11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源 Vs = 2mV，內阻 Rs = 1kΩ，負載電阻 RL = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓Vo為何？ (A)180mV (B)720mV (C)900 mV (D)1.44V

10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

11. 一個三級串接放大器電路，已知輸入訊號源 V_s = 2mV，內阻 R_s= 1kΩ，負載電阻 R_L = 100Ω。各級參數如下。試問輸出電壓V_o為何？
(A)180mV
(B)720mV
(C)900 mV
(D)1.44V

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