【非選題】
五、計算一理想 MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體，設金屬的功函數 qΦm = 4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為 Na = 3 × 1016 cm −3 ，
矽的電子親和力（electron affinity）qX = 4.05 eV，矽的能隙寬 Eg = 1.12 eV，價電帶 電洞的有效狀態密度 Nv = 1.04 × 1019 cm-3 ，氧化層的厚度 tox = 600 Å，氧化層的介電 係數 
= 3.9 × 8.85 × 10-14 F/cm，矽的介電係數 
= 11.7 × 8.85 × 10 -14F/cm，熱電壓
Vt = kT/q = 0.0259 V。（20 分）
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