5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流

上一題

5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線 A 點兩電晶體 MP1、MN1 的工作狀態。

(A)電晶體 MP1 的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區
(B)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區
(C)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區
(D)電晶體 MP1 的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區

初等/五等/佐級◆電子學大意- 103 年 - 103 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#18075

答案：C
難度： 困難

討論
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	2F 簡單不複雜小一下 (2018/04/16) 看完詳解還是不太懂為什麼圖形的上方是代表P，下方代表N? 每個區間的工作狀態是怎麼判斷出來的? 為甚麼答案(D)不行? 檢舉
	3F 劉政文高一上 (2018/04/26) 求解... 檢舉
	4F 川幼兒園下 (2019/12/23) A點因為斜率為-1，代表輸入電壓能控制輸出電壓，因為X(輸入)上升Y(輸出)會下降，所以不會有在截止區的FET，截止時輸入電壓控制不了輸出電壓。如果兩FET皆在工作區，那兩個FET的Vds(源極與汲極)壓降會一樣，因為同電流經過，同特性，所以也會同壓降，所以Vo會是1/2Vdd，就是Vo會在ab點的中間。所以能確定一個在三極區，一個在飽和區，又因a點Vo接近於Vdd，易使上FET的Vd大於Vov，則上面進入三極區，下面當然是飽和區檢舉

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5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）..-阿摩線上測驗

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