10 下圖所示為一個n通道增強型(Enhancement Mode)MOSFET共源極電路,其參數值為:VDD=5 V,ID=0.1 mA,R1=30 kΩ,R2=20 kΩ,RD=20 kΩ,VTn(臨限電壓)=1.5 V,此電晶體被偏壓在下列何種工作區? 
(A)截止區
(B)飽和區
(C)三極區(Triode Region)
(D)次臨限區(Sub-threshold Region)

(A)截止區
(B)飽和區
(C)三極區(Triode Region)
(D)次臨限區(Sub-threshold Region)
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統計: A(10), B(84), C(14), D(0), E(0) #852793
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