學士後中醫 - 化學（含有機化）題庫下載題庫

摻雜(Doping)是增加半導體導電性的一種方法。就是在本質晶體內加入一些雜質原子而改變其電特性，所以摻雜半導體又被稱為外質半導體(extrinsic semiconductor)，常見的外質半導體有p-type半導體及 n-type半導體。

將五價原子(如砷、磷、銻)加到本質矽晶體。五價原子被4個矽原子所包圍，將共有電子而形成晶體結構。由於每一個五價原子的價軌道上有五個價電子，所以會留下一個多餘的電子，此多餘電子就形成自由電子，可增加電子濃度。

 將三價原子(如鋁、硼、鎵)加到本質矽晶體。三價原子被4個矽原子所包圍，由於三價原子的價軌道上只有三個價電子，但要和4個矽原子結合，因此會形成一個不完整的共價鍵，所以在價軌道上必定會產生一個電洞。

由於摻雜的物質(三價原子)會產生多餘的電洞給矽晶體，故稱此三價原子為受體(Acceptor)雜質，此摻雜的半導體就形成p-型(p-type)半導體。

n型半導體：多一個電子，所以參雜的元素要比原本的多一個價電子，例如原本是4A族的Si晶體，就要參雜5A的
p型：有電洞所以參雜的元素要比原本的少一個價電子。如本題純矽晶體4A，要參雜少一個價電子的3A族
(我都背p有一個圈圈，有洞，是電洞，所以n型就是多電子)
(A)5A
(B)3A
(C)4A
(D)6A
元素週期表要背~