【站僕】摩檸Morning>試卷(2017/11/22)

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106 年 - 公務人員升官等簡任/高等電子電路學研究(包括類比與數位)#66349 

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【非選題】
1.

一、如圖(一)之雙極性接面電晶體(BJT)放大電路,電晶體參數為:β = 100、VA = ∞, 電容器 CC1 = CC2 = 1 pF。試求:phpiPdcmR


【題組】⑴電晶體參數 rπ =?(10 分)


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【非選題】
2.【題組】⑵電壓增益 AV = vo/vs =?(10 分)

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【非選題】
3.【題組】⑶電流增益 Ai = io/is =?(10 分)

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【非選題】
4.

二、如圖(二)為 CMOS 差動放大器電路,IQ = 0.2 mA。PMOS 電晶體 M1及 M2的參數 為:Kp = 0.5μpCox(W/L)p = 0.1 mA/V2 、λp = 0.015 V-1、VTP = -1 V。NMOS 電晶體 M3 及 M4的參數為:Kn = 0.5μnCox(W/L)n = 0.1 mA/V2 、λn = 0.01 V-1、VTN = 1 V。試求:phpIq9Ihe


【題組】⑴輸出阻抗 Ro =?(10 分)


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【非選題】
5.【題組】⑵開路差動模式之電壓增益(open-circuit differential-mode voltage gain)?(10 分)

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【非選題】
6.

三、如圖(三)之 NMOS 數位電路,電晶體 ML、MX及 MY具有相同之 μnCox值,另相關 參數為:(W/L)X =(W/L)Y = 5、(W/L)L = 2、VTNX = VTNY = 0.8 V、VTNL = -1.5 V,且忽略 基體效應(body effect)。如果 vX = vY = 5 V,試求:phpIYO7ZW


【題組】⑴ vo =?(10 分)


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【非選題】
7.【題組】⑵ vGSX及 vGSY分別為何?(10 分)

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【非選題】
8.

四、邏輯函數Y = phpY5zzvi


【題組】 ⑴試設計繪製一具有該邏輯函數之 CMOS 電路圖。(20 分)


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【非選題】
9.【題組】⑵如果一基本 CMOS 反相器(inverter)之電晶體參數值:(W/L)n = 2、(W/L)p = 4,如 欲使⑴之 CMOS 電路具有對稱之切換時間、且兩倍於該基本 CMOS 反相器之切換 速度,試求⑴之 CMOS 電路中,每一 NMOS 及 PMOS 電晶體之(W/L)值,分別為 何?(10 分)

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