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初等/五等/佐級◆電子學大意題庫下載題庫

上一題
20 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷
(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷
(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs（閘極到源極之寄生電容）> Cgd（閘極到汲極之寄生電容）
(D) NMOSFET 源極（source）對基板（substrate）之電壓提高，臨界電壓（threshold voltage）降低

答案：D
難度： 適中
2F
u9952003 國二上 (2015/12/26)
(c) 截止區 閘極電容Cgs=0 , Cgd=0 
      主動區 Cgs=Cgd
      飽和區 Cgs > Cgd(=0)
3F
簡單不複雜 小一下 (2018/05/22)

(D)怎麼改?

基板電壓提高，臨界電壓也會提高嗎?

4F
瘀青貓 (2018/06/08)

回樓上 D選項就是基底效應 body effect :Vsb增加 Vp跟著增加


20 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A) NMOSFET..-阿摩線上測驗