試題詳解

1 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |V_th| = 0.5 V。V_D1 = 2 V，V_D2 = -2 V，V_D = 2 V， V_E = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？

(A)N-channel MOSFET（N 通道金氧半場效電晶體）
(B)P-channel MOSFET（P 通道金氧半場效電晶體）
(C)CMOSFET（互補式金氧半場效電晶體）
(D)FIN FET（鰭式場效電晶體）