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半導體工程
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113年 - 113 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#121484
> 申論題
三、p-n 接面二極體與蕭特基能障(Schottky barrier)二極體均可具有整流 (rectification)功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件之「逆向飽和電流密度(reverse-saturation current density) 」之因素分別為何?(20 分)
相關申論題
(一)電子與電洞濃度分別為何?(10 分)
#517442
(二)若外加電場為 E=15 V/cm,其漂移電流密度為何?(10 分)
#517443
(一)請輔以數學表示式說明影響半導體「導電率(conductivity)」之因素為何?(10 分)
#517444
(二)載子傳輸包含漂移(drift)與擴散(diffusion)兩種主要機制。請輔以數學表示式說明影響半導體「電流密度(current density)」之因素 為何?(10 分)
#517445
四、矽半導體 n 通道金屬-氧化物 -半導體場效電晶體(MOS-FET)之閘極長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm2/V-s、臨界電壓 Vth = 0.65 V、 閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10-8 F/cm2,且測得在閘-源極偏壓 VGS = 5 V 之汲極飽和電流(ID, sat)值為 8 mA。試求閘極寬度(W)為何?(20 分)
#517447
五、試就「加熱週期」、「加熱率」、「熱預算」、「製程產能」等四項因素, 分別比較傳統爐管熱退火與快速熱退火(RTA)技術之差異?(20 分)
#517448
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
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