魔流劍風之痕>試卷(2017/08/10)

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103 年 - 103中華電信從業人員-電子學#64075 

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1.31.已知矽在溫度 300 K 時的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration) ni為 1.5×10 10 cm −3,若摻雜的受體(acceptor) 濃度 na為 1016cm−3,則此時少數載子(minority carrier)的濃度為何?
(A) 2.25×104 cm−3
(B) 6.67×105 cm−3
(C) 1.5×1010 cm−3
(D) 1×1016 cm −3 .

2.32.某 pn 接面二極體在溫度 300 K、逆向偏壓(revers-bias)電壓為 1 V 時的電流為 10 −13 A,則在同樣溫度下、逆向 偏壓電壓為 0.5 V 時的電流為何?
(A) 2.5×10−14 A
(B) 5×10−14 A
(C) 10−13 A
(D) 2×10 −13 A .

3.33.某一齊納二極體(Zener diode)流過 5 mA 時的跨壓為 3.65 V,若流過 10 mA 時的跨壓為 3.70 V,則其等效串聯 電阻(equivalent series resistance)為何?
(A) 0 Ω
(B) 10 Ω
(C) 370 Ω
(D) 730 Ω .

4.重新載圖

34.假設交流電源 phpE1d14n,則經半波整流後的平均輸出電壓為何?
(A) 110 √2 V
(B) 110 V
(C) 110√ 2 /π V
(D) 110/ π V

.


5.重新載圖

35.如【圖 35】所示之二極體截波器(clipper),若 vi = 10 sin (2π×60t) V 且 VB = 8 V,則 vo的最大值為何?
(A) 0 V
(B) 2 V
(C) 10 V
(D) 18 V phpihH1ji

.


6.重新載圖

36.根據穩壓率的定義: php9QPa00 ,若 VO,nor = 5 V、VO,max = 5.5 V,請問下列 VO,min的值符合 5%的穩壓率要 求者為何?
(A) 5.0 V
(B) 5.1 V
(C) 5.2 V
(D) 5.3 V

.


7.37.在常用的雙極性接面電晶體(BJT)的三個半導體區域內,何者寬度最窄?
(A)射極(emitter, E)
(B)基極(base, B)
(C)集極(collector, C)
(D)不一定 .

8.38.某 BJT 的 BE 接面為逆向偏壓、BC 接面為順向偏壓,則該 BJT 的操作模式為:
(A)順向作用區(forward active region)
(B)截止區(cutoff region)
(C)逆向作用區(reverse active region)
(D)飽和區(saturation region) .

9.39.某 BJT 的共射極電流增益(common-emitter current gain) β = 99,則其共基極電流增益 (common-base current gain) α為何?
(A) 0.99
(B) 1
(C) 1.01
(D) 100 .

10.40.下列四種 TRIAC 的觸發模式中,何者所需的閘極電流為最小?
(A)正端電壓、負閘極電流
(B)正端電壓、正閘極電流
(C)負端電壓、正閘極電流
(D)負端電壓、負閘極電流 .

11.重新載圖

41.如【圖 41】所示 BJT 電路,使 VC約為 2 V 之 RC值為何?
(A) 1.2 kΩ
(B) 1.4 kΩ
(C) 1.6 kΩ
(D) 1.8 kΩ

.


12.重新載圖

42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器,則下列敘述何者錯誤?
(A)計算直流偏壓條件時,C1與 C2可視為開路
(B)集極到基極間電壓約等於 1.4 V
(C)電壓增益約為−2 倍
(D)基極電流 IB約等於 4 µA phplwP5su

.


13.43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器,下列敘述何者錯誤?
(A)輸入電阻小、輸出電阻大
(B)又稱為射極隨耦器(emitter follower)
(C)適合作為緩衝器(buffer)以提供阻抗匹配(impedance matching)
(D)功率增益約等於電流增益 .

14.重新載圖

44.如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器,則等效的共射極電流增益β為何?
(A) 50
(B) 150
(C) 5000
(D) 2 phpsxLFfZ

.


15.45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述,下列何者錯誤?
(A)只含一個 pn 接面,是一種單極性元件(unipolar device)
(B)控制 pn 接面兩端的偏壓可改變 JFET 的等效電阻
(C)汲極(drain)與源極(source)之間的通道(channel)是主電流流經的路徑
(D)閘極(gate)的半導體材料與通道相同 .

16.46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID?
(A) 4 V
(B) 3 V
(C) 2 V
(D) 1 V .

17.重新載圖

47.如【圖 47】所示的 JFET 電路,IDSS = 12 mA 且 VP = −3 V,請問下列 RD值何者可以使該 JFET 操作於夾止區?
(A) 0.9 kΩ
(B) 1.1 kΩ
(C) 1.3 kΩ
(D) 1.5 kΩ phpRQtDcX

.


18.48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述,下列何者錯誤?
(A)閘極與半導體通道之間是絕緣的
(B)輸入阻抗非常低
(C)汲極與源極各自連接較高摻雜濃度的半導體材料
(D)空乏型(depletion type) MOSFET 的操作與 JFET 類似 .

19.49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時,ID值為何?
(A) 1 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA .

20.50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VDS = 4 V 時,則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何?
(A) 1 : 1
(B) 16 : 9
(C) 16 : 4
(D) 16 : 1 .

21.51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V,且在 VGS = 4 V 時的飽和 汲極電流為 9 mA,則 VGS = 3 V 時的 ID為何?
(A) 0 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA .

22.重新載圖

52.如【圖 52】所示電路,下列敘述何者錯誤?
(A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區
(B)當 V 小於 VT時,此電路視同開路
(C)此電路經常取代電阻作為負載使用
(D)其小信號等效電阻與直流偏壓電流的平方根成反比 phpmsKzbY

.


23.53.在一差動放大器(differential amplifier)中,已知其共模增益(common-mode gain) Acm=−2×10−4,共模拒斥比 (common-mode rejection ratio, CMRR)為 100 dB,則差動增益(differential gain) Ad為:
(A) 100
(B) 50
(C) 20
(D) 10 .

24.54. B 類輸出級(class B output stage)在最大功率損耗時的轉換效率約為:
(A) 25%
(B) 50%
(C) 75%
(D) 78.5% .

25.55.有關 AB 類輸出級(class AB output stage)的敘述,下列何者錯誤?
(A)操作模式與 A 類輸出級類似
(B)輸入電壓極小時,兩個電晶體均導通
(C)交越失真(crossover distortion)幾乎可以完全消除
(D)在靜態狀況(quiescent condition)下仍會消耗功率 .

26.56.有關各類放大器組態的頻率響應說明,下列何者錯誤?
(A)共源極(common-source, CS)放大器的高頻響應受限於米勒效應(Miller effect)
(B)共源極(CS)放大器的頻寬可以藉由增加負載電阻而增加
(C)共基極(common-base, CB)放大器不受米勒效應的影響,因此頻寬較廣
(D)差動放大器的頻寬可以藉由在基極接上電阻而增加 .

27.57.下列何者非運用負回授(negative feedback)技巧的好處?
(A)提高增益
(B)調整輸入/輸出阻抗
(C)降低非線性失真
(D)提高訊雜比(signal-to-noise ratio) .

28.58.大型積體電路(large-scale integrated circuit, LSI circuit)所含的邏輯閘數目約為:
(A) 10 ~ 100 個
(B) 100 ~ 1000 個
(C) 1000 ~ 10000 個
(D) 10000 個以上 .

29.59.在邏輯帶(logic band)區域所定義的四種邏輯準位電壓參數,其間正確的大小關係為:
(A) VOH > VIH > VIL > VOL
(B) VOH > VIH > VOL > VIL
(C) VIH > VOH > VIL > VOL
(D) VIH > VOH > VOL > VIL .

30.60.有關 741 運算放大器(op amp)的敘述,下列何者錯誤?
(A)輸入級為差動放大器
(B)電壓增益的主要來源為第二級
(C) AB 類輸出級含有短路保護功能
(D)利用米勒頻率補償技術可將主要極點設計在極高頻處 .

【非選題】
31.題目一: 在關聯式資料庫中,一個表格(Table)包含了若干個欄位(Column)以及任意個數的記錄 (Row)。表格中的一個欄位(或多個欄位的組合)要成為該表格的候選鍵(Candidate Key)必須 要滿足哪兩個條件?請說明之。【10 分】

【非選題】
32.
題目二: 請回答下列問題:

【題組】 (一)請將十進位數字(62)10分別轉成二進位數字、八進位數字、以及十六進位數字。 【6 分】

【非選題】
33.【題組】(二)有關二進位元串(Binary String) 1001,若為 1 的補數,其十進位數值為何?若為 2 的補數,其十進位數值為何?【4 分】

【非選題】
34.

題目三: 如【圖三】所示之增強型 NMOSFET 偏壓電路,若其操作於夾止區,K = 0.5 mA / V 2、 VT = 3 V,請求出 ID與汲極電壓 VD的最大容許交流振幅。【10 分】phpqGKBbk



【非選題】
35.

題目四: 如【圖四】所示的 BJT 電流鏡(current mirror),假設 Q1、Q2 為匹配電晶體,請證明: phpWNrs7N【其中α為共基極電流增益(common-base current gain)】【10 分】php0SX9OC



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