110 年 - 110 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#102524-阿摩線上測驗
110 年 - 110 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程:電子學#102524