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試題詳解

試卷:114年 - 114 專技高考_專利師:普通物理與普通化學#130118 | 科目:普通物理與普通化學

試卷資訊

試卷名稱:114年 - 114 專技高考_專利師:普通物理與普通化學#130118

年份:114年

科目:普通物理與普通化學

33 下列敘述,何者錯誤?
(A)對純矽摻雜磷離子可得到 n 型半導體
(B)將 p 型與 n 型半導體連結形成迴路並施加足夠電壓可成為發光二極體
(C)半導體的導電性都是介於導體和絕緣體之間
(D) InN 的能隙較 GaN 的能隙小

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詳解 (共 1 筆)

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