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動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。

DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）裝置。

可編程唯讀記憶體（英語：Programmable read-...

動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體記憶體。由於在現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，靜態記憶體（SRAM）只要存入資料後，縱使不重新整理也不會遺失記憶。

DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）裝置。

可編程唯讀記憶體（英語：Programmable read-only memory），縮寫為PROM或FPROM，是一種電腦存儲記憶晶片，每個位元都由熔絲或反熔絲的狀態決定資料內容。這種記憶體用作永久存放程式之用。常用於電子遊戲機、電子詞典等預存固定資料或程式的各式電子產品之上。PROM與狹義的ROM（Maskn ROM）的差別在於前者可在IC製造完成後才依需要寫入資料，後者的資料需在製造IC時一併製作在裡面。

SRAM是比DRAM更為昂貴，但更為快速、非常低功耗（特別是在空閒狀態）。因此SRAM首選用於帶寬要求高，或者功耗要求低，或者二者兼而有之。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機訪問。由於複雜的內部結構，SRAM比DRAM的占用面積更大，因而不適合用於更高儲存密度低成本的應用，如PC內存。

內存在電腦中起著舉足輕重的作用。內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。 通常所說的內存即指電腦系統中的RAM。