沈若待>試卷(2020/01/07)

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109 年 - 109 初等考試_電子工程:電子學大意#81925 

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1.1 下列有關理想運算放大器的特性,何者正確?
(A)輸入阻抗:0
(B)開迴路電壓增益:0
(C)共模電壓增益:0
(D)共模拒斥比 CMRR:0


2.2 某運算放大器的共模增益 Acm = -0.01,差模增益 Ad = 100,則其 CMRR 為若干 dB?
(A)-80
(B)-20
(C) 20
(D) 80


3.重新載圖

3 圖示為理想運算放大器電路,若 R1 = 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、Ra = 1 kΩ、Rb = 3 kΩ,v1 = 4 V,v2 = -2 V,則輸出電壓 vO為若干 V?
(A) 0
(B) 5
(C) 10
(D) 12 5e1412087b57d.jpg



4.重新載圖

4 圖示電路中場效電晶體(FET)之 VTH = -0.7 V,下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區(SaturationRegion)?
(A) VG = 5 V、VD = 4 V
(B) VG = 4 V、VD = 4 V
(C) VG = 3 V、VD = 4 V
(D) VG = 2 V、VD = 4 V 5e14123e1cf10.jpg



5.重新載圖

5 圖示為理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為± 10V,二極體導通時兩端電壓為0.7 V,輸入電壓 vI為 +1 V,則 vO為若干 V?
(A)-10
(B) 0
(C)+1
(D)+10 5e14125321f71.jpg



6.重新載圖

6 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 VI1、VI2 的電壓波形如下所示,VCC = 5 V,R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω,CL = 5 μF,電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q2在時間點 T 最可能的工作模式:
(A)飽和模式(Saturation mode)
(B)線性模式(Linear mode)
(C)主動模式(Active mode)
(D)截止模式(Cut-off mode) 5e1412a5c2a89.jpg 5e1412b64986e.jpg



7.重新載圖

7 如圖所示為一 CMOS 反相器,電晶體之 μnCox = μpCox;兩電晶體之 W/L 相同;Vtn = |Vtp|。反相器之負載為電容 CL。若輸入的信號 vi為方波,其高電位為 VDD、低電位為 0,週期為 T。問流過電晶體 QP的平均電流?
(A) 0
(B)(μpCox/2)(W/L)(VDD-|Vtp|)2
(C) VDDCL/(2T)
(D) VDDCL/T 5e14130f05ea1.jpg



8.8 一個 NPN 雙極性電晶體,若 β = 50 且操作在主動作用區(active region),下列何者正確?
(A)集極電流與射極電流的比值為 1.02
(B)集極對射極的電壓應為正值
(C)電流的方向為由射極流入集極
(D)基射極應為反偏


9.9 類比積體電路中,使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載,下列何者錯誤?
(A)為了減少電路占用的面積
(B)可降低電源電壓
(C)為了提供比電阻性負載更小的等效電阻
(D)可提高放大器增益


10.10 有一個電壓訊號 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 6 sin(2πf1t) + 12 sin(2πf2t) 伏特,f1 = 5 kHz,f2 = 8 kHz。將此電壓訊號加到一個 1 Ω 的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何?
(A) 36 W
(B) 90 W
(C) 144 W
(D) 180 W


11.11 理想 CMOS 反相器(Inverter)的靜態功率損耗為何?
(A)很大
(B)中等
(C)與邏輯狀態有關
(D)零


12.重新載圖

12 如圖運算放大器電路,若電壓增益 A 為無限大,試求輸出電壓 vo=?
(A)-4 V
(B) 4 V
(C)-6 V
(D) 6 V 5e14135e78249.jpg



13.重新載圖

13 電容器 C1~C3配合變壓器 T 及二極體 D1~D3所構成之倍壓電路如圖,輸入信號 vi(t) = 100 sin(377t) 伏特、N1:N2=10:1 且變壓器與所有二極體均視為理想時,在電路穩態條件下電容器 C1~C3所跨電壓VC1~VC3之敘述何者正確?
(A) VC1+VC2 = 20 V
(B) VC1+VC3 = 30 V
(C) VC2+VC3 = 10 V
(D) VC1+VC2+VC3 = 40 V 5e1413c171d66.jpg



14.14 用於中間抽頭變壓器型及橋式全波整流電路的變壓器,初級/次級線圈匝數比均為 N1:N2且輸入信號同為 vi(t) = 100 sin(377t) 伏特,變壓器與二極體均為理想,中間抽頭型及橋式全波整流電路中二極體之峰值逆向電壓為 PIV1 與 PIV2、輸出信號有效值電壓為 Vo1(rms) 及 Vo2(rms) 間關聯性何者正確?
(A) PIV1 = 2PIV2
(B) Vo1(rms) = Vo2(rms)
(C) 2Vo1(rms) = Vo2(rms)
(D) 2PIV1 = PIV2


15.15 漣波因素(ripple factor)或漣波百分比(r%)用以評比整流-濾波電路之優劣,已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓Vo(rms) = A、平均值電壓 Vo(dc)= B 伏特、漣波電壓有效值 Vr(rms) = C 伏特,那一選項中電路的濾波效果最佳?
(A) A = 15,B = 12
(B) B = 12,C = 1
(C) r = 10
(D) A = 15,C = 1


16.重新載圖

16 圖示半波整流電路之輸入信號 vi(t) = 20 sin(754t) 伏特及 N1:N2 = 2:1,變壓器與二極體均視為理想,關於輸出信號 vo(t)之頻率 fo、有效值電壓 Vo(rms)、平均值電壓 Vo(dc)、峰值電壓 Vo(p)等的約略值,下列敘述何者正確?
(A) fo = 754 Hz
(B) Vo(p) = 20 V
(C) Vo(rms) = 7.1 V
(D) Vo(dc) = 3.2 V 5e14144531fbc.jpg



17.重新載圖

17 圖示截波電路中,齊納(Zener)二極體 D1 與 D2 於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為VZ1= 5 V 與 VZ2 = 7 V,當輸入信號 vi(t)=10 sin(ωt) 伏特時,求輸出信號 vo(t)的峰對峰電壓值為多少伏特?
(A) 2 V
(B) 5 V
(C) 7 V
(D) 12 V 5e141470120bb.jpg



18.重新載圖

18 振幅為 8 伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路(D 為理想二極體),決定輸出信號 vo(t)的平均值電壓為多少伏特?
(A) 0.5 V
(B) 1 V
(C)-0.5 V
(D)-1 V 5e1414a573d84.jpg 5e1414b45ca8b.jpg



19.重新載圖

19 如圖所示之電路,假如二極體之壓降 VD為 0.7 V,求其輸出電壓 vo之平均值為何?
(A) 5.37 V
(B) 10.58 V
(C) 23.3 V
(D) 109.3 V 5e1414d1ede5e.jpg



20.重新載圖

20 圖中 v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波,經過微分器後,其輸出波形為何?
(A)正弦波
(B)三角波
(C)直流
(D)方波 5e1414e886126.jpg



21.21 下列何者不是二極體電路的主要應用?
(A)整流電路
(B)截波電路
(C)箝位電路
(D)放大電路


22.22 60 Hz 的交流小訊號經全波整流後,輸出訊號之頻率應為:
(A) 20 Hz
(B) 30 Hz
(C) 60 Hz
(D) 120 Hz


23.重新載圖

23 圖示電路,若 VCC = 10 V,VCE= 3V,則此電晶體的工作區應為何?
(A)主動區(Active Region)
(B)飽和區(Saturation Region)
(C)三極管區(Triode Region)
(D)截止區(Cutoff) 5e14150d4514e.jpg



24.重新載圖

24 如圖所示之電路,其中電晶體之爾利(Early)電壓 VA = ∞,求此電路之小信號輸出阻抗值為何?
(A) R1
(B) R2
(C) R1+ R2
(D) R2 // (1/gm) 5e14155104490.jpg



25.重新載圖

25 如圖為 MOSFET 差動式放大器,已知電晶體 Q1和 Q2的臨界電壓 VTH、轉導 gm、輸出阻抗 ro等參數均相同,試求差動增益 Ad = vod /vid之值?
(A) gmRD
(B)-gmRD
(C) gmRD /2
(D)-gmRD /2 5e1415a3c6949.jpg



26.重新載圖

26 如圖所示之電路,其中各電晶體之參數皆為 βnpn = 100,1 kT/q = 1VT = 26 mV 且爾利(Early)電壓 VA = ∞,假定此電路之直流偏壓電流 IC = 4 mA,求此電路之小信號電壓增益值為何?
(A) 72.8
(B) 115.8
(C) 154.8
(D) 173.8 5e1415c97f383.jpg



27.重新載圖

27 如圖所示之電路,假設電晶體 M 之參數如下:μnCox = 200 μA/V2,VTH = 0.4 V 且 λ = 0;若跨在電阻RS上之電壓為 300 mV,欲使 M 維持在飽和區之最小可容許之 W/L 值為何?
(A) 20
(B) 40
(C) 60
(D) 80 5e1415fa0d98f.jpg



28.28 MOSFET 的小訊號模型中,汲極的等效輸出電阻ro與下列何者成正比?
(A)通道寬度 W
(B)通道長度 L
(C)過驅電壓(VGS -VTH
(D)汲極電流 ID


29.重新載圖

29 如圖所示之射極隨耦器之 vo/vi最接近值為何?假設電流源為理想且1kT / q= 1VT = 26 mV。
(A) 0.9
(B) 0.8
(C) 0.7
(D) 0.6 5e14163b3b870.jpg



30.重新載圖

30 如圖所示共射極放大器之 vo/vi為何?假設電晶體之 gm = 50 mA/V,β = 50。
(A)-25
(B)-50
(C)-75
(D)-100 5e141665a2423.jpg



31.31 關於 MOSFET 的本質增益 gmro,下列敘述何者正確?
(A) gmro 與過驅電壓(VGS -VTH)成正比
(B) gmro 與過驅電壓(VGS -VTH)成反比
(C) gmro 與偏壓電流 ID成正比
(D) gmro 與偏壓電流 ID成反比


32.32 若一個雙極性電晶體(BJT)在主動區操作模式下,射極電流為 5.05 mA,基極電流為0.05 mA,則其 β 值為:
(A) 98
(B) 99
(C) 100
(D) 101


33.重新載圖

33 如圖之 RC 串級放大電路中,第2 級放大電路(未顯示)的輸入電阻 Ri2 =1.5 kΩ,電晶體之 β1 = 81、VBE,on = 0.6 V,求第 1 級放大電路的電壓增益大小(vo1/vi)最接近值為:
(A) 30
(B) 60
(C) 80
(D) 100 5e1416d80e41c.jpg



34.重新載圖

34 下列有關圖示電路的敘述何者正確?
(A)為微分電路
(B)-3dB 頻率與 R1成正比
(C)直流電壓的增益為-R2/R1
(D)為高通濾波器 5e1417010eaa6.jpg



35.重新載圖

35 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R2 = 100 kΩ,R1 = 20 kΩ,R = 10 kΩ,C = 0.1 μF。求振盪器的振盪頻率?
(A) 15.9 Hz
(B) 79.6 Hz
(C) 159 Hz
(D) 1000 Hz 5e14172052520.jpg



36.重新載圖

36 如圖所示為一考畢子振盪器(Colpitts Oscillator)電路,其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體 Q 之gm = 10 mA/V,RE = 1 kΩ,L = 20 μH,C1 = 25 pF,C2 = 100 pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率?
(A) 3.2 MHz
(B) 8 MHz
(C) 32 MHz
(D) 80 MHz 5e14174fee61c.jpg



37.37 已知一運算放大器(OPA)的開路直流增益 Ao為 100 dB 和單一增益頻率 fT為 10 MHz,若此 OPA 接成非反相輸入(non-inverting input)放大器,其增益 Av為 60 dB;試問該非反相輸入放大器的頻寬 fH約為多少?
(A) 100 kHz
(B) 10 kHz
(C) 1 kHz
(D) 100 Hz .


38.38 有一運算放大器(OPA),已知其直流增益為 100 dB 和單一增益頻率 fT為 5 MHz,試求其-3 dB 的頻寬 fB為多少?
(A) 5 Hz
(B) 50 Hz
(C) 5 kHz
(D) 50 kHz


39.重新載圖

39 如圖電路,已知 R = 10 kΩ 和 C = 0.01 μF,輸入為 ± 5 V 對稱方波,試求輸出三角波電壓在 t = 0到 t = t1 的斜率為多少 V/sec?
(A)+5× 104
(B)-5× 104
(C)-10× 104
(D)+10× 104 5e1417b483fb9.jpg



40.重新載圖

40 如圖雙穩態電路,已知輸出電壓 vo飽和在± 13 V,若設計臨界電壓(threshold voltage)在± 5 V,且令 R1 = 10 kΩ,試求 R2為多少?
(A) 16 kΩ
(B) 20 kΩ
(C) 32 kΩ
(D) 40 kΩ 5e1417d70c97a.jpg



懸賞詳解

國一生物上第三次

重新載圖1. 附圖是人體的內分泌系統位置圖,試回答下列問題:【題組】(  )(4)何種內分泌腺體會因性別而異? (A)甲 (B)丙 (C)丁 (D)己。...

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