Mila Kao>試卷(2017/01/10)

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106 年 - 106 初等考試_電子工程:電子學大意#59474 

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1.重新載圖

1 如圖所示之場效電晶體電路,則此電晶體工作在:
(A) 飽和區(Saturation Region)
(B)截止區(Cutoff Region)
(C)三極管區(Triode Region)
(D)主動區(Active Region) phpWCoKhu.png

.


2.2 在積體電路中,電流源常又具何功用?
(A)被動負載
(B)緩衝器
(C)主動負載
(D)整流器


3.3 場效電晶體之本體效應(Body effect)是討論:
(A) 本體(Body)的電壓可控制汲極(Drain)電流
(B)本體(Body)的電流可控制閘極(Gate)電流
(C)汲極(Drain)的電流可控制本體(Body)電流
(D)閘極(Gate)的電壓可控制本體(Body)電壓


4.重新載圖

4 如圖所示為理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ± 12 V,二極體導通時兩端電 壓為 0.7 V,輸入電壓 VI 為+2 V,則 VA 為若干 V?
(A) -2.7  
(B)1.3
(C)2.7
(D)+12 phpXT6u6f.png



5.重新載圖

5 如圖所示一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚 度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。若 VE 由-2 V 增加到-3 V,試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值|Vth|如何變化? phppkVZC0.png
(A) |Vth| 增加
(B) |Vth |減少
(C) |Vth |不受影響
(D) |Vth| 會受影響,但增加或減少由接面的功函數(work function, φf)決定



6.重新載圖

6 有一運算放大器如圖所示,已知其轉移方程式(transfer function)為 V3 =1002 × V2-998 × V1,請問其 共模電壓增益(common-mode gain)約為多少? phplGJdND.png
(A)6 dB
(B)12 dB
(C)18 dB
(D)24 dB

7.重新載圖

7 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示,V CC = 5 V, R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω,CL = 5 μF,電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q1 在時 間點 0 最可能的工作模式: phpEWeant.png
(A)飽和模式(Saturation mode)
(B)線性模式(Linear mode)
(C)主動模式(Active mode)
(D)截止模式(Cut-off mode)



8.重新載圖

8 如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 VDD = 3V,電晶體之 μnCox = 200 μA/V2,W/L = 10,Vth = 0.5 V。 試問電晶體的過驅電壓 VOV 為多少?
(A)0.5 V 

(B)1 V 

(C)1.5 V 

(D)3 V 
phpqpEqMa.png



9. 9 類比積體電路中,使用差動對放大器,下列何者錯誤?
(A)差動對具有寬廣的共模輸入範圍(common-mode range)串級時可避免使用耦合電容
(B)與單電晶體放大器比較,差動對使用兩個電晶體,因此可提供兩倍的轉導
(C)差動對的共模增益遠小於差模增益
(D)差動對電路中元件的不對稱性會產生抵補電壓(offset voltage)


10.10 一個電壓 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 10 + 6 sin(2πft)伏特,f = 60 Hz。將此電壓加到一個 1 Ω 的電阻之 上,試問此電阻承受的功率為何?
(A)18 W
(B)36 W
(C)100 W
(D)118 W 


11.重新載圖

11 如圖所示運算放大器電路中,若電壓增益 A 為無限大且抵補電壓(offset voltage)VOS 不計,試求輸 出電壓 Vo =? phpY8XeAy.png
(A)8 V  
(B)6 V
(C)4 V
(D)2 V



12.

12 差動式放大器中,共模斥拒比(common-mode rejection ratio)定義為 CMRR ≡| Ad| / |Acm |,其中 Ad 為 差動增益、Acm 為共模增益,試問就差動式放大器的 CMRR 設計,下列何者正確?
(A) CMRR = 0
(B)CMRR = 1
(C)CMRR << 1
(D)CMRR >> 1



13.重新載圖

13 輸入有正弦信號 vi(t) = Vmsin(ωt)伏特的理想箝位電路如圖所示,當測得電容器所跨電壓為 8 伏特且輸 出信號 vo(t)的最小值為-18 伏特時,求 Vm 與 VR 之總和電壓為多少伏特?
(A)-10 V
(B)10 V
(C)12 V
(D)26 V  phpwGFisR.png



14.14 有一橋式全波整流電路,其中之二極體均為理想。假設其輸出信號的峰值電壓為 14.14 伏特,若有效 值電壓為 a 伏特、平均值電壓為 b 伏特、漣波電壓峰對峰值為 c 伏特及漣波因素為 r%,則有關 a、b、 c、r 的數值,下列那一選項為正確?
(A)a = 10,b = 9
(B)b = 9,c = 20
(C)c = 20,r = 48
(D)r = 48,a = 14.14


15.重新載圖

15 如圖所示的二極體-電容器倍壓電路中,變壓器與所有二極體均視為理想且變壓器之輸入為一弦波, 當電路到達穩定狀態時 VC1 = 12 伏特,有關二極體 D1~D3 承受之逆向峰值電壓 PIV1~PIV3(單位均 伏特)之敘述,何者正確?
(A)PIV1 = 12 V  
(B)PIV2 = 24 V
(C)PIV3 = 36 V
(D)PIV3 = 2PIV1 php87X4D0.png



16.重新載圖

16 截波電路(D 為理想二極體)中的偏壓電源 VR = 6 伏特,配合圖示之週期性輸入三角波信號決定該 二極體 D 於單一週期輸入信號中導通的百分比為多少?
(A)25%
(B)50%
(C)60% (t)
(D)75% phpgvbdpn.png



17.重新載圖

17 如圖所示之電路,假如二極體為理想,求其輸出電壓之平均值為何?
(A)11.6 V
(B)21.6 V
(C)30.6 V
(D)110 V phpMsT2kO.png



18.重新載圖

18 如圖所示之電路,假如二極體為理想,求其輸出電壓之平均值為何?
(A)35.01 V
(B)-35.01 V
(C)49.52 V +
(D)-49.52 V  phpQQKJ1E.png



19.重新載圖

19 如圖所示的二極體電路,二極體 D1 與 D2 為理想,此電路轉移函數(transfer funciton)中的轉折點之 輸入及輸出電壓為何?
(A)-1 V 及 -1 V  
(B)-1 V 及 -2 V
(C)-2 V 及 -1 V
(D)-2 V 及 -2 V phppY05eB.png phpLSOfER.png



20.重新載圖

20 如圖所示之電路包含三個串接的二極體及兩個串接電阻,若 VIN 為 10 V 且二極體的開啟電壓(turn-on voltage)為 0.8 V,求 VOUT
(A)2.4 V
(B)6.2 V
(C)10 V
(D)12.4 V  phpemgTeF.png



21.重新載圖

21 如圖所示之電路中,若變壓器二次側 vs = Vm sinωt,則 iD1 之波形為何? php16n7nh.png
(A) phpN36JSp.png
(B) php8iBZVS.png
(C) phpeUQiYb.png
(D) php6ng3wH.png



22.22 利用一個二極體做交流半波整流,其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號 Vs 峰值大小:
(A)大一個二極體順向啟動電壓
(B)大兩個二極體順向啟動電壓
(C)小一個二極體順向啟動電壓
(D)小兩個二極體順向啟動電壓


23.重新載圖

23 如圖所示之放大器電路,電晶體 J 之參數如下:IDSS = 8 mA,VP = -4 V,求此電路之小信號輸出阻抗 值為何?
(A)1 kΩ
(B)1/2 kΩ
(C)1/3 kΩ
(D)1/4 kΩ phpOpSML0.png



24.重新載圖

24 如圖所示之放大器電路,電晶體 M 之參數如下:Vth = 0.4 V,μnCox = 200 μA/V2,且 λ = 0,若此放大 器電路之小信號電壓增益值為 0.85,則此電晶體 M 之 W/L 最接近下列何值?
(A)267
(B)367
(C)467
(D)567 phpdr2Wpi.png



25.重新載圖

25 如圖所示之放大器電路,假設此電路之輸入阻抗為 50 Ω,輸出阻抗為 150 Ω,且 λ = 0;求此放大器 電路之小信號電壓增益值為何?
(A)1
(B)3  
(C)5
(D)50 phptlK5DE.png



26.重新載圖

26 如圖所示之放大器電路,假設電晶體 M 之參數如下:μnCoxW/L= 0.2 mA/V2,Vth = 2 V,且 λ = 0;求 此放大器電路之小信號輸入電阻 Ri 之值為何?
(A)416 kΩ  
(B)516 kΩ
(C)616 kΩ
(D)716 kΩ  phpC9JYvB.png



27.重新載圖

phpusOIDj.png27 如圖所示之電路,假定 β = 100 且 VEB(on) = 0.6 V,求 VEC 之值為何?
(A)2.1 V
(B)2.5 V  
(C)2.9  
(D)3.3 V 



28.重新載圖

28 如圖所示之共射極放大器,其偏壓電路的主要優點為何?
(A)所需偏壓電阻較小  
(B)可操作於較低的電壓
(C)放大器的增益較大
(D)電晶體必定操作在主動區 phpwA0dd7.png



29.重新載圖

29 如圖所示電路中,若輸出端 VX 的直流電壓為 3 V,電晶體的 VGS 為 1.5 V,求 R1/R2 為何?
(A)1/3
(B)2/3
(C)3/2
(D)2/5 phpJ0gwKC.png



30.重新載圖

30 如圖所示之共閘極放大器,若要使電壓增益提升為原有值的兩倍,下列敘述何者錯誤?
(A)將 RL 變成兩倍
(B)將轉導 gm 變成兩倍
(C)將過驅電壓(VGS-VTH)變成 1/2 倍
(D)將 ID 變成兩倍 phpgL7DnC.png



31.重新載圖

31 如圖所示之 BJT 電路,假設 Q1 與 Q2 特性相同,VT = 25 mV 且 β = 100,求輸出電阻 Zout
(A)2.5 Ω
(B)5 Ω
(C)7.5 Ω
(D)10 Ω phpALUKhX.png



32.32 一個雙極性電晶體(BJT)元件的規格 β = 100,若其基極電流為 20 μA,集極電流為 1.2 mA,則電 晶體操作在:
(A)截止區
(B)主動區
(C)飽和區
(D)三極管區


33.重新載圖

33 如圖所示為一方波產生電路,於某個時間點測得其中電壓 Vf 值為 10 伏特,其中施加於理想 OPA 之 電壓為 ± 15 V,則電路輸出訊號的頻率約為多少?
(A)1.55 kHz
(B)3.25 kHz  
(C)6.75 kHz
(D)8.25 kHz  phpGDc0sg.png



34.重新載圖

34 如圖一與圖二所示,為由 R1、R2 與理想 OPA 所構成的兩種不同施密特觸發電路,OPA 均採用相同 的操作電源電壓,R1= 2 kΩ。若兩電路之輸出電壓 vo 均為正值時,圖一與圖二之 vi 臨界電壓分別為-10 及 6 伏特,則 R2 為多少?
(A)1 kΩ
(B)2 kΩ
(C)3 kΩ  
(D)4 kΩ php5jOUV1.png



35.重新載圖

 35 如圖所示電路為 CMOS 放大器,下列有關電容 C1 功能之敘述,何者正確? phpTbTWqY.png
(A)旁路電容(bypass capacitor)
(B)耦合電容(coupling capacitor)
(C)頻率補償電容(frequency compensation capacitor)
(D)濾波電容(filter capacitor)



36.36 下列何電路適用於產生方波訊號?
(A)考畢茲振盪電路(Colpitts oscillator)
(B)相移振盪電路(Phase shift oscillator)
(C)韋恩電橋振盪器(Wien-Bridge oscillator)
(D)無穩態多諧振盪電路(Astable multivibrators)


37.37 下列那一種單級電晶體放大器結構會有密勒效應(Miller effect)使高頻響應劣化?
(A)共基極放大器
(B)共源極放大器
(C)射極隨耦器
(D)共閘極放大器


38.重新載圖

38 如圖所示為一施密特(Schmitt)觸發器,OP AMP 輸出的上下限為 ± 12 V。若要使輸出由負轉正時, vi 應到達何值?
(A)-10 V
(B)-2 V  
(C)2 V
(D)10 V  phpZo4sr0.png



39.重新載圖

39 如圖所示電晶體放大器電路加上旁路電容 CE 後,放大器的中頻段電壓增益會有什麼變化?
(A)變無窮大
(B)變小
(C)不變  
(D)變大  phpWg1l9H.png



40.重新載圖

40 如圖所示為韋恩電橋振盪器(Wien-Bridge oscillator),已知 R = 10 kΩ 和 C = 16 nF,試求振盪頻率 fo 約為多少?  
(A)1 kHz
(B)2 kHz
(C)6.25 kHz
(D)12.5 kHz phptzX2xA.png



懸賞詳解

國二數學下第二次

重新載圖8. ( )下面作圖 ,說明了哪一個事實?  (A)△ARB 是一個直角三角形  (B) P、R、B 三點共線  (C)  =  且∠PRO=∠QRO  (D) R 點到 、 ...

50 x

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