1 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅..-阿摩線上測驗
1 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者?
(A)N-channel MOSFET(N 通道金氧半場效電晶體)
(B)P-channel MOSFET(P 通道金氧半場效電晶體)
(C)CMOSFET(互補式金氧半場效電晶體)
(D)FIN FET(鰭式場效電晶體)
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3F
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4F hchungw 研一下 (2023/08/22)
N-channel MOSFET(N通道金氧半場效電晶體)是現代電子電路中常用的一種電晶體。以下是關於N-channel MOSFET的一些基本資料: 查看完整內容 |