【站僕】摩檸Morning>試卷(2018/12/19)

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107 年 - 107 地特四等 電子學概要#73460 

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【非選題】
1.

一、如圖一所示為一運算放大器(operational amplifier)電路。如果輸出電壓
vo = 6v1 + 4v2,試求 R3 之電阻值?其中 R1=2 kΩ、R2=4 kΩ、Rf=18 kΩ。
(20 分)
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Kuyroiume 高三下 (2021/02/25)
為正向OP,題目正負腳位應顛倒。正端化簡...


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1F
阿中 幼稚園下 (2019/04/03)

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【非選題】
2.

二、如圖二所示的電路。試分析各節點電壓及流經各元件的電流。其中 Rb1=100 kΩ、Rb2=50 kΩ、Rc1=5 kΩ、Re=3 kΩ、Re2=2 kΩ、Rc2=2.7 kΩ, 假設所有電晶體共射極電流增益β=100、VBE(on)=0.7 V、VT=25 mV@300 K、 VCC=15 V。(20 分)5c19e0bab4e84.jpg



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【非選題】
3.

三、如圖三所示為以電容 Cc 做回授頻率補償的兩級式 CMOS 運算放大器, 以波得圖說明此種頻率補償如何讓此運算放大器操作由沒有回授頻率 補償之不穩定轉為穩定操作?(20 分) 5c19e0d243edc.jpg



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【非選題】
4.

四、如圖四所示為一考畢茲晶體振盪器(Colpitts crystal oscillator)及其所用 晶體(crystal)之小訊號等效電路模型(r 可以忽略不計)。試推導此振 盪器之振盪頻率。而其中電晶體之小訊號模型可使用最精簡之模型;亦 即無限大之輸入電阻及輸出端之受控電流源為 gm v π ,而電晶體之輸出電 阻、振盪器之負載電阻及其他被動元件的非理想性以單一電阻 R 表示 之。(20 分) 5c19e0ed0fc04.jpg



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【非選題】
5.

五、如圖五所示為電阻負載式反相器電路,其中 R=1 kΩ、VDD=5.0 V、輸出 低電壓準位 VOL=0.6 V。而其中增強型(enhancement-type)nMOS 電晶 體有著下列的參數:VT0=1.0 V、γ =0.2 V1/2、λ=0、μnCox=22.0 μA/V2 。 試求:(每小題 10 分,共 20 分)5c19e13c148c9.jpg


【題組】 ⑴電晶體所需要的幾何比值(aspect ratio)W/L。


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【非選題】
6.【題組】⑵輸入低電壓準位 VIL及輸入高電壓準位 VIH

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國二國文下第三次

(三) 上常從容與信言諸將能不,各有差。上問曰:「如我能將幾何?」信曰:「陛下不過能將十萬。上曰:「於君何如?」曰:「臣多多而益善耳。...

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