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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#35747
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試題詳解
試卷:
104年 - 104 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#35747 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
104年 - 104 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#35747
年份:
104年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
4 對一場效電晶體(FET)而言,三極管區(Triode Region)與飽和區(Saturation Region)的分界點為:
(A) V
DS
> V
GS
− V
t
(B) V
DS
= V
GS
− V
t
(C) V
DS
< V
GS
− V
t
(D) V
DS
= 0
正確答案:
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