⑵在高密度電漿 CVD（HDP CVD）氧化物製程中，為什麼用矽烷而不用 TEOS 作為矽來源氣體？（5 分）

⑵對於一矽晶片，於其上依序沉積有一層厚度為 4 nm 的二氧化矽及一層厚度為 300 nm 的多晶矽，而此多晶矽薄膜的厚度非均勻性為 1.5%。今欲對此多晶矽薄膜進行圖案化蝕刻以暴露出下方之二氧化矽，但使用之機台的蝕刻速率為 500 nm/min 且蝕刻速率的非均勻性為 5%。如果只允許損失之二氧化矽層厚度為 0.5 nm，請問蝕刻製程中，多晶矽對二氧化矽的蝕刻選擇比值最小是多少？（15 分）