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電子元件
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103年 - 103 高等考試_二級_電子工程:電子元件#43106
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四、⑴ 在 金 氧 半 場 效 電 晶 體 ( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , MOSFET)中,何謂熱載子(Hot Carrier,載子可為電子或電洞)? 何謂熱載子 注入(Hot Carrier Injection,HCI)? 應如何控制或改善熱載子注入現象?
其他申論題
二、⑴請說明什麼是長基區二極體(Long-Base Diode)?什麼是短基區二極體(Short- Base Diode)?兩者在順向電流的物理機制有何不同?
#137815
⑵對於一金屬與半導體的蕭特基接觸(Schottky Contact),半導體為 n 型矽單晶材 料,它的能隙(Energy Gap)是 1.1 eV,電子親和力(Electron Affinity)是 4.05 eV, 功函數(Work Function)是 4.15 eV;金屬為金,它的功函數是 5.1 eV。請問蕭 特基能障是多少?此值會和我們實際量測計算的能障值常常會有所不同,請說明 原因。 (每小題 10 分,共 20 分)
#137816
三、⑴在 npn 雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)中,關於嘉莫圖 (Gummel Plot)的電流對電壓的特性曲線,若集極電流(IC)與基極電流(IB) 取對數,基極對射極電壓(VBE )為線性,請繪出對數的集極與基極電流對電 壓【log(IC 與 IB)-VBE】的特性曲線圖,並說明各線段的電流物理機制。
#137817
⑵現今發展一種所謂的矽鍺(SiGe)異質雙極性接面電晶體(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT),請說明這種元件的射極、基極與集極材料分別為何?比較傳 統的雙極性接面電晶體,這種元件可以提供什麼優點?並說明原因。 (每小題 10 分,共 20 分)
#137818
⑵在金氧半場效電晶體的製程中常常使用金屬矽化物(Silicide),請說明金屬矽化 物在金氧半場效電晶體的結構是什麼?它可以提供什麼優點? (每小題 10 分,共 20 分)
#137820
五、⑴在黃光室的微影製程中,對於光阻有所謂的軟烤(Soft-Bake)與硬烤(Hard- Bake),請說明它們的功能各為何?使用溫度範圍各為何?
#137821
⑵在製作矽元件或矽積體電路時,我們常用氮化矽(Silicon Nitride,Si3N4)作為絕 緣層或披覆層(Passivation Layer),如果要以氮化矽作為絕緣層與披覆層,應該 分別使用何種技術成長?請說明原因。 (每小題 10 分,共 20 分)
#137822
【已刪除】一、圖一為一直流穩態(DC steady state)電路,應用節點電壓法求各節點電壓及支路電 流(V1、V2、V3、I1、I2、I3、I4),並計算電阻消耗之總功率及各獨立電源與相依 電源供應之功率;以及繪出 a、b 端點所視之戴維寧等效電路(Thévenin equivalent circuit)。(25 分)
#137823
【已刪除】二、圖二所示之電路,其開關 S 原為閉合(close)狀態,且電路已達穩態。開關 S 於時 間 t = 0 秒時開啓(open),且 is =10[u(t)-u(t-1)] (A),es = 40 V(直流)。繪出拉普 拉氏轉換(Laplace transform)電路(複頻域(s-domain)等效電路),求電感電流與 電容電壓之拉普拉氏轉換式,及其時域(time-domain)式 iL(t) 與 vC (t);並計算電阻 由 t = 1 秒至穩態過程中所消耗之能量。(25 分)
#137824
【已刪除】三、圖三所示之電路已達穩態,其中 es(t) =150cos500t (V),is(t) =10sin1000t (A)。求 v1(t)、 v2(t)、v3(t)、i1(t)、i2(t)、i3(t)、i4(t)、i5(t)等之均方根(root-mean-square)值,並計算電 路所消耗之平均功率,及各電源之視在功率(apparent power)與供應之有效功率。 註:視在功率定義為電壓均方根值乘以電流均方根值。(25 分)
#137825