111 年 - 111 鐵路特種考試_高員三級_電力工程、電子工程：電子學#108617　

一、圖中電路的所有二極體導通電壓為 0.7 V，齊納二極體（Zener Diode）D_Z 的崩潰電壓為 5.1 V，R₁ = 6 kΩ、R₂ = 6 kΩ、R₃ = 20 kΩ、R₄ = 30 kΩ。

二、圖中放大器電路的電阻參數如下：R₁ = 140 kΩ、R₂ = 60 kΩ、R_D = 5 kΩ、 R_S = 1 kΩ、R_L = 8 kΩ，N 型 MOSFET 的門檻電壓 = 0.8 V、導電參數 K_n = 1 mA/V² 且通道常數調變參數 λ = 0。假設電容 C₁ 和 C₂ 都足夠大， 其交流阻抗等於零，求：

三、如圖顯示 B 類放大器電路，R_L =15 Ω、 =15 sin(2 πf t)V，假設兩個電晶體都為理想元件，基極與射極的導通電壓等於零（(on) = 0），求：

四、如圖顯示多諧振盪器電路，R₁ = 2 kΩ、R₂ = 1 kΩ、R₃ = 10 kΩ、C = F， 兩個運算放大器均為理想，其輸出電壓的範圍均為-12 V ~ +12 V，OP1 設計為積分器；OP2 設計為史密斯觸發比較器。