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申論題

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

申論題資訊

試卷：102年 - 102 專利商標審查特種考試_三等_電子工程：半導體製程#44432
科目：半導體製程
年份：102年
排序：0

題組內容

二、

申論題內容

⑵在高密度電漿 CVD（HDP CVD）氧化物製程中，為什麼用矽烷而 不用 TEOS 作為矽來源氣體？（5 分）