申論題

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σ—σ*躍遷、R吸收帶

成鍵σ電子由基態躍遷到σ*軌道。在有機化合物中，由單鍵構成的化合物，如飽和烴類能產生σ→σ*躍遷。引起σ→σ*躍遷所需的能量最大。因此，所產生的吸收峰出現在遠紫外區，在近紫外區、可見光區內不產生吸收，故常採用飽和烴類化合物作紫外一可見吸收光譜分析時的溶劑（如正己烷、正庚烷等）。

R吸收帶強度較弱，吸收峰在200～400nm之間。

n—σ*躍遷、K吸收帶

分子中未共用n電子躍遷到σ*軌道；凡含有n電子的雜原子（如N、O、S、P、X等）的飽和化合物都可發生n→σ*躍遷。由於此類躍遷比σ→σ*所需能量較小，一般相當於150～250nm的紫外光區，κ值在l00～l000 L.mol- 1.cm-1，屬於中等強度吸收。

K吸收帶強度較大，吸收峰通常在217～280nm之間；其波長隨著共軛體系的加長而向長波方向移動，吸收強度也隨之加強。

π—π*躍遷、B吸收帶

成鍵π電子由基態躍遷到π*軌道；凡含有雙鍵或叄鍵（如C═C、C≡C等）的不飽和有機化合物，都能產生π→π*躍遷。π→π*躍遷所需的能量與n→σ*躍遷相近，吸收峰在200nm附近，屬強吸收。

B吸收帶吸收峰通常在230～270nm之間；B吸收帶的精細結構常用來判斷芳香族化合物，但當苯環上有取代基且與苯環共軛或在極性溶劑中測定時，這些精細結構會簡單化或消失。

n—π*躍遷、E吸收帶

未共用n電子躍遷到π*軌道。含有雜原子的雙鍵不飽和有機化合物能產生這種躍遷。如含有C═O、C═S、-N=O、-N=N-等雜原子的雙鍵化合物。躍遷的能量最小，吸收峰出現在200～400nm的紫外光區，屬於弱吸收。

E吸收帶分E1、E2帶；E1帶的吸收約在185nm處，E2帶約在204nm處，都屬強吸收。