二、有一 n 通道之 Si MOSFET,設其長寬各為 L = W =1 μm,有效閘極氧化層厚度為
Toxe = 3.45 nm(有效閘極電容為 C oxe = 10-6 F/cm2
),又閘極功函數ΦM = 4.03 eV,且 Si
材之摻雜濃度(bulk Si dopant concentration)為 NA = 1017 cm
-3(其對應之 Si 材功函數
ΦS = 5.03 eV,最大空乏區寬度為 WT =100 nm)。設 T = 300 K,Si 之 ni
= 1010
cm
-3,求: