試題詳解

【已刪除】10.下列有關半導體材料與製程的敘述，何者有誤？
(A)砷化鎵(gallium arsenide)化合物半導體 具有發光能力，可以製造雷射及發光二極體的元件
(B)矽是一種優良絕緣體，可用做絕緣 與保護目的之用
(C)薄膜製作是將部分未被光阻保護的氮化矽層加以除去並留下所需的線 路圖
(D)蝕刻(Etching)若採用濕式技術，此法具有等向性(isotropic)，若採用乾式蝕刻具非 等向性向性。 請注意：本試題共兩部分，選擇題 25 題及綜合題 11 大題，共計 100 分；選擇題請用 2B 軟心鉛 筆在答案卡劃記，綜合題請用藍色或黑色鋼筆或原子筆在答案卷上作答。本科可以使用電子計 算器。 <背面尚有試題> 公 告 用 － 共 4 頁，第 2 頁 －