申論題

五、金屬氧化層半導體 MOS 元件，已知半導體為 p-型矽，摻雜濃度為 NA = 2  1015 cm-3，金屬與半導體之功函數差（work function difference） =-0.8V，假設氧化層與矽介面存在固定電荷（fixedcharge）， 氧化層 SiO₂ 厚度為 40 nm，SiO₂ 介電常數為 3.9，Si 介電常數為 11.7， F/ cm，常溫下矽之 ni 為 ，1 kT/q=0.0259 V， C。（每小題 10 分，共 20 分）

(二)當偏壓至半導體表面呈現強反轉（strong inversion）時，元件進入臨限 區（threshold region），元件偏壓為 （threshold voltage），令氧化 層電容值為，在上述 下的元件整體高頻電容值為 C()，求 電容值比例=？